模拟电子技术习题(部分).ppt

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1、模拟电子技术习题(部分),教材:模拟电子技术基础(第四版)华中理工大学 康华光主编,制作:安徽理工大学电气工程系黄友锐,第二章习题解答,晶体管器件,A:D导通,VAO=6VB:D截止,VAO=12VC:D1导通,D2截止,VAO=0VD:D1截止,D2导通,VAO=6V,解题的原则:先断开二极管,计算二极管连接点的电位高低。A:VA=1V,VB=3.5V,D 截止B:VA=1V,VB=1.5V,D 截止C:VA=1V,VB=0.5V,D 临界状态,A:B:,第三章习题解答,基本放大电路,模拟电子习题3,解题要点:先确定发射结(三极管放大,则正向电压0.20.3V或0.60.7V)及集电极,就可

2、以知道管子的材料及类型。在本题中:A:为集电极且电位最低,所以管子是PNP型,B发射极,C基极,三极管是锗材料。,习题,三极管各极电流关系:IE=IC+IB所以,A为集电极,B为基极,C为发射极。管子为NPN型,,习题,IC=PCMVCE=15mA若IC=1mA,则VCE不得超过30V。,习题,不能放大,电源接反、发射结短路。能。不能,Rb接错。不能,VCC接反,习题,A位置:IB=(12-0.6)/40K=0.285mA,IC=22.8mA,VCE0V,因此管子饱和,实际IC=3mAB位置:IB=(12-0.6)/500K=0.0228mA,IC=1.824mA,VCE=4.7V,管子工作在

3、放大区。C位置:发射结反偏,截止,IC=0。,习题,(a):放大。(b):放大。(c):饱和。(d):截止。(e):饱和。,习题,VCC=6V,IBQ=20A,ICQ=1mA,VCE=3V;Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(300K),RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;Vom=1.5V,ibMAX=20A,习题,IBQ=0.04mA,ICQ=2mA,VCEQ=4VH参数等效电路,3.rbe=300+26/ICQ=9504.AV=-50RL/rbe=-1055.AVS=-AVRi/(Ri+RS)=-68.8,习题,IB=IC/1mA/20=0.05mA,Rb=12V/0.05mA

4、=240K,rbe=300+26/ICQ=820,|AV|=RC/rbe=100,得RC=4.1K。VCE=12V-1mA4.1K7.9V,习题,1.计算Q点:IBQ=-(12V-0.7)/0.3M=0.038mAICQ=-0.038-3.8mA,VCEQ=-4.4V2.H参数等效电路,图中rbe=984,AV=-100RL/rbe,Ri=Rb/rberbe,Ro=2K截止失真,减小RB,习题,IBQ=(VCC-VBE)/R1,ICQ=IBQ,VCEQ=VCCICQ(R2+R3)AV=-RL/rbe,式中RL=R2/RL Ri=R1/rbe Ro=R23.C3开路,AV,Ro都增大,习题,IB

5、Q=(12-0.7)/750K=15A,ICQ=0.01560=0.9mA,VCEQ=12-0.96.8=5.88V;75度时,75,VBE=0.6V,IBQ=(12-0.6)/750K=15.2A,ICQ=0.015275=1.14mA,VCEQ=12-1.146.8=4.25V;=115,IBQ=15,ICQ=1.725mA,VCEQ=0.27V,饱和,习题,VBE=10Rb2/(Rb1+Rb2)=4.28V,IEQICQ=(4.28-0.7)/2K=1.79mA,VCEQ=10-1.79(2K+2K)=2.84V,rbe=1.75K,AV1=-ri/(ri+RS)RL/rbe+(1+)R

6、e=-0.98 ri/(ri+RS),AV2ri/(ri+RS)3.ri=Rb1/Rb2/(rbe+1012K)8.5K,4.Ro1=2K,Ro2=(RS/Rb1/Rb2+rbe)/(1+)/Re,习题,IBQ=(12-0.7)/(Rb+51Re)=21.7A,ICQ=IBQ=1.086mA,VCEQ=-6.5V,rbe=1.5KAV1,Ri=Rb/(rbe+51Re/RL)90K,Ro=Re/(RS/Rb+rbe)/(1+)=39Vo=Ri/(Ri+Ro)Av Vs200mV,习题,|AVM|=60db=1000(倍),fL=100Hz,fH=100MHzf=fH=fL时,|AVM|=57d

7、b,第五章习题解答,功率放大器,P220,(1):POM=VCC2/2RL=4.5W(2):PCM0.2POM=O.9W(3):每个管子的耐压:V(BR)ceo24V,(1):POM=VCC2/2RL9W VCC 12V(2):ICM 1.5A,|V(RB)CEO|24V(3):PV=2VCC2/(RL)=11.5W(4):PCM 1.8W(5):Ui=8.5V,(1)(2),单电源功放的功率计算:POM=9W,则VCC24V,静态时C2的电压6V,调R1增大R2损坏T1,T2,此电路属于OCL 功放POM=152(28)=14W78.5%,第六章习题解答,差动放大器与集成运放,第六章习题,P

8、270 解:(1),(2),Io=2mA,Ic1=Ic2=1mA,IB1=Ic1/=10A,Vce=5VVo=AVD(vi1-vi2)=860mV,式中:RL=5.6K:,4.Rid=2rbe+(1+)Re1=26K,Ric=rbe+(1+)Re/2+(1+)ro=10MRo=11.2K,RL=,vo2=0.02AVD/2=430mV RL=5.6K,Vo2215mVAVD2=21.5,3.Rid=26K,Ric10M,Ro2=5.6K,求Q点 VR2=9V3K/(3K+5.6K)=3.14V,Ic3=2mA,Ic2=Ic1=1mA,VceQ=5V,rbe1=rbe2=1.6K,RAB=311

9、8K2.,求Q:IC3=1mA,VB3=9V,VC2=8.3V,IE=2IC2=0.74mA,IC2=0.37mA,VCEQ3=9V,VCEQ2=9V,Re2=5.27K,rbe1=rbe2=300+26(1+)/2=3.9K,rbe3=2.4K,ri3=rbe3+(1+)Re3=245K,2.AV,Vi=5mV,Vo=955mV AV=95.5,第七章习题解答,反馈放大器,(a):电压并联交直流负反馈,反馈元件R2,习题7.1.1,7.1.2(P314),(b):Rf1,Rf2,C 电压并联直流负反馈 Re1 电流串联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314),(c):Rf,Re2

10、电流并联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314),(d):R1,R2 电压串联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314),(e):A2,R3电压并联交直流负反馈,习题7.1.1,7.1.2(P314),习题7.1.1,7.1.2(P314),(f):R6 电流串联交直流负反馈,对于并联负反馈,Rs要求越大越好;对于串联负反馈 Rs 要越小越好;因此,(a):Rs 要小,(b):Rs 要大,(a)(b),Rf1引入电流串联负反馈,使rif提高,Rf2引入电压并联负反馈,使rif降低。,2.拆去Rf2虽然可提高输入电阻,但整体性能下降,解决的办法是将Rf2的左端改接到T2集电

11、极。,(a):不可能,因为是正反馈,应交 换运放正负极。(b):不能,应交换R 和RL,(a)(b),(1):反馈类型:电流并联负反馈。,(2):输出电流的计算,(3):该电路为压控电流源,(1):电压串联负反馈:i-h,j-f,d-GND,a-c,电路看成电压串联负反馈,若Vo=2V,则Vi=100mV,Vf=99mV,Vid=1mV,电路为电压串联负反馈,ri很高,ro很低,第八章习题解答,运放的应用,习题8.1.1 P375,A1、A2为电压跟随器,A1、A2、A3、A4均为电压跟随器,Vs=I1R1,I1=I2Vm=I2R2=I1R2=VSR2R1 I4=VM R4=R2VS(R1 R

12、4)=I1R2R4VO=I3R3+VM=(I1+I4)R3+VM=I1(1+R2/R4)R3I1R2=(R2+R3+R2R3/R4)VS/R1VOVS=(R2+R3+R2R3/R4)R1,(1):(2):,(3):功能:,(2):波形图,(1):输入输出特性,取绝对值运算、小信号整流。,第九章习题解答,波形发生器,习题9.2.1 p429,(a):不能,因为是反相放大器(b):能,(1):能。(2):Rf2Re1,f=1/2RC=58.5Hz(3):Re1 正温度系数,Rf 负温度系数,(a):能(b):不能,R2断开,则输出变成方波,输出电压10V,峰峰值20V,R1=2K,Rf=2R1=R

13、P+rd/4.5K RP=4K0.5K/4.5K=3.55K,(a):不能,负反馈(b):能,正反馈,共基极(c):不能,负反馈,共基极(d):能,正反馈。,(a):不能(b):能,电容三点式(c):不能,(1):(2):,(3):这种电路的主要作用是减小三极管结电容对频率的影响,(a):电感三点式(b):电容三点式 只有在石英晶体的串联谐振频 fs 率才能满足振荡条件。,在串联谐振频率下振荡,因为只有在此频率晶体才能等效于电阻。采用结型场效应管的可控电阻Rds实现稳幅,反馈线路中应串入一个电容,第十章习题,直流稳压电源,习题10.1.1 P471,(1):波形,(2):VL=0.9V2,IL

14、=VL/RL,(3):ID=0.5IL,VRM=2 V2,(4):V2A=V2B=VL/0.9=33V,ID=IL/240mA 可选100V、100mA以上的二极管,::,(1):可选择50V、0.5A的二极管(2):可选35V50V、1000F电容,(3):V2=20V,I2=0.481.5=0.72A,(1):如果DZ接反,Vo=0.7V;如果R短路,会烧坏DZ等元件.(2):V2=VI/1.2=15V,Vo=6V(3):Ro=20/1K20,Vo/Vi=0.02(4):,(1):错误:D1、D4、DZ1、DZ2接反;运放输入端交换,漏接电源。(2):VI=1.2V2=24V T1、R1、DZ2为电流源。(3):VA=24V,VB=12V,VC=VD=6V,VE=13.4V,VCE3=12V(4):电压调节范围:9V18V。,Io=24V/R1,Vo=Io(R1+R2)如果R1固定,电路可起稳流作用。但此电路的稳流效果并不理想。(见题10.2.7),当R从0.8到120,则Io的 变化范围:1.5A 10mA。2.R=1.2V/50mA=24(原题有误),

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