太阳能电池介绍.ppt

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1、太阳能电池介绍,世界和中国主要常规能源储量预测,我国几种可再生能源量和发电潜力,太阳能电池发展瓶颈,转换效率 稳定性 成本,太阳光谱图,48%,太阳电池分类1.技术成熟程度（三代电池）：1)晶硅电池：单晶硅，多晶硅 2)薄膜电池：a-Si，CIGS，CdTe，球形电池 多晶硅薄膜，Grtzel，有机电池 染料敏化电池 3)新概念电池,新概念电池（第三代电池）中间带隙(或亚带隙，或杂质带)电池 带隙递变迭层电池 上、下转换器电池 偶极子天线电池 量子点、量子阱电池 热载流子电池,所需材料硅基电池：单晶硅，多晶硅，微晶(纳晶)，非晶硅，化合物半导体电池：CdTe,CIGS，GaAs，InP有机电池

2、：酞菁锌、聚苯胺、聚对苯乙炔等 染料敏化电池：TiO2，染料等,有机太阳电池,工作原理:有机半导体产生的电子和空穴束缚在激子之中,电子和空穴在界面(电极和导电聚合物的结合处)上分离。,研究进展:美国加州伯克利分校科学家在2002年利用塑料纳米技术研制出第一代塑料太阳能电池，可以安装在一系列便携式设备及可穿戴式电子设备上。提供07V的电压。特点：价格低、易成型，通过化学修饰调控性能,染料敏化太阳电池（DSSC）,什么是染料敏化太阳电池？,全称为“染料敏化纳米薄膜太阳电池”模拟自然界中的光合作用原理采用吸附染料的纳米多孔二氧化钛半导体膜作为光阳极，并选用适当的氧化还原电解质，用镀铂的导电玻璃作为光

3、阴极，只要太阳光一照到电池上，它就会源源不断的开始发电了。,在染料敏化半导体太阳能电池中，由于一些宽隙的半导体（如TiO2）的禁带宽度相当于紫外区的能量，因而捕获太阳光的能力非常差，无法将其直接用于太阳能的转换。若寻找一些可以与这些宽隙半导体的导带和价带能量匹配的染料，使其吸附在半导体的表面上，利用染料对可见光的强吸收从而将体系的光谱响应延伸到可见区，这种现象就叫做半导体的染料光敏化作用，而具有这种特性的染料就光敏化染料。,染料敏化,(1)能紧密吸附在TiO2表面，要求染料分子中含有羧基、羟基等极性基团；(2)对可见光的吸收性能好，在整个太阳光光谱范围内都应有较强的吸收；(3)染料在长期光照下

4、具有良好的化学稳定性，能够完成多次循环反应；(4)染料的氧化态和激发态要有较高的稳定性；(5)激发态能级与TiO2导带能级匹配，激发态的能级高于TiO2导带能级，保证电子的快速注入；(6)染料分子能溶解于与半导体共存的溶剂。,高性能的敏化剂需要具有的特点,染料敏化太阳电池的工作原理,当太阳光照射到电池表面时，吸附在二氧化钛光电极表面的染料分子受到激发由基态S跃迁到激发态S*,然后将一个电子注入到二氧化钛导带内，此时染料分子自身转变为氧化态S+.注入到二氧化钛层的电子富集到导电基底，并通过外电路流向电极,形成电流。处于氧化态的染料分子氧化溶液中的电子给体(此种在电解质溶液中的电子给体),自身恢复

5、为还原态，使染料分子得到再生。被氧化的电子给体扩散至电极,在电极表面被还原,从而完成一个光电化学反应循环。,染料敏化太阳电池（DSSC）,电池结构,阳极：染料敏化半导体薄膜 TiO2、染料阴极：镀铂的导电玻璃电解质：I3-/I-,染料敏化太阳电池的结构,染料敏化纳米薄膜太阳电池电池主要由以下几部分组成：透明导电玻璃、纳米多孔TiO2膜、染料光敏化剂、电解质和反电极,染料敏化太阳电池的工作原理简图,染料敏化太阳电池的工作原理,S+h S*S*S+e-CB(TiO2)S+A-S+AA+e-(CE)A-,染料敏化太阳电池的工作原理,染料敏化太阳电池的研究历史,1、1991年,M.Grtzel等提出了

6、一种新型的以染料敏化二氧化钛纳米薄膜为光阳极的光伏电池,以羧酸联吡啶钌()配合物为敏化染料。2、1993年M.Grtzel等人再次报道了光电转换效率达10%的染料敏化纳米太阳能电池，2001年效率达到了10%11%，短路电流密度为20.53mA/cm2,开路电压为720。3、1997年,这种M.Grtzel电池已经应用于电致变色器件。4、1998年,M.Grtzel等人进一步研制出全固态M.Grtzel电池,使用固体有机空穴传输材料替代了液体电解质,单色光光电转换效率最大达到33%,从而引起了全世界的关注。,染料敏化电池的进展,对入射光的角度敏感度小，因此更适合散射和反射光源。由于钛膜表面的“

7、光海绵”性质，电池可在大范围不同光源条件下工作，可用于非常弱的光源。晶体硅电池适合于充足阳光条件，而DSSC则特别适用于光间接照射，例如阴天或有临时或长期的部分遮挡的条件。DSSC可提供室内稳定的电压输出。适合于大的温度范围。可选择透明模式，用于日光，屋顶及显示器。由于DSSC的制备只需通常普遍使用的非真空设备，所以只需很少资金就可建立生产设备。,染料敏化太阳电池的优点：,戴老师教你制作染料敏化太阳电池,染料敏化太阳电池作为新型的绿色能源，您一定非常感兴趣吧？那么你是不是想自己动手制作一块自己的太阳能池呢？其实，做电池并不难，那就让戴老师手把手教你制作电池吧！,第一步：二氧化钛膜的制备 第二步

8、：利用天然染料把二氧化钛膜着色第三步：制作反电极第四步：组装电池 第五步：注入电解质,染料敏化太阳电池的制作主要分为五个步骤：,第一步：二氧化钛膜的制备,二氧化钛的制备有两种方法：一种方法是：称取适量二氧化钛粉(Degussa P25)放入研钵中，一边研磨，一边逐渐加入硝酸或乙酸(pH 值为3 4)，研磨均匀。另一种方法是：取适量二氧化钛粉，加入乙酰丙酮水溶液，然后边研磨边逐渐加入水使之研磨均匀。,二氧化钛浆料制备,取一定面积的导电玻璃，用万用表来检测判断其导电面。用透明胶带盖住电极的四边，其中3边约盖住12mm宽，而第四边约盖45mm宽。胶带的大部分与桌面相粘，有利于保护玻璃不动，这样形成一

9、个约4050m 深的沟，用于涂敷二氧化钛。在上面几滴TiO2溶液，然后用玻璃棒徐徐地滚动，使其涂敷均匀。,待二氧化钛薄膜自然凉干后，再撕去胶带，放入炉中，在450下保温半小时。可选用电热枪或管式炉，也可用酒精灯或天然气灯在有支撑下加热10min。然后让其自然冷却至室温，储存备用。烧结后得到二氧化钛膜。其类似于类囊体膜，呈多孔状，多孔膜有利于吸收太阳光和收集电子。,用酒精灯烤干,第二步：利用天然染料把二氧化钛膜着色,在新鲜的或冰冻的黑莓、山莓和石榴籽上滴34滴水，再进行挤压、过滤，即可得到我们所需要的初始染料溶液；也可以把TiO2 膜直接放在已滴过水并挤压过的浆果上，或在室温下把TiO2膜浸泡在

10、红茶(木槿属植物)溶液中。有些水果和叶子也可以用于着色。如果着色后的电极不立即用，必须把它存放在丙酮和脱植基的叶绿素混合溶液中。,二氧化钛薄膜着色,第三步：制作反电极,电池既需要光阳极，又要一个对电极才能工作。对电极又叫反电极。取与正电极相同大小的导电玻璃，利用万用表判断玻璃的导电面（利用手指也可以作出判断，导电面较为粗糙）。把非导电面标上+，然后石墨棒或软铅笔在整个反电极的导电面上涂上一层碳膜。这层碳膜主要对I-和I3-起催化剂的作用。整个面无需掩盖和贴胶带。因而整个面都可以涂上一层催化剂。可以通过把碳膜在450下烧结几分钟来延长电极的使用寿命。电极必须用乙醇清洗，并烘干。也可以利用化学方法

11、沉积一层通明的、致密的铂层来代替碳层作为反电极。,反电极制备,第四步：组装电池,小心地把着色后的电极从溶液中取出，并用水清洗。烘干之前再用乙醇或异丙醇清洗一下，以确保将着色后的多孔TiO2膜中的水份除去。把烘干后的电极的着色膜面朝上放在桌上，再把涂有催化剂的反电极放在上面，把两片玻璃稍微错开，以便于利用未涂有TiO2的电极部分和反电极作为电池的测试用。,电池的封装,第五步：注入电解质,用两个夹子把电池夹住，再滴入两滴含碘和碘离子的电解质溶液，由于毛细管原理，电解质很快在两个电极间均匀扩散。,电解质的注入,恭喜你 染料敏化太阳电池制作成功了！,晶硅电池,晶硅电池的各种新技术向高效化方向发展向薄片

12、化方向发展,Silicon Thin Films,Polymorphous(pm-Si:H),Nano cristalline(nc-Si:H),Micro&polycristalline,Verre,1 mm,基本原理,晶硅电池的技术发展 单晶硅电池在70年代初引入地面应用。在石油危机推动下，太阳电池开始了一个蓬勃发展时期，这个时期不但出现了许多新型电池，而且引入许多新技术。1).钝化技术：热氧化SiO2钝化，氢钝化，PECVDSiN工艺钝化(多晶 硅)，a-Si钝化等 2).陷光技术：表面织构化技术，减反射技术,3)背表面场(BSF)技术 4)表面织构化(绒面)技术 5)异质结太阳电池技术

13、 6)MIS电池 7)MINP电池 8)聚光电池,向高效化方向发展1)单晶硅高效电池：斯坦福大学的背面点接触电池：22特点：正负电极在同一面，没有栅线阴影损失,新南威尔士大学的PERL电池 24.7%,Fraunhofer研究所LBSC电池：23%,北京太阳能研究所高效电池 19.8%,单晶硅电池的效率进展,激光刻槽埋栅电池,新南威尔士大学,北京太阳能研究所,19.8%,18.6%,商业化单晶硅电池组件,商业化单晶硅电池组件Sanyo a-Si/c-Si电池,（实验室最好效率：22.3%）,多晶硅高效电池,多晶硅材料制造成本低于单晶硅CZ材料，能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方 型硅锭，24

14、0kg,400kg,制造过程简单、省电、节约硅材料，因此具有更大降低成本的潜力。,但是多晶硅材料质量比单晶硅差，有许多晶界存在，电池效率比单晶硅低,晶向不一致，表面织构化困难。,乔治亚(Geogia)工大 采用磷吸杂和双层减 反射膜技术，使电池的效率达到18.6；新南威尔士大学采用类似PERL电池技术，使电池的效率19.8 Fraunhofer研究所 20.3%世界记录 Kysera公司采用了PECVD/SiN+表面织构化 使1515cm2大面积多晶硅电池效率达17.7.,多晶硅高效电池,商业化多晶硅电池组件Kyocera电池,其中PECVDSiN钝化技术对商业化多晶硅 电池的效率提高起到了关

15、键性的作用。目前商业化多晶硅电池的效率1316,晶硅太阳电池向薄片化方向发展硅片是晶硅电池成本构成中的主要部分 硅是间接带隙半导体，理论上要求厚度大于100m才可以吸收足够多的太阳光电池制造工艺硅片厚度下限150 m 降低硅片厚度是结构电池降低成本的重要 技术方向之一,太阳电池向薄片化方向发展,Sharp单晶硅组件,Ultrathin Multicrystalline Si High Efficiency Solar Cells Fraunhofer-20.3%世界记录,70年代450500 m 80年代400450m 90年代350400 m 目前 230300 m 2010年 200230

16、 m 2020年 100200 m,硅片厚度的发展,带硅技术 直接拉制硅片免去切片损失(内园切割，刀锋损失300400 m。线锯切割，刀锋损失200 m)。过去几十年里开发过多种生长 带硅 或片状硅技术,带硅技术 采用石墨模具电池效率1315。该技术于90年代初实现了商业化生产，目前属于RWE(ASE)公司所有。,蹼状带硅技术在表面张力的作用下，插在熔硅中的两条枝蔓晶的中间会同时长出一层如蹼状的薄片,所以称为蹼状晶。切去两边的枝晶，用中间的片状晶制作太阳电池。蹼状晶为各种硅带中质量最好，但其生长速度相对较慢。,Astropower的多晶带硅制造技术该技术基于液相外延工艺，衬底为可以重复使用的廉

17、价陶瓷。实验室太阳电池效率达到 15.6，该技术实现了小规模的商业化生产。,薄膜太阳电池,薄膜太阳电池分类,非晶硅薄膜太阳能电池微(多)晶硅薄膜太阳能电池铜铟硒薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池碲化隔薄膜太阳能电池染料敏化薄膜太阳能电池有机薄膜太阳能电池其他,非晶硅薄膜太阳电池,非晶硅薄膜太阳电池结构,非晶硅薄膜太阳电池三结结构,实验室效率：初始 稳定 单结：12 68 双结：13 10 三结：15.2%13 商业化电池效率：单结：34 双结：6 三结：7 8,太阳能用非晶硅和多晶硅薄膜的制备技术,化学气相沉积反应溅射法离子镀法,易实现制备大面积的硅膜；非晶硅与电池的制作同时完成；电池的制作

18、成本较低。,特点：,电子束蒸发沉积镀膜,镀膜制备方法,低成本能量返回期短大面积自动化生产高温性好弱光响应好(充电效率高)其他,非晶硅薄膜太阳能电池的优点,单结非晶硅太阳电池的厚度约1um。主要原材料是硅烷，这种气体可由化学工业大量供应，比较便宜，制造一瓦非晶硅太阳电池的原材料本约RMB3.5-4（效率高于6%）。晶体硅太阳电池的基本厚度约为200um，大规模生产需大量的半导体级硅片，仅硅片的成本就占整个太阳电池成本的65-70%，在中国1瓦晶体硅太阳电池的硅材料成本已上升到RMB22以上。,非晶硅薄膜太阳能电池的优点低成本,沉积温度低，衬底可选择：如玻璃等廉价衬底，不锈钢和塑料等柔性衬底。,非

19、晶硅薄膜太阳能电池的优点衬底的灵活选择,非晶硅薄膜太阳电池的优点能量返回期短,非晶硅薄膜太阳电池的优点大面积自动化生产,转换效率为6%的非晶硅太阳电池，其生产用电约1.9度电/瓦，由它发电后返回的时间约为1.5-2年，这是晶硅太阳电池无法比拟的。,目前，世界上最大的非晶硅太阳电池是Switzland Unaxis的KAI-1200 PECVD 设备生产的1100mm*1250mm单结晶非晶硅太阳电池，起初是效率高于9%。其稳定输出功率接近80W/片。,Recent examples of large area reactors,Applied materials,Oerlikon,Glass

20、sizes up to 5 m2!,a-Si:H and c-Si:H,非晶硅薄膜太阳电池的优点：短波响应优于晶体硅太阳电池,上海尤力卡公司曾在中国甘肃省酒泉市安装一套6500瓦非晶硅太阳能电站，其每千瓦发电量为1300KWh，而晶体硅太阳电池每千瓦的年发电量约为1100-1200KWh。非晶硅太阳电池显示出其极大的使用优势。,该电站的现场照片,非晶硅太阳电池存在的问题效率较低,单晶硅太阳电池，单体效率为14%-17%而柔性基体非晶硅太阳电池组件的效率为10-12%。,非晶硅太阳电池存在的问题稳定性,非晶硅太阳电池的光致衰减，所谓的W-S效应，是影响其大规模生产的重要因素。目前，柔性基体非晶硅

21、太阳能电池稳定效率已超过10%，已具备作为空间能源的基本条件。,a-SiH薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为Steabler-Wronski效应。,光致衰退效应,非晶硅太阳电池投资额是晶体硅太阳能电池的5倍左右，因此项目投资有一定的资金壁垒。成本回收周期较长，昂贵的设备折旧率是大额回报率的一大瓶颈。,非晶硅太阳电池存在的问题设备成本,我国非晶硅电池研究在上世纪80年代中期形成了高潮，30多个研究组从事研究。实验室初始效率810；80年代后期哈尔滨和深圳分别从美国Chrona公司引进了1MW生产能力的单结非晶硅生产线，稳定效率34之间。2000年，

22、以双结非晶硅电池为重点的硅基薄膜太阳电池研究被列入国家“973”项目，我国非晶硅电池的又进入一个新的研究阶段。目前双结初始实验室效率810。,多晶硅薄膜电池,多晶硅薄膜电池 高温技术路线以RTCVD为代表优点；薄膜结晶质量好，晶粒尺寸大，容易 作出高效率电池，缺点：工艺温度高1000，衬底难解决。衬底材料：陶瓷，石墨，硅片等,Fraunhofer研究所SiO2和SiN包覆陶瓷或SiC包覆石墨为衬底，RTCVDZMR，效率分别达到9.3和11。RTCVDZMR non-active Si substrate=15.12%(北太所)modelling ceramic substrate=10.21

23、%(北太所)Particle ribbon Si=8.25%(广州能源所北太所),低温技术路线以PECVD为代表 优点：工艺温度低，200300，衬底容易获得：玻璃，不锈钢等；缺点：薄膜质量低，晶粒小，纳米极。日本Kaneka公司PECVD玻璃衬底pin结构的多晶硅薄膜电池，效率10；南开大学结合“973”项目PECVD实验室小面积电池正在研制(6%)。,澳大利亚Pacific Solar 公司PECVD玻璃衬底迭层多晶硅薄膜电池，效率6。,(1)玻璃衬底，(2)多层薄膜，(3)第一次电极刻槽(4)第二次电极刻槽，(5)金属化,这种电池是由在铝箔上形成连续排列的硅球所组成的，硅球的平均直径为1

24、.2mm，每个小球均有p-n结，小球在铝箔上形成并联结构。实验室效率达到10%。硅球电池在技术上有一定的特色，但规模化生产仍存在许多技术障碍。,硅球太阳电池,化合物半导体薄膜电池,化合物半导体薄膜电池 GaAs,CdTe,CuInGaSe等的禁带宽度在11.5eV，与太阳光谱匹配较好。同时这些半导体是直接带隙材料，对阳光的吸收系数大，只要达到微米厚就能吸收阳光的绝大部分，因此是制作薄膜太阳电池的优选活性材料。GaAs电池主要用于空间，CdTe 和CIS电池被认为是未来实现低于1美元/峰瓦成本目标的典型薄膜电池，因此成为最热的两个研究课题。,CdTe电池 CdTeII-VI族化合物，Eg1.5e

25、V,理论效率28%，性能稳定，一直被光伏界看重。工艺和技术：近空间升华(CSS)，电沉积，溅射、真空蒸发，丝网印刷等；实验室电池效率16.4%；商业化电池效率平均810；CdTe电池90年代初实现了规模化生产，2002年市场份额为0.3。,我国CdTe电池的研究工作开始于80年代初。内蒙古大学蒸发技术北太所电沉积技术，1983年效率5.8%。90年代后期四川大学近空间升华，“十五”期间，列入国家“863”重点项目，并要求建立0.5兆瓦/年的中试生产线。电池效率达到 13.38。,2)CIGS电池 CIGS是-族三元化合物半导体，带隙1.04eV。70年代中后期波音公司真空蒸发，电池效率达到9；

26、80年代开始，ARCO Solar 公司处领先地位；90年代后期，NREL保持世界记录，19.5%；90年代初起，许多公司致力实现商业化生产 该电池目前处在兆瓦级中试生产阶段，ARCO Solar Simens Shell公司。,我国南开大学、内蒙古大学和云南师大等单位于80年代中期先后开展了CIS薄膜电池研究，南开大学蒸发硒化法电池效率9.13%。“十五”列入“863”重点项目，并要求建立0.3兆瓦/年的中试生产线。目前效率12.1%,几种薄膜电池的效率进展,热光伏(TPV)电池 红外辐射 TPV 电能 应用：工业废热回收等。典型器件：GaSb(Eg 0.67eV),InP,Si,系统：热源

27、辐射器电池 效率：1000K 23，目前。12001700K，10，未来,太阳电池的未来发展趋势,商业化趋势 1998年以前，单晶硅电池占市场主导地位。从1998年起，多晶硅电池开始超过单晶硅跃居第一。非晶硅从80年代初开始商业化，由于效率低和光衰减问题，市场份额先高后低。CdTe电池从80年代中期开始商业化生产，市场份额增加缓慢，Cd的毒性是原因之一；CIS电池的产业化进程比较缓慢，生产工艺难于控制，In是稀有元素；Sanyo公司a-Si/c-Si电池商业化仅两三年，发展迅速。,技术发展趋势1.硅基电池:硅是地球上丰度第二大元素，资源丰富(以石英砂形式存在)；环境友好；电池效率高，性能稳定；

28、工艺基础成熟。硅基电池是目前光伏界研究开发的重点、热点 晶硅电池的产业化技术 硅基薄膜电池,研究开发方向晶硅电池:提高电池/组件效率 高效钝化技术：TiO2，SiNx,H、SiO2,a-Si 高效陷光技术：减反射，表面织构化，背反射 选择性发射区(前)，背表面场(BSF)，细栅或者单面技术，高效封装技术最佳封装材料的折射率等。简化、改进工艺自动化、环保、低成本；如硅片薄化及其工艺，材料的国产化和提高性能。,世界Top 10太阳电池生产厂产量,晶体硅太阳电池继续保持领先地位，占据了90%以上的份额。其中：多晶硅太阳电池的份额为52.3%，单晶硅为38.3%，带硅/片硅电池2.9%。预计今后十年内

29、晶体硅仍将占主导地位。,阻碍光伏产业发展的三大因素,1、太阳级硅材料紧缺。2、光伏发电成本较高。3、还未完全实现市场化，产业和市场的发展依赖于政府制订的光伏激励政策和相关法律。,硅基薄膜电池 低温过程(PECVD)300，非晶、微晶、微非迭层效率、稳定性，柔性衬底，廉价衬底；,化合物电池 CIGS 电池：提高效率，大面积重复性 CdTe电池：提高效率，大面积重复性 Gratzel电池 高效染料，固体或准固态电 解 质，提高效率，大面积重复性 有机电池 高效电子受体 和给体以及材料，提高效率新型概念电池：量子点、量子阱电池，中间带 光伏电池，带隙递变迭层电池等，尚处在理论探索、概念研究和验证阶段

30、。,高效薄膜硅/单晶硅异质结太阳电池的研究,薄膜硅/晶体硅太阳电池结构,薄膜硅,吸收层：单晶硅发射极：薄膜硅 非晶薄膜硅 纳米晶薄膜硅 低温外延薄膜硅前电极：透明导电薄膜背电极：铝膜,1.成本低 结构简单 耗材少 高输出功率/面积比 节省材料 承重小 工艺周期短，耗时少 上下层膜40nm，ITO膜180 nm CVD 及溅射工艺 1小时 低温工艺过程 200能耗小，避免了常规硅电池高温工艺 中氧的聚集，利于电池效率的提高2.性能优异 效率高 实验室效率22.3%，200W组件效率为17%双面HIT电池，比常规硅电池多产生3.2%电能 温度系数(-0.25%/0C)，比常规硅电池的绝对值小(-0

31、.5%/0C)高稳定 无光致衰退效应,薄膜的低温工艺+晶体硅电池的高转换效率,薄膜硅/晶体硅太阳能电池的优势,高效、廉价光伏电池的有效技术路线,世界各研究小组的最好结果,SANYO的22.3%新成果（22th EU PVSEC）,短路电流：39.09 mA/cm2开路电压：725 mV填充因子：79.1转换效率：22.3电池面积：100.5cm2,Sanyo计划在此基础上，截至2010年度，将HIT太阳能电池产品的转换效率从目前的19.7提高到22以上。届时，将力争使转换效率在研究时达到23以上。,Sanyo的薄膜硅/晶体硅太阳电池的发展,1990-1997：七年研发之后投产 获得了巨大的经济

32、效益和社会效益2002年：年产量30 MW2003年：墨西哥建50 MW2005年：匈牙利建50 MW 达到占世界光伏市场6%份额2007年：日本本土达到260 MW,研究生院的HIT电池研究工作,新结构纳米晶硅替代非晶硅,新技术HWCVD设备简单高气体分解率高原子氢含量无离子轰击高沉积速度容易晶化,创新点,特点:*高短路电流*结构相对简单,*电池的结构相对简单*界面处理，降低界面层 缺陷态密度*无离子轰击工艺特点*工艺简单，无织构 未用FZ硅片,电池优点,纳米晶硅代替非晶硅作为发射极和本征缓冲层有效增加载流子收集提高短路电流,H,nc-Si,有效降低界面缺陷密度及提高薄膜层的质量,CZ硅片，面积1.16cm2FF=74.6%；Voc=559mV；ISC=48 mA；=17.27%,电池照片,中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心测试结果,聚焦于：产业化下的高效扩大产能的大面积沉积晶片减薄技术当前正处于进一步提高效率和降低成本的关键技术攻坚阶段。,目前薄膜硅/晶体硅HIT电池研发焦点,世界各国相继投入了大量的人力物力到HIT电池的研发当中，以期获得具有自主知识产权的高效大面积HIT电池产业化的技术路线。,研发的重点：自主知识产权的获得,谢 谢,