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1、实验课1 MOS管特性分析,本课程作业要求：1、提交手工计算、绘图(Visio)结果。必须对 结果进行分析。2、提交仿真sp文件、仿真结果截图。对比1的 结果，观察是否一致，若不一致说明原因。,3、提交的实验报告要求是word或pdf文件。,MODEL,无说明情况下,实验采用课本32页给出的MODEL,NMOSLEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 J
2、S=1.0e-8PMOSLEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8,用到的命令格式,.IC V(n)=3V*规定n节点的初始电压为3V。.Tran 10us 5ms UIC*在规定的初始条件下进行瞬态分析。,.DC V(n)0 3.3V 0.05V*直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V 步进0.05V 最大3.3V,.Tran 1
3、0us 5ms*执行5ms的瞬态分析，计算时间间隔10us，也即每10us给出一个仿真数值。*整个瞬态曲线由 500个点组成。,.DC V(n)0 3.3V 0.05V sweep V(m)0 3V 0.5V*直流分析，对节点n的电位进行扫描，最小为0V 步进0.05V 最大3.3V*同时对M点电位扫描，得出7条曲线。,.MODEL NMOS NMOS()*建立model，第一个NMOS为model name；第二个NMOS为model 类型；()内注明各参数的值,示例 MOS管IV 特性分析,*model NMOS*.MODEL NMOS NMOS(+LEVEL=1 VT0=0.7 GAMM
4、A=0.45 PHI=0.9+NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11+MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8)*model PMOS*.MODEL PMOS PMOS(+LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8+NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2+TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11+MJ=0.5 MJSW=0.3 CGD
5、O=0.3e-9 JS=0.5e-8)*,*netlist*M1 DN GN SN BN NMOS W=1u L=0.5u M2 DP GP SP BP PMOS W=1u L=0.5u,示例 MOS管IV 特性分析,*source*VDSN DN SN 0VGSN GN SN 0VSN SN 0 0VBN BN 0 0VSDP SP DP 0VSGP SP GP 0VSP SP 0 3.3VBP BP 0 3.3,*analysis*.DC VDSN 0 3.3 0.05 sweep VGSN 0 3 0.5.DC VSDP 3.3 0 0.05 sweep VSGP 3 0 0.5*output*.options post acct probe.probe i(M1)i(M2)LX7(M1)LX7(M2)*LX7()求器件跨导.end,1、执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS的栅源电压为1.2V时，PMOS源栅电压等于1.2V时，分别仿真得出二者漏电流特性曲线。这种情况下，手工计算出对于NMOS，当VDS=1V时漏电流、跨导的值；对于PMOS VSD=1V时漏电流、跨导的值。并与仿真结果比较。沟道长度设置为1u，观察器件的漏电流有怎样的变化？,作业：,2、对课本34页，习题2.5进行仿真分析。给出手工分析结果和仿真结果。,
