《MOS晶体管与双极型晶体管的比较.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《MOS晶体管与双极型晶体管的比较.ppt（89页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
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2、数：,实例：作用于电容的模拟开关,实例：作用于电阻的模拟开关,体效应：寄生JFET,VBS不为零条件下的模拟开关,本讲内容,MOS晶体管模型作为电阻的MOS晶体管在强反状态作为放大器件的MOS晶体管在弱反和强反状态之间的变换在强反和速度饱和状态之间变换电容与fT双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,MOS晶体管：IDS与VGS的关系,MOST小信号模型：gm与rDS,跨导（传输电导）gm,MOST小信号模型：rDS,MOST小信号增益：AV,大增益设计,实例：单晶体管放大器,PMOS小信号模型,MOST小信号模型：gm与gmb,本讲内容,MOS晶体管模型作为电阻的MOS晶体管在强反状态作
3、为放大器件的MOS晶体管在弱反和强反状态之间的变换在强反和速度饱和状态之间变换电容与fT双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,弱反条件下gm、IDS 与VGS的关系,跨导gm 与VGS的关系,转换电压VGSt 与弱反(wi)和强反(si),不同沟道长度L下的转换电压VGSt,弱反(wi)和强反(si)之间的转换,弱反(wi)和强反(si)与比值gm/IDS,wi和si 间平滑变换EKV模型,弱反(wi)和强反(si)转换的电流IDSt,VGS VT与电流变换系数i间的关系,弱反和强反条件下的跨导gm,GM与反型状态系数i,本讲内容,MOS晶体管模型作为电阻的MOS晶体管在强反状态作为放大
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5、n/50）,MOST的IDS,gm以及gm/IDS,栅电流,本讲内容,MOS晶体管模型作为电阻的MOS晶体管在强反状态作为放大器件的MOS晶体管在弱反和强反状态之间的变换在强反和速度饱和状态之间变换电容与fT双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,MOS晶体管电容,MOST的电容CGS与CGD,MOS晶体管的fT（条件iDS=iGS),高速设计,fT的最大值与沟道长度L的关系,强反与速度饱和条件下fT的模型,强反与弱反条件下fT的模型,fT与状态系数i的关系,实例：是fT吗?（L=Lmin）,MOST电容CSB和CDB,射频（RF）模型,MOST简单模型总结,MOST模型逐渐复杂，参数增加,MOS模型的检验,本讲内容,MOS晶体管模型双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,双极型晶体管（BJT）,双极型晶体管的ICE与VBE,BJT的小信号模型：gm与ro,BJT的电容：C,BJT的电容：CD,BJT的电容：C与CCS,双极型晶体管：fT,双极型晶体管：fT与ICE,BJT模型简单总结,本讲内容,MOS晶体管模型双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,比较之一,比较之二：最小VDS,比较之之三：gm/IDS,选择gm的设计参数,比较,本讲内容,MOS晶体管模型双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,
