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1、制 程 简 介,晶 圆 切 割 流 程 示 意,绷 片,切 割,UV照射,拣 片,Page(10)of(20),什 么 是 切 割？,晶圆切割（Die saw)，有时也叫“划片”(Dicing)。一个晶圆上做出来的独立的IC有几百个到几千个甚至上万个，切割的目的是将整个晶圆上每一个独立的IC通过高速旋转的金刚石刀片切割开来，为后面的工序做准备。,Page(11)of(20),绷 片,绷片（Wafer Mounter)是一道辅助工序，主要是给晶圆的背面贴上一层有弹性和一定粘性的蓝膜，并固定在一个直径稍大的金属框架上，以利于后面的加工。为了避免粘贴不牢靠而造成切割过程中的飞片问题，在绷膜的过程中要
2、加6080度的温度。,晶圆,FRAME,蓝膜,Page(12)of(20),绷 片 的 重 要 性,在切割的过程中，刀片的转速往往达到几万转/分钟，而切割道的宽度往往只有几十到一百微米，所以对于设备的要求也是很高的。如果前面绷膜的时候晶圆粘贴不牢靠或者有气泡存在，切割开来的硅片（Die）就会从蓝膜上飞出来，称作飞片。,Page(13)of(20),绷 片 的 重 要 性,飞片是非常危险的，第一是会造成成品率的下降，第二是飞出来的硅片可能会造成临近硅片的物理损伤。这就是为什么刀片需要这么高的转速的一个原因。,半 自 动 绷 片 机,Page(14)of(20),切割机 A-WD-200T,特点：
3、High ThroughputHigh Cutting QualityHigh ReliabilityEasy Operation,Page(15)of(20),切割过程的简单介绍,我们选用的这台切割机是全自动切割机。在自动生产前，先手动送进一片Wafer量测切割道宽度，AL pad 大小，并检查确认Die size等。我们叫“教读”的过程，实际就是人机对话，由操作者通过参数的设定来告诉机器你要怎么样来切，模拟切割一次，参数都调好以后再进行全自动切割。值得一提的是在切割过程中我们又会用到一台辅助的设备叫CO2纯水机。因为切割中要用DI水来冲去切割产生的废渣，同时释放切割中产生的静电，避免对器件
4、产生危害，这台CO2纯水机就是通过特定的方法将CO2气溶于DI水中来降低水的阻抗，从而释放静电。,Page(16)of(20),大家知道晶圆很薄很脆，切割道又很窄。所以在切割时就要控制产生chipping的大小，脆崩太大，IC就有可能报废。我们的切割机是双刀，在切割时一般采用分步切割的方法。,切割机的双刀分步切割,Page(17)of(20),紫 外 线 照 射,UV SYSTEM,Page(18)of(20),为什么要用UV照射？,前面提到在绷片时要求膜的粘性够强，才能使切割时不致造成飞片。但下一步工序中要把切割好的IC挑选出来放到特定的容器Tray盘中。那就要求膜的粘性不能太大，否则会给挑选增加难度。选用UV膜的好处是，不经UV照射时膜的粘性很强，而经过UV照射后又可使其粘性下降，恰好满足了我们的工作要求。而这一步的UV照射时间和UV照度的控制，则是一个技术关键。,Page(19)of(20),拣片（CHIP SORTING）,这是一台全自动的芯片挑选机。其主要功能就是将好的芯片从切割好的的膜上拣出来放到Tray盘中。简单来说，就是用顶针在蓝膜下将CHIP 顶起来，上面用真空吸嘴将CHIP一个个地吸起，然后放入Tray盘中。,Tray盘,NEEDLE,COLLET,TAPE,CHIP,Page(20)of(20),The End,谢谢各位！,
