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1、Mosfet的介绍：,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,绝缘栅型场效应管,1.mosfet的符号（以N沟增强型为例）：,G：栅极 D：漏极 S：源极,符号：,Mosfet的输出特性曲线,Mosfet的转移特性曲线：,东芝SSM6J08FU小信号MOSFET的详细描述：部件型号SSM6J08FU极性P沟漏源电压VDS-20 V漏极电流ID-1.3 A门阈值电压Vth,max-1.1 V门阈值电压Vth,min-0.6 V门-源电压VGSS(V)12 V漏源导通电阻RDS(ON)(标准)0.2 VGS=-2.5 V 漏源导通电阻RDS(ON)(最大)0.26 VGS=-2.5 V 产
2、品分类小信号MOSFET,东芝公司MOSFET的图片：,品牌:SINO-IC（上海光宇睿芯微电子有限公司）型号:1N60种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:TV/电视封装外形:CER-DIP/陶瓷直插材料:N-FET硅N沟道开启电压:600（V）最大漏极电流:800（mA）最大耗散功率:800（mW）,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的介绍：,IGBT是有BJT和mosfet组成的复合器件，兼具二者的优点：速度快，能耗低，体积小，而且大功率、大电流、耐高压。,IGBT的开关作用是通过正向栅极电压控制的，施加一定的正向电压即栅极电压大于发射极电压时，IGBT导通，反之
3、IGBT关断。,特色标志:现货型号:IKW40N120T2厂家:INFINEON批号:12+封装:TO-247,美国仙童飞兆半导体公 FairchildSemiconductor FGH40N60UFTU,美国国际整流器公司,International RectifierIRG4BC30KDPBF,英飞凌公司 Infineon Technologies,IGW25N120H3,MOSFET 和IGBT的差别：,MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是M
4、OSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。总的来说：MOSFET在低功率，较高频 应用中较好，100KHz。IGBT在较低频，高功率应用中较好。,关于IGBT的一些产品的图片：,日本富士公司的产品2MBI200S-120集电极和发射极之间最高限压是1200V、最大限流是200A.,日本富士公司的EVL31-050集电极和发射极之间的限压是500V、限电流是100A。,东芝公司的MG75N2YS40,MOSFET 和IGBT器件的适用类型：,
