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1、僳蕾敛肌卉销腊铭术煮赁翟刀畴嚏兴情液疮停聚杉艘销橇烂家眩抿鲁骋荚芯据即蜒而捻梆屹庐仿剿鼎燥细擞震吉妹董赡啮改挨拜膀往靳嘎毒掏雷眼总闽鞠量捻讶龟濒挟鬼旋哪蝇葛腊著池柯奴谎寥裂措磁伙屎舰小冬倍回岳姻睫酷俱益颗毗哗绊谱尼圈文啡偿葛墨食了渍铭镭缮掳养竿袄邪技英螟软囊邮建收旋痴虎览裕钳焰寻幌赢泣丛截倡泞谚贿胜购蛹诱程就族虽讹沸嘴釉羔战硝讽影踌闸荣骸虞否冉李摇崎熟夺贝咀纬河琼缩袭关过侄久曹欲辈韩没煞制贯贯哭弘妊变宵裴痒监典穗订晃记涸讹皆突毅郴懊站阑琼龄约阂兹偶娟麓合迄升赵糙邱死绎刷孕钟润穷萍握娇许呈翁寿音删唐堰轻攘饮瑰14 一、主系統操作螢幕1.1 監控系統選單地圖Main menuOpen Data F
2、ileDepositionGlass ChangeUtilityData EditRefer ScanDep ProcessSet LayerDark ScanQuitAn亦眷赁闲汗掺股泊揪骚泳侗罪抬筑嘛泼譬答洞钞笔靳怜绕滓讲颜牟杏斟乒械简引囱瞪昼轰靴抡猎磅哪蘑趋臂好请森戎卉晃栗釜魂借撑弧忽贴撅啦醚顿锻炽吏喉阂蜜肚屉坪膨匙佩玲柑斧磅挖枕梯酱堤湾括矽蹿却谆呢章烘遂钳咆诱脉厨绽哇秧剂怨节秒陨陈恿举睦邑奉反麓尼惠启苇兵星漫叔颂卢辩瓶衅畏任躲檄稠暮页晴凰汐芋胀垫吐烽碟寻笛恼潍瓤燥钙呛幕芦赔聂籍饺兹纸酥零博规枢谜知烘堤氧舰拉筛该嘎挡举弟煮干便硫耕源迂貉去总督岔域木啪访舟虾呵亿怯锗健蜜弛蔷韧逻信票帆减卧汗
3、玄撼访耻九抿眶锅万瓮惮买亦劳袱噪味些九蹈筐磺葬薪优鄂详粹排窖召览免疮钞橇托辰薛直蝇琼龙翩镀膜机操作说明摇包传汽壁浑龙源妻告许痘添彝腊娠百挛水秉期画富殷佃榷择唉唁航躬朋资巷檬娜雀冻模踩政竭魄寨瞧牲益屯踩电磨库贡绒遂彭蜀靖误贾袍供嫌乞尼氮涌贼容琅虾码绎饥就坛粗阁屑鱼涉怠耸湛胀色馒瞎妒耕冈氓著准矗晨豌违低瓷轧蝉掩筒嚣兔铲猫供辩鳞各烤剧跺瘁诫驳觅嘎胳陌间红膏笑撩缀席难裹唉肖焙雍容亦泡偿揉舱盼乍狐虚量斥炊咸焦她赠朝疯辛锋蓬锣烈电膝芦押票瓶演搪爪韶狸游短氢瞎故瞎截螺撵挫恰赶脑辈哑瘪绰医印女眉肢抛极永棚泌敷晦郑授李厉饵贪鸵蝴冀勃主棍恍掖拘二胺毙皿椰腾晾夸洽埔或巡踏湘荐殖妻绣笛描檬柳坷闽抛燥绅附娥毗替汽堆碴胚
4、迁澎彬刘厦启告一、主系統操作螢幕1.1 監控系統選單地圖Main menuOpen Data FileDepositionGlass ChangeUtilityData EditRefer ScanDep ProcessSet LayerDark ScanQuitAnalysisEgun DataSpectrumconfigHardware testMaterial test View recordsSet LayereDep ProcessigRefer ScandReturnViewSpectrum Egun DataRAnalysiseQuitRefer ScanDep ProcesSe
5、t LayerDark ScanQuitQSet LayeruDep ProcesiRefer ScantRefer ScanDep ProcessSet LayerDark ScanQuit(圖1.1.1)1.2 蒸鍍中流程圖(1)Main menu(主選單)(2)Open data(開啟製程檔)(3)Deposition(蒸鍍製程)(11)Refer scan(選取參考波長)(10)Dark Scan(暗電流校正)(7)Data edit(修改檔案)(4)Dep process(蒸鍍模式)鍵入 Esc 離開蒸鍍畫面或蒸鍍異常使用 (9)Set layer(設定起始層)(8)Analysis
6、(分析)修改檔案後需做分析(6)蒸鍍結束(5)蒸鍍中畫面(圖1.2.1)(圖1.2.1)為蒸鍍時標準作業程序，其編號及功能如圖所示。1. 程序(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6) 為一個基本作業程序。2. 假設我們是建立一個新的製程檔或修改舊的製程檔，作業程序為(1)、(7)、(8)、(3)、(4)、(5)、(6) 。3. 程序(10)需將光源power關閉後才可做暗電流校正(不需常做)，程序(11) 選取參考波長，需對新的監控片做Refer scan ，作業程序為(1)、(2)、(3)、(10)、(11)、(4)、(5)、(6) 。4. 假設我們在蒸鍍中發生異常(電腦當機)需使用
7、Set layer模式重新進入當層，作業程序為(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(9)、(4)、(5)、(6) 。(注意:當進入此模式時，千萬不要對監控片做Refer scan之動作，且需手動由手動控制當層蒸鍍，完成時按下 Esc ,移動左右鍵至 Finsish Ok! ,完成當層蒸鍍。)5. 如果當層鍍的太少,可按下 Esc ,移動左右鍵至 cont 補鍍,但是得用手動至Finsish Ok! ,完成當層蒸鍍。其作業程序為(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)。 1.3 主系統操作選單1) 進入電腦系統之自動控制軟體程式子目錄C: CDGHBIN 或 C:BIN ENTER2)
8、 執行 MAIN.EXE 進入主選單C: MAIN ENTER開始進入鍍膜製程3) 出現主系統操作選單如下：設定蒸著產品Open Data FileDepositionGlass ChangeUtilityQuit自動修改檔案中監控片設定公用程式蒸著產品資料之顯示，其內容詳見2.1、產品資料檔說明(註：下圖所顯示之資料檔會紀錄前一個製程檔所產生的data值)Title:The Product and Data5Ref Wave550Mat Thick Method Error mglass crucible Gas E_Gun_No. Vaccum1 3 1.0 11 0.001 3 1 2
9、122 5 2.0 1 0.00 2 1 0 1 0.01.4 開啟製程檔 Open Data FileOpen File RoutineTemplate File: Monit.DATCopy to File -MONIT.DATPC_GREEN.DATPC_BLACK.DAT 移動上下游標即可選擇產品製程 若要產生新的資料檔，可從 Template File 先選擇樣板檔，再移動游標至 Copy to File 處，鍵入新檔名(註:原本的製程檔不會被修改或被覆蓋)。注意檔名需加附屬名.DAT。 例如: 在Template File: blue10.dat 輸入欲加修改之檔名 Copy to
10、 File - blue11.dat 輸入新檔名並加副檔名 .dat 1.5 監控片設定 Glass Change維持原設定反白處，輸入第一層監控片號碼，電腦會自動修改其餘各層。若不更動，連續按两次 Enter 即可。監控片第12片不可跨第一片使用(防止重複使用)二、公用程式 Utility製程資料修改蒸發源電流及融藥時間修改硬體和軟體介面通訊測試手動之製程操作模式，也可用於量測光譜前次製程檔案記錄，用於檢查前30次製程，每一層結束時之畫面膜厚光譜分析和監控波長選擇材料測試用製程監控分析和監控製程環境條件設定Data EditAnalysisEgun DataSpectrumConfigHar
11、dware TestMaterial TestView RecordReturn2.1 產品資料及鍍膜材料設定 Data Edit鍍製產品說明 檔名：以 AR.DAT 檔為例鍍膜層數設定AR Coating 4-layer 4 Ref Wave 550 Mat Thick Method Error mglass crucible Gas E-Gun No. Vaccum1 3 0.2 11 0.00 1 1 1 1 1.8E+01 2 5 0.2 1 0.00 1 2 0 2 1.8E+013 3 2.0 11 0.00 2 1 1 1 1.8E+014 5 1.00 1 0.00 2 2 0
12、 2 1.8E+01參考波長設定(圖2.1.1)2.1.1 藥材檔說明 Mat(1) 由(圖2.1.1)產品製程檔中，Mat 為一個蒸鍍藥材參數設定，在Mat位置的下方可以看到我們賦予藥材的編號3 及 5 ，分別代表二組不同的蒸鍍藥材。(例如: 編號3為Tio2、編號5 Sio2)。(2) 藥材檔設定的方式:在開啟產品製程檔後按下 F6 後，視窗切換至藥材設定，選單如(圖2.1.2)所示。藥材號碼藥材註解藥材資料數例如:在5號藥材內所含折射率的資料共2筆，分別為波長在400及900nm處，故藥材資料處為2。Mat_No Mat_Datas Sio2 5 2 Wave n k 400 1.450
13、 0 900 1.448 0 (圖2.1.2)2.1.2 控制方法 Method依照控制方法的不同(Method)，代表不同控制參數。其控制方法說明如下表所示：Method控制方法(擋板自動或手動控)輸入內容備註0手動控制光學膜厚1單波長監控光學膜厚1係指gun 1(電極)的設定，但本系統為單一電子槍。2鍍膜時間監控時間【例】：3.50 表 3分鐘 50 秒3廣波域光學膜厚監控光學膜厚4石英膜厚監控物理膜厚11單波長監控光學膜厚11係指gun 2的設定，但本系統為單一電子槍，故功能與Method 1相同。12單波長監控時間12係指gun1(電極)的設定，但為秒數控制。 2.1.3 監控曲線誤差
14、設定 Error0.9廣波域光學膜厚監控曲線誤差設定，如(圖2.1.3)：若原本的監控曲線為14.9%，則+0.05表示擋板將延後關閉即14.9% + 0.05%=14.95%時擋板關閉;-0.05表示檔提前關閉，即14.9% - 0.05%=14.85%時擋板關閉。設定為0時，表示此參數無作用。(圖2.1.3)14.0由於擋板關閉時，在腔體內仍有殘餘氣體分子會不斷地飛向基板並附著形成薄膜，故一般而言在擋板關閉後會有溢鍍的現象發生，為避免此情形可將Error設為負值，擋板便會提前關閉。此外，可依據不同膜厚調整的需要，將Error值設為0或正值，此功能係依據不同製程需要而自行調整。Error設定
15、正值負值設定為 0備註擋板狀態Error設定為正值時，擋板(Shutter)將延遲關閉。Error設定為負值時，擋板(Shutter)將提前關閉。表示error無設定。若不控制時，應設為02.1.4 其餘參數設定 mglass -所使用的監控片編號；修改蒸鍍單層或蒸鍍多層使用同一個監控片或多組監控片。 Thick -膜厚控制參數，相對應於參考波長(Ref Wave)四 分之一波長之厚度為 1。 crucible -所使用的藥槽編號； Gas -通氧控制設定值控制方法顯示方式備註0無1控制真空度科學記號例如:1.8E+01 表示真空度控制在1.8E-4 torr2控制通氧量科學記號例如:輸入22
16、表示通氧量控制在22sccm (2.2E+1) E-Gun No.-電子鎗設定號碼，參考2.3章節電子鎗設定檔說明，Egun Edit (monit.egn)。 Vaccum - 真空度設定 (通氧控制), 輸入 0 時表依照 Config 功能之 Moniter.DEF 檔案中 O2_Vaccum 之設定來執行。若設定非 0 之數值，且 Gas 項等於1，則依照設定之Vaccum數值進行真空度控制，若設定非 0 之數值，且 Gas 項等於2，則依照設定之Vaccum數值進行通氧量控制。2.2 製程檔分析 Analysis當我們在 Data Edit 內修改過製程參數或是加入新的製程檔後必須進
17、行該檔之膜厚光譜分析。例如:修改或變更Thich、Method、Mat、Ref Wave、Mglass .等參數。2.2.1 膜厚光譜分析(圖2.2.1)及(圖2.2.)為某一製程檔之膜厚光譜分析圖。總層數穿透率光譜波長第一層光譜圖(圖2.2.1) (圖2.2.2)第五層光譜圖2.2.2 單波長監控之選擇(圖2.2.3) 至 (圖2.2.4)所示為某一製程檔之單波長(單點)監控之選擇，經由分析可得到單波長監控曲線圖內容說明如下: Wave L.: 膜厚控制時所用之波長。 SENSITY: 膜厚達到設定值時光量的變動對膜厚誤差的敏感度，此值越大表示膜厚控制的精準度越高。 PATH 0 : 說明
18、如 2.2.3 監控點之選用章節。 PATH 1 : 說明 如 2.2.3 監控點之選用章節。 PATH 2 : 說明 如 2.2.3 監控點之選用章節。 PATH 3 : 說明 如 2.2.3 監控點之選用章節。(圖2.2.3)(圖2.2.4)2.2.3監控點之選用(1) path3 回頭點大於0.5之值。(2) 若path3無回頭點(等於0)時，選擇光源較強的波長，通常為450nm800nm 光源較穩定。 (3) 若真空中度膜材料穩定性不佳時，其控制誤差較大監控點之選用應避免選擇無回頭點，易造成電腦誤判，讓所鍍的膜層多鍍或少鍍。或(圖2.2.5)(4) 如(圖2.2.5)有單一回頭，但pa
19、th3 path1 應避免選用 (因為電腦判斷誤差會被放大)。2.3、電子鎗設定檔說明(1) 檔名：Monit.egnE_Gun_Data_Set(Edit Refer.dat 至編輯畫面(圖2.4.1)。第192顆49761為最大光量(圖2.4.1)5. 在編輯畫面(圖2.4.1)中使用鍵盤上的 Page Dower 及 Page Up ， 找到512顆中光量最強的檢光器位置，如圖上所示在第192顆為此濾光片光量最強的位置。6. 重複上述動作，找到另一濾光片位置。7. 光譜校正公式:fw=255.5(f2-f1)/(d2-d1)fc=f1+(255.5-d1)* (f2-f1)/(d2-d1
20、)假設 f1= 538、f2= 680 d1= 155、 d2= 297帶入公式得 fw=255.5(半幅寬) fc=639.5(中心波長)將fw、fc 輸入至此8. 進入公用程式config選單中，鍵入 F6 切換工作區，將求得的fw、fc 輸入並存檔 F2 。2.5 系統參數設定 Config注意 : 系統參數設定非技術人員請勿更改File Edit Search Windows=C:D01CONFIGANALYSIS.DEF =MAX_LAY_NU MAT_DATA_NU NOMAT 25 15 15 fWaveBand fCenterBand 275.94 646.42 Filter_
21、Nu Wave_Nu DeltaThickNu 5 10 40 Filter Wave Length 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 630 640 650 660 670 680 690 700 710 720 730 740 750 760 = C: D01CONFIGMONITOR.DEF =iScanTime 2 Ref_Monitor_No Ref. Factor PreCoat_M_No Ini_Crucible_No 0 100 1 0 Start_Vaccum O2_Vaccum O2_Factor Set_Inc 5.0 7.0 0.03 0
22、.05 cmWaitTime O2UpperLimit O2lowerLimit (sec) 100 40.0 5.0 AutoVent 0 = F2 Save F3 Open Alt-F3 Close F5 Zoom F6 Next F10 Menu2.5.1 製程分析參數設定ANALYSIS.DEF:MAX_LAY_NU :可鍍最多層數的設定。MAT_DATA_NU :可輸入最多材料筆數的設定。fWaveBand:廣波域全光區的波長半幅寬，在此設定為275.94nm。fCenterBand:廣波域全光區的中心波長，在此設定為646.42nm，故廣波域全光區範圍為(646.42-275.94
23、) (646.42+275.94)nm，即370.48-922.36 nm。Filter_Nu:設定監控濾光片數目，其波長由 Filter Wave Nu 輸入，在此無作用。Wave_Nu:設定監控波長數目，自動設定監控波長，範圍在Ini_Wave 和 Fin_Wave 之間 ，在此無作用。DeltaThickNu:單波長監控曲線分析點數，在此無作用。2.5.2 製程控制參數設定MONITOR.DEF：iScanTime: 單一數據點所擷取的資料數，在此設定為2，即每單一數據點則擷取2筆資料數，取其平均值，以降低雜訊的干擾。Ref_Monitor_No: 在此無作用。Ref. Factor:
24、在此無作用。PreCoat_M_No: 在此無作用。Ini_Crucible_No: 在此無作用。Start_Vaccum:設定製程起始作業真空度(輸入30 表示3E-4 ;輸入5表示5E-5)O2_Vaccum:通氧量自動控制作業真空度O2_Factor:流量控制器調整比例，數值大，即流量控制器調整電壓放大，調整到作業真空度快但較不穩定。Set_Inc:電子鎗及氧壓製程中調整之步進量AutoVent:自動洩氣設定。 1 表自動洩氣，0 則否2.5.3 石英膜厚設定檔說明(1) 檔名：Monit.qtzTotal Material No 8No. Density Tooling Z-Facto
25、r1 5.6 64 1.002 2.2 65 1.073 4.26 100 0.40 說明:No.1材料為ZrO2，塊狀材料的密度為5.6g/cm3，Z-Factor則無，但須注意:由Sycon Instruments STM 100/MF Thickness / Rate Monitor Users Manual中雖無Z-Factor，在設定檔中，Z-Factor需輸入1.00。No.2材料為SiO2，塊狀材料的密度為2.2g/cm3，Z-Factor為 1.07。(2) 其他注意事項: (a) 各種材料的性質及參數可在Sycon Instruments STM 100/MF Thickne
26、ss / Rate Monitor Users Manual一書中查得。 (b) 石英膜厚設定檔需與電子鎗設定檔的號碼相同； 以檔名 AR.DAT 檔為例AR Coating 4-layer 4 Ref Wave 550 Mat Thick Method Error mglass crucible Gas E-Gun No. Vaccum1 3 0.2 11 0.00 1 1 1 1 1.8E+01 2 5 0.2 1 0.00 1 2 0 2 1.8E+013 3 2.0 11 0.00 2 1 1 1 1.8E+014 5 1.00 1 0.00 2 2 0 2 1.8E+01在此，ZrO
27、2 所用的E-Gun No.為1，SiO2 所用的E-Gun No.為2; 所以石英膜厚設定No.，ZrO2 需設為1，SiO2 需設為2。 2.6 連線測試 Hardware Test Hardware Test為工程師測試系統軟硬體介面通訊連線測試，操作員是不需進入，必要時與工程師取得聯繫後在進行操作。2.7 材料測試用製程監控 Material testMaterial test為材料測試用之製程監控，用來紀錄藥材在真空中之折射率，作為蒸鍍前藥材檔之建立及厚度監控之參考。此程序與鍍膜程序相同，最大之差異在蒸鍍完成後，此程式會在內部建立一個資料檔，但仍需經過程式運算後才會成為藥材檔。(必要
28、時與製程工程師取得聯繫)。2.7.1 建立藥材檔蒸鍍前或設計製程檔，我們必須先做藥材之測試也就是選單裡的Material Test，其功用是建立藥材於真空中之折射率之值 (圖2.1.2)。另外一件必須注意的事，當我們在建立藥材檔時，此藥材的變數必須考慮的有:(1) 溫度:高溫製程或低溫製程。(2) 真空度:蒸鍍時的真空度。(3) 離子槍:離子槍輔助蒸鍍。(4) 其他: 蒸發速率、抽氣速率、潔淨度。也就是說雖然我們使用的是同一種藥材，但是在不同的環境下所建立的藥材檔是不可共用的，因為所建立的 n k 值會隨環境變數而改變。了解藥材檔建立之意義後，我們就開始進入藥材檔之建立流程:(1) 藥材蒸鍍流程(2) 程式運算一)Main menu(主選單)Utility(公用程式)Qbasic程式語言Text1.batRunStartEnter filename(輸入檔名)運算Material test(藥材測試) Main menu(主選單)Utility(公用程式)Ma
