蒸发法薄膜制备.ppt

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1、平均自由程的定义及公式，物理含义三种常见的真空泵，它们的特点及具体应用。常见真空计的类型及使用范围现有机械泵、分子泵，请将他们按适当的顺序连接到真空制膜腔体上（画图），并说明理由。,第一章 薄膜技术基础作 业,第二章、真空蒸发镀膜,1.真空蒸发原理2.蒸发特性及膜厚分布3.蒸发源的类型4.合金及化合物的蒸发5.膜厚和淀积速率的测量与监控,物理气相沉积,定义 物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)是利用某种物理过程，如物质的热蒸发或在受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。,特点（与CVD相比）,(1)需要使用固态的

2、或者熔融态的物质作为沉积过程的源物质；(2)源物质经过物理过程而进入气相；(3)需要相对较低的气体压力环境；a)其他气体分子对于气相分子的散射作用较小 b)气相分子的运动路径近似为一条直线；c)气相分子在衬底上的沉积几率接近100。(4)在气相中及在衬底表面大多不发生化学反应,1.真空蒸发原理,定义：简称真空蒸镀，在真空腔室中加热原材料，使其以原子或者分子的形式逸出（熔化升华），形成蒸气流，入射到基片表面并凝结成连续薄膜的方法。,主要部件,(1)真空室(2)蒸发源(3)基板(4)基板加热器及测温器等：,真空蒸发的过程,蒸发逸出,粒子输运,凝聚成膜,凝聚相气相。该阶段的主要作用因素：饱和蒸气压,

3、蒸气流在蒸发源与基片之间的飞行,该阶段的主要作用因素：分子的平均自由程,凝聚成核核生长连续薄膜,真空蒸发镀膜的特点,1.真空蒸发原理决定因素,饱和蒸气压：气液平衡称为饱和，饱和状态的气体与液体分别称为饱和气体与饱和液体，该状态下的压力称为饱和蒸气压。,平衡,气相与液相的能量、质量交换相等,一定温度下，气态与液态分子数目交换相等,真空蒸发近似平衡过程，需保持真空与温度,常识,气与汽不一样,临界温度与室温相比不同,室温下，汽可压缩成液体，气不可压缩成液体,蒸气压方程控制温度与压强,Step1：克拉伯龙克劳修斯方程,Pv饱和蒸气压，Hv摩尔气化热或者液化热，V摩尔体积,Step2：忽略液体体积,气体

4、状态方程,Step3：代入克克方程,Step4：解微分方程,安托万方程安托万常数,100Pa以下适用,蒸发温度,定义：饱和蒸气压为10-2托时的温度。由此，蒸发材料分为两种：1）蒸发：蒸发温度大于熔点，大多数金属2）升华：加热温度小于熔点，如Cr、Ti、Mo、Fe等,1.真空蒸发原理决定因素,蒸发速率：单位面积上，单位时间内从气相到达固相表面并能够停留的分子数。,碰撞频率,逸出几率,当=1，Ph=0时，蒸发速率最大,如何获得最大蒸发速率？,1.基片足够清洁，减少逸出；2.冷却基片（特殊情况除外）；3.升高蒸发源温度，增大蒸气压。4.提高背底真空度，增大蒸发系数。,蒸发系数Ph液体静压,(个/m

5、2s,Pa),以质量表示的最大蒸发速率,(kg/m2s,Pa),温度、饱和蒸气压变化，引起蒸发速率变化，但是温度决定饱和蒸气压，故而温度决定蒸发速率,这里的温度是沉积腔内蒸气的温度，因此接近蒸发源的温度，但不是基片的温度。,例,注意,实验室温度条件下采用真空蒸发沉积银膜，黏附系数为1,求真空沉积腔内的压强为1Pa时的蒸发速率,解：查表得1Pa下蒸发温度分别为1300K：,(kg/m2s,Pa),温度变化对蒸发速率的影响,在高真空条件下，原材料的蒸发温度比较低，蒸发比较容易，真空腔内其他分子数所占比例非常小，主要以蒸发气体分子为主，所以可以近似认为蒸发系数等于1；并且基片足够清洁时黏附系数也等于

6、1。,例,已知铝的蒸气压与温度的对应关系如下表:,求在102Pa蒸气压下，温度变化1%时蒸发速率的变化,解：将上表值代入公式：,可求得多个B值，求平均，得B值为1.559104,根据公式：,102Pa下,说明,蒸发源温度影响巨大，必须严格控制蒸发温度！,1.真空蒸发原理决定因素,讨论,Pv,Pb,背底真空度与饱和蒸气压有何关系？,（1）PbPv,（2）PvPb是能够成膜的关键,（3）保持高真空，以使在较低的蒸气压下就可以蒸发成膜，也可以降低能耗。,（4）蒸气分子要与残余气体分子碰撞，两者都可能与基片碰撞。,决定因素蒸气分子平均自由程与碰撞几率,（1）蒸气分子的平均自由程,各符号的意义:n，d，

7、P，T,注意,n：蒸气分子与残余气体分子碰撞，忽略蒸气分子之间的碰撞,残余气体分子密度,d：碰撞截面直径，蒸发分子小,蒸发分子直径,P：蒸发分子已脱离蒸发源表面,腔内压强(真空),T：蒸发分子温度，但远离蒸发源,略低于蒸发温度,讨论,平均自由程与源基距的关系,工作时，沉积腔内的压强在0.10.01Pa范围，蒸气温度在10001500K，分子直径约10，算出约为550cm。,（1）可以采用高真空使得远大于沉积腔尺寸，蒸气分子几乎不发生碰撞到达基片，但是压强越低，蒸气分子密度越小。（2）可以缩短源基距使蒸气分子顺利达到基片，但薄膜生长不易控制，受蒸发源影响大。,（2）蒸气分子与残余气体分子的碰撞几

8、率,表示蒸气分子飞越x距离后，与残余气体的碰撞几率,(1)增加10倍，f减小7倍,(2)若要求f0.1,源基距为25cm则P 310-3Pa,2.真空蒸发制膜的纯度,残余气体的组成及其影响。大气的残余物（O2、N2、CO2、H2O），扩散泵油蒸气，真空室吸气。当P10-4Pa时，主要为真空室吸气。水汽易与金属膜反应，或与加热器材料反应。在设计优良的系统中，扩散油蒸气不明显。,影响薄膜纯度的因素：1.蒸发源物质的纯度；2.加热装置、坩埚的污染；3.残留气体的污染。,残余气体杂质浓度公式,讨论,是否可从蒸发速率公式、气体碰撞频率公式，粘附系数出发，推导公式？,蒸发速率虽然可以认为是沉积（生长）速率

9、，但公式中各参数难以确定。,通常可以通过实验确定厚度沉积速率s(/s),(1)以原子个数表示的沉积速率:,(2)杂质原子的粘附系数为1，则杂质原子的沉积速率即为碰撞频率:,(3)两者相比可得杂质浓度公式:,提高纯度的措施：1.提高本底真空度，蒸发可比溅射低5个数量级2.提高沉积速率，蒸发比溅射高1个量级以上,3.蒸发制膜的厚度分布及蒸发源特性,假设：1蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；2在蒸发源附近的蒸发原子间也不发生碰撞3蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象,影响膜厚分布的因素：A蒸发源的特性；B基板与蒸发源的几何形状，相对位置,(1)点蒸发源膜厚分布,点蒸发源dS以每秒m克向各方

10、向蒸发，则处于立体角d中的蒸发量dm为:,到达ds2面的蒸发速率，若黏附系数为1，即为沉积速率。,假设厚度沉积速率为t，膜的密度为,上式说明了源基距为h，偏离基片中心x距离时的厚度，很显然，当源基距一定时，x=0处，即处于基片中心的膜厚t0最大：,膜厚分布:,源基距、基片尺寸对膜厚分布的影响,讨论,t/t0,h,t/t0,x,基片尺寸一定时,源基距一定时,(2)小平面蒸发源的膜厚分布,特点：射入小孔的分子方向不改变在角方向蒸发的材料质量与cos成正比,半球面,(余弦散射定理),=,点源与小平面蒸发源相比，厚度的均匀性要好一些 但淀积速率要低得多，单位质量的原料所得膜厚1/4,课堂思考,1.结合

11、物理气相制膜的特点，说明为什么制备薄膜时需要真空？,4.蒸发源与基板的相对位置配置,(1)点源,蒸发源放在球心，基板放在球面上，可得到均匀薄膜。,x=0,h,(2)小平面蒸发源,蒸发源、基板放在同一球面上，可得到均匀薄膜。,5.蒸发源的类型,最常用的加热方式：电阻法、电子束法、高频感应激光,一、电阻蒸发源,蒸发源材料的要求1）熔点要高，熔点要高于被蒸发物质的蒸发温度（多在10002000）；2）饱和蒸气压低，减少蒸发源材料蒸气的污染.要求：蒸发材料的蒸发温度低于蒸发源材料在平衡蒸气压为10-8托时的温度。3）化学性能稳定，不与镀料反应。4）耐热性好，热源变化时，功率密度变化较小。5）经济耐用。

12、,金属电阻蒸发源材料,加工性：,W最差，室温很脆，需400高温退火Mo好Ta最好,金属蒸发源与镀料的反应,例子：钽与金；铝、铁、镍、钴等与钨、钼、钽。改进方法：陶瓷坩埚,陶瓷坩埚的性能,镀料熔化后，若有沿蒸发源扩展的倾向时，两者是浸润的。反之，是不浸润的。浸润时，为面蒸发源，蒸发状态稳定。不侵润时，为点蒸发源，若用丝式蒸发源时镀料易脱落。,镀料与蒸发源的浸润性,各种形状的电阻蒸发源,1）丝式,a)、b)要求浸润性，镀料为丝状。但浸润好意味着有轻微合金化，只能用1次。c)不要求浸润性，镀料可丝状、块状蒸发加热丝的直径：0.5-1mm，特殊1.5mm,多股,2）蒸发舟,用金属箔制成，箔厚mm，可蒸

13、发块状、丝状、粉状镀料注意避免局部过热，发生飞溅,3）外热坩埚,二、电子束蒸发源,定义：将镀料放入水冷铜坩埚中，利用高能电子束轰击镀料，使其受热蒸发。,电阻蒸发源的缺点 1）不能蒸发某些难熔金 属和氧化物 2）不能制备高纯度薄膜,电子束加热的特点,一、优点：1）采用聚焦电子束，功率密度高，可蒸发高熔点 镀料（3000以上）如W，Mo，Ge，SiO2，Al2O3等。2）采用水冷坩埚，可避免坩埚材料的蒸发，及 坩埚与镀料的反应，制得高纯度薄膜。3）热量直接加在镀料上，热效率高，传导，辐射 的热损失少。,二、缺点：1）电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二 次电子会使蒸发原子和残留气体电离，影响 膜

14、层质量。2）多数化合物在受到电子轰击时会部分分解。3）设备结构复杂，昂贵。4）当加速电压过高时产生软X射线会对人体有伤 害。,4）电子束蒸发源的结构,环形枪：环状阴极发射电子，结构简单缺点：阴极与坩埚近，阴极材料的蒸发污染；阴极与坩埚加有高压，导致闪火、辉光放电，并随蒸气压力和电压增加，导致功率、效率上不去。,直枪,轴对称的直线加速电子枪，阴极发射电子，阳极加速，缺点是体积大，成本高，蒸镀材料会污染枪体，灯丝逸出的Na+离子污染膜层。,偏转枪,偏转180,偏转270，e型枪,e型枪优点,1）电子束偏转180 以上，多为270，避免了镀膜材料对枪体的污染，并给镀 膜留出了更大的空间。2）收集极使

15、正离子对膜的影响减少。3）吸收极使二次电子对基板的轰击减少。4）阴极结构防止极间放电，又避免了灯丝 污染。5）可通过调节磁场改变电子束的轰击位置。,三、高频感应蒸发源,原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的感应下产生涡流损失和磁滞损失（对铁磁体）而升温蒸发。,二）特点：1）蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右。2）蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象。3）镀料是金属时可自身产生热量，坩锅可选用与蒸发材料反应最小的材料。三）缺点：1）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通讯产生影响。2）线圈附近压强超过10-2Pa时，高频电场会使残余气体电离。3）高频发生器昂贵。

16、,四、激光蒸发,优点：1）加热温度高，可蒸发任何吸收激光的材料（如石墨，熔点为3500）。2）采用非接触式加热，避免了蒸发源的污染，非常适宜于制备高纯薄膜。3）蒸发速率可极高（如Si可得到106/s）。4）方便于多源顺序蒸发或多源共蒸发。,定义：利用高能激光作为热源来蒸镀薄膜的方法。,激光器,准分子激光的特点：波长短、脉宽短、频率低,CO2激光连续激光,材料表面温度：,P:激光功率r:反射率d:光点直径k:导热系数例：P=100W,r=0，d=1mm,k=50W/mk石墨表面1000，改用粉末状镀料，导热系数下降1个量级,脉冲激光,特点：闪烁蒸发，有利于控制化学成分和防止分解；又由于材料气化时

17、间短，不足以使周围材料达到蒸发温度，所以不易出现分馏现象。,脉冲激光烧蚀（Pulsed Laser Ablation）,定义：将准分子激光器所产生的高强度脉冲激光束聚焦于靶材表面，使之产生高温并熔蚀，并进一步产生高温高压等离子体，等离子体作定向局域膨胀发射并在衬底上淀积形成薄膜。,PLA成膜过程,1.激光表面熔蚀，使蒸发粒子和等离子体产生2.蒸发粒子和等离子体的定向局域等温膨胀发射 3.在基板上沉积形成薄膜,(1)激光与靶的作用过程,高强度脉冲激光照射靶材时，靶材吸收激光束能量并使束斑处的靶材温度迅速升高至蒸发温度以上，使靶材气化蒸发并电离，从而形成局域化的高浓度蒸发粒子与等离子混合体。在纳秒

18、级短脉冲激光的作用期间，靶体内束斑处原子的扩散和液相的对流来不及发生，靶材的各组份元素一致气化，不出现分馏现象。,(2)等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射,靶表面等离子体区继续吸收激光的能量，产生进一步的电离，等离子体区的温度和压力迅速升高，以等温（激光作用时）和绝热（激光终止时）膨胀的方式沿靶面轴线向空间中传播，传播的速度可高达105106cm/s，具有瞬间爆炸的形式，在空间中形成细长的等离子体羽辉。羽辉的空间分布可用高次余弦cosn描述，为相对靶面法线的夹角。n的典型值为510，视靶材而异。,(3)在基板上沉积形成薄膜,在绝热膨胀的等离子体遇到靶对面的基板后即在上面凝结形成薄膜。等离子体能

19、量在10103eV之间，其最可几分布为60100 eV，远远高于常规蒸发和溅射产物的能量。,PLA的主要特点,(1)PLA法可以生长和靶材成份一致的多元化合物薄膜，甚至是含有易挥发元素的多元化合物薄膜。其原因有三：第一，由于采用闪烁蒸发，脉冲作用时间短，重复频率低，表面熔蚀区只有110m，而靶的其他部分（包括夹具、垫板等）处于绝热状态，不受激光加热的影响，保证了蒸发原子与靶材的一致性。第二，由于等离子体的瞬间爆炸式发射，以及等离子体沿轴向空间的约束效应，防止了在输运过程中可能出现的成份偏析。第三，成膜的的原子、分子和离子具有极快的运动速度，增强了原子间的结合力，消除了由于不同种类原子与衬底之间

20、粘接系数不同所引起的成份偏离。,(2)准分子激光波长短，其辐射频率位于紫外波段，易于被金属、氧化物、陶瓷、玻璃、高分子材料和塑料等多种材料吸收。用其加热可以达到极高的温度，可蒸发任何高熔点材料，并且可以获得很高的沉积速率(1050nm/min)。,蒸发粒子与等离子混合体能量高，入射原子在衬底表面的扩散剧烈。并且由于脉冲频率低，使得成膜原子的扩散时间也足够长。因此薄膜的附着力好，易于在低温下实现外延生长，特别适合于制作高温超导、铁电、压电、电光等功能薄膜。,由于等离子混合体具有极高的前向速度，真空室中残留气体的散射作用相对减弱，因此PLA往往不要求在高真空下进行（例如，制备YBa2Cu3O7-高

21、温超导薄膜的本底真空通常为10Pa），简化了设备，缩短了生产周期。,PLA的缺点：(1)薄膜表面存在微米-亚微米尺度的颗粒物；(2)制备的薄膜面积较小；(3)某些靶膜成分不一致。,实际蒸发源的特点：,点源：电子束，激光蒸发小平面：蒸发舟，陶瓷坩埚（浸润）,6.合金及化合物的蒸发,一）合金的蒸发,关键点：如何控制成分,其中：GA、GB为蒸发速率；为饱和蒸气压,A、B两组份蒸发速率之比为：,但 不知，假设合金中各成分的饱和蒸气压服从拉乌尔定律,nA、nB：合金中A、B组分的摩尔数,PA，PB为各组分单质的饱和蒸气压,所以式中WA、WB为重量比 上式说明当合金成分一定时，各组元的蒸发速率与 成正比。

22、,例：1527时蒸发镍铬合金（Ni80%，Cr20%）。Pcr=10-1TorrPNi=10-2Torr 在蒸发初期，富铬，导致薄膜有良好附着力。,活度系数,绝大多少合金的Z不等于1，意味着成分偏析。Z主要受合金成分的影响。Z=1的例子，坡莫合金,活度修正,经时变化（Z1）,设蒸发初期，易蒸发成分A优先蒸发，考察表面成分1）扩散速度蒸发速度，蒸发面表面成分不变，薄膜 成分恒定，可由上式计算；,2）扩散速度蒸发速度，蒸发面表面缺A，不久就会形成成分B的优先蒸发沉积，制得的薄膜由富A相向富B相连续变化。特别时当发生升华或从高温溶液中急速蒸发时。,（1）瞬时蒸发法,又称“闪蒸法”，将细小的合金颗粒，

23、逐次送到非常炽热的蒸发器中，使颗粒在瞬间完全蒸发。,常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。关键是选取粉末料的粒度，蒸发温度和进料的速率。,（2）双源或多源蒸发法,将合金的每一成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发速率，以控制薄膜的组成。为了使膜厚均匀，通常需要旋转。,二）化合物的蒸发,化合物的蒸发方式有三种：（1）电阻加热法；（2）反应蒸发法；（3）双源或多源蒸发法分子束外延。,电阻加热的缺点：A）化合物的熔点较高，电阻加热温度不够。B）许多化合物在高温下会分解，如Al2O3，TiO2等会失氧。C)有些化合物饱和蒸气压低，难于用电阻蒸发法。,反应蒸发法,原理：将活性气体

24、导入真空室，使之与被蒸发的金属原子，低价化合物分子在基板表面反应，形成所需化合物薄膜。,：,例：Al（蒸发）+O2（活性气体）Al2O3 Sn（蒸发）+O2（活性气体）SnO2 Si（蒸发）+C2H2（活性气体）SiC 反应的位置：A）蒸发源表面，会降低蒸发速率，尽量避免B）源与基片之间，由于气压为10-2Pa，=50cm反应的几率很小。C）基片表面，气体的吸附时间比空间中气体 原子与蒸发原子碰撞的驰豫时间长得多。在 安装上将气体直接喷到基片表面。,参见P45表2-7,三）特殊的蒸发法（1）电弧蒸发法,在高真空下，将镀料做成两个棒状电极，通电使其发生电弧放电，使接触部分达到高温而蒸发。,特点,

25、优点：可蒸发高熔点材料，克服了电阻加热可能存在的污染及反应，又比电子束蒸发便宜。不足：适用于导电材料，蒸发速率难以控制，放电时飞溅的电极材料微粒会对膜层有影响。,（2）热壁法,1）蒸发在石英管中进行，通常石英管温度比基片高，使蒸发原子、分子通过石英管被导向基板，生成薄膜。2）是个热平衡过程，可制备外延薄膜，但可控性、重复性差。,7.膜厚和淀积速率的测量与监控,一）膜厚的分类（1）形状膜厚dT 薄膜表面是凸凹不平的，存在着一个平均表面，平均表面到衬底的距离，称为形状膜厚。,（2）质量膜厚dM,通过称重等方法得到薄膜的质量，除以块材的密度得到的膜厚，由于薄膜中存在气孔、空孔、吸附气体，晶界等缺陷，

26、密度小于块材。因此dM dT。,（3）物性膜厚dp 通过测量一种物理性质（如透射率，电阻率等）在薄膜中的变化，与块材相比，得出的膜厚。通常：dTdMdP,二）称重法,（1）微量天平法,将微量天平置于真空室中，基片吊在天平横梁的一端，称 出随膜的淀积而产生的天平倾斜，进而积分得到薄膜质量，求得膜厚。,优点：原位测量法灵敏度高，则测量质量误差可达2ug，若采用间接称重法，由于薄膜会立刻吸附水气，精度要差12个数量级。缺点：不能测量膜厚分布，只能得到平均膜厚，由于薄膜密度小于块材，膜厚偏小。,特点,（2）石英晶体振荡法,原理：利用石英晶体的振荡频率随晶片厚度变化的关系，在晶片上镀膜，测频率的变化，就

27、可求出质量膜厚。,数学关系,固有频率：,v：厚度方向上弹性波的速度，,切变弹性系数,，N为频率常数，只与晶体的切向有关,求导，得：,若在蒸镀时石英晶体上接收的淀积厚度为dx(质量膜厚)，则相应的晶体厚度变化为,优点：原位测量法，引入时间的微分电路，还可测薄膜的生长速度，灵敏度高，20HZ左右，相应于石英的质量膜厚为12埃。缺点：（1）只能得到平均膜厚；（2）当石英晶片与蒸发源位置改变时，需校准；（3）在溅射法中测膜厚，易受电磁干扰；（4）探头温度不能超过80。,特点,三）电学方法,（1）电阻法（适用于金属膜）,RS；方阻，与正方形尺寸无关（/口）a：薄膜电阻体宽度,四探针测方阻，电阻率 误差5

28、%,（2）电容法（适用于介质膜）,需制上、下电极，且不能进行实时监测。,（3）电离式监控计,原理类似于B-A型电离真空计：传感规的离子电流大小与蒸汽的密度成正比。用一只传感规测出蒸发物蒸气与残余气体离子电离的大小；用另一只补偿规测出残余气体的离子电流，两者相减，可得蒸发速率。,用于监控沉积速率，仅适用于真空蒸发,四）光学方法,R：反射率；：吸收系数 特点：（1）只适用于连续的薄膜；（2）可用于检查膜厚的均匀性；（3）并非所有材料的吸收都符合上式,（1）光吸收法,（2）光干涉法,单色光从薄膜上、下表面反射，当膜厚导致的光程差为n倍时，会发生干涉。,光程差为：nc(AB+BC)AN又，折射定律：,

29、光程差,极值出现在：,n1n2，极大值n1n2，极小值,金属膜吸收太强，不适用。,透明薄膜厚度的测量,测试条件：单色光、垂直入射，反射光强度将随膜厚而周期变化。,单色平行光照射到楔形薄膜上，反射后，会在固定的位置产生干涉的最大和最小，所以可观察到明暗相间的平等条纹。,2.2 不透明薄膜厚度的测量 等厚干涉条纹法,若膜厚不均，干涉条纹也就不规则。若膜厚有台阶，干涉条纹出现台阶，显然相邻干涉条纹间相差/2。,反射镜,用曲率半径很小（um）的蓝宝石或金刚石触针，在薄膜表面上移动，而记录下表面的起伏。常用的信号记录方法有：1差动变压器法，触针牵动铁芯上下移动，由线圈输出差动电信号。2阻抗放大法 触针上

30、下移动使电感器间隙d发生相应变化，使得阻抗改变。,五、触针法,应用时注意：1）不能用于软质膜，否则触针会穿透薄膜，导致极大误差。2）基片不平整会产生“噪声”误差。3）被测薄膜与基片之间必须有膜-基台阶存在，才能进行测量。,3压电元件法 触针上下移动时，作用在压电晶体上的力随着改变，从而使输出电信号改变。,作业,1）蒸发Al薄膜的沉积速度为1m/min，基板温度为25，测得薄膜中氧气的含量为10-3，求真空系统中氧气的分压是多少？（所需各种参数请自己查）2）采用微小平面蒸发源沉积薄膜，要求在直径为30mm的基板上薄膜的厚度的差别小于10，求基板应距离蒸发源多远放置？3）3源反应蒸发法沉积YBa2Cu3O7薄膜，若Y的蒸气压为10-4托，则为了获得化学计量比的薄膜，O2的分压应该多少？（O2的温度是300K,Y的温度1620K，Y、O的原子量分别为88.9、16.0）,