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1、SEE灵敏体积厚度研究,路秀琴（中国原子能科学研究院核物理所）*国家自然科学基金资助项目（10375098）,合作者,刘建成 郭继宇 郭刚 惠宁 沈东军 倪嵋楠 孔福全（中国原子能科学研究院核物理所）张庆祥 黄治 张振龙 韩建伟（中科院空间中心）,1 引言2 原理3 实验方法4 结果与分析,内容,单粒子效应（SEE)研究,测定 模型计算空间辐射环境 辐照环境模型（重离子、质子等）能谱 离子与器件 相互作用模型地面模拟辐射源 截面（加速器，激光器，放射源）（SEU，SEL，SEB）SEU(SEL,SEB)率 SEE机理,SEU率,器件灵敏体积（SV）,长方六面体模型（RPP)入射离粒子在该体中沉
2、积能量 临界能量 SEU（SEL，SEB）效应SV厚度d 关键参数 预估SEU(SEL,SEB)率 SEE 机理研究 d=2m?h=?,1993年 D.R.Roth et al.,J.Beauvais et al.,分别 质子（200MeV),改变能量，角度1995年 Barak,1997年 R.Ecoffet 低能低射程重离子,SV测试研究,原理,SEU截面/LET 射程LET r曲线 Bragg 峰观测SV改变入射离子射程-Bragg峰位置-Edep-SEU 实验测量SEU（r)数学处理(deconvonvoluting)h,d,数学分析,定义门函数,射程r-u 相应于能量E+dE，产生沉
3、积能量：,数学分析,E dep 曲线可用Weibull 函数拟合：,其中,sat饱和截面,Ec临界能量,w和 s形状参数,数学分析,d,h,FT(f(u):傅立叶变换函数,用傅立叶变换计算函数：,实验,束流：12C（或B),2.4MeV 84.0 MeV C,F,Si,Cl,Br,I 束流 LET 1.0100 MeV/mg.cm2 197Au 靶 散射SRAM 芯片(8k8 128k8)Si(Au)探测器测粒子数SEU 检测系统测SEU数 SEU（E)SEU(r)SEU（LET)sat,Ec,w,s,SEU 截面射程曲线,死层厚度 h,MT5C1008 3.5 m IDT7164 3.5 m IDT7164（日立）17.5 m IDT71256 16.5 m HM65642 3.5 m,SEU 截面 LET曲线,分析,SEU（LET)sat,Ec,w,s SEU（r)Fourier 变换（h,d）将h,d值用于预言空间率,小结,我们利用HI-13串列提供的重离子 束测量了五个SRAM 器件的SEU 截面随射程变化曲线SEU(r)R 和随LET 值变化曲线SEU(LET)LET；SEU(r)R曲线均呈布拉格峰形状 SEU(LET)LET形状可用Weibull 函数拟合；利用测得的曲线可提取h 和d，将这些值用于空间SEU 率预言的模拟计算，可以得到比较精确的SEU 率。,
