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1、PN结二极管的制备,主要内容：PN结二极管的制备,（0）准备,p-Si,1、制备单晶硅片,2、硅片表面的化学清洗,PN结二极管的制备,(1)氧化,问题：1、为什么要双面氧化？2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？,PN结二极管的制备,(2)涂胶,问题：,1、涂胶过程,2、光刻胶分类，作用，常用的光刻胶？,3、涂胶后，曝光前，对光刻胶加固的过程是什么工艺,PN结二极管的制备,Mask 1,黑色部分都是不透光的，中间的白色部分是做扩散的位置。,Mask的剖面图,PN结二极管的制备,（3）曝光,问题：,1、光刻的作用？,2、图中使用的是正胶，如果用负胶如何修改工艺？,PN结二极管的制备,（4）
2、显影,问题：1、什么是显影工艺？2、显影液选择的注意事项。,PN结二极管的制备,（5）腐蚀,问题：,1、腐蚀分为哪两种形式，各有什么特点？2、选用腐蚀液要注意什么？,PN结二极管的制备,（6）去胶,1、通常用什么方法去胶？,问题：,PN结二极管的制备,（7）杂质扩散,1、硅片要经过适当的清洗后,2、应该扩散什么杂质3、杂质扩散源有哪些,4、以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理,5、这只是杂质的预淀积。,问题：,PN结二极管的制备,(8)驱入,在未被氧化层保护的区域形成了n+-p结。（n+中的“+”号表示高掺杂）,问题：,PN结二极管的制备,（9）金属化,1、金属化的目的？,2、淀积金属薄膜有几
3、种方法？,3、（低于或等于500oC）退火来改善金属层 与硅之间的欧姆接触。,问题：,PN结二极管的制备,(10)涂胶,目的：通过光刻去除扩散结区域之外的多余的金属薄膜。,PN结二极管的制备,Mask 2,Mask,黑色部分都是不透光的，四周的白色部分是刻蚀金属的位置。,Mask的剖面图,问题：可不可以用Mask1？,PN结二极管的制备,(11)曝光mask2板,问题：如果采用负胶，如何修改掩膜板Mask2？,PN结二极管的制备,(12)显影,问题：显影液的选择,PN结二极管的制备,(13)腐蚀,1、此次腐蚀的目的？2、腐蚀液的选择。,PN结二极管的制备,（14）去胶,PN结二极管的制备,流程总结,PN结二极管的制备,
