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1、学习情境2 功率放大器的分析与制作,2.3 功率放大器的分析与检测,2.4 50W功率放大器制作,2.2 集成前置放大电路的分析与检测,2.1 分立前置放大电路的分析与检测,2.1 分立前置放大电路的分析与检测,一、晶体三极管,符号：,(1)NPN型三极管,（2）PNP型三极管,1、结构,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,发射结,集电结,结构特点：,集电区：面积最大,2、电流分配和放大原理,（1）三极管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,(2)三极管内部载流子的运动规律,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,进入P 区的电
2、子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,（3）各电极电流关系及电流放大作用,IC 与 IB之比称为共发射极直流电流放大倍数，即：,ICE0：集射极穿透电流,温度ICEO,三电极电流关系：IE=IB+IC,因为 IC IB，所以 IC IE。但IB对IC有控制作用，IC随IB改变而改变。IC的变化量 与 IB的变化量之比称为共发射极交流电流放大倍数，即：,通常 IC IB，因此把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。三极
3、管的实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是电流控制型器件。,一般，,共发射极电路,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,3、三极管特性曲线,（1）输入特性,死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。,正常工作时发射结电压：硅管:0.60.7V锗管:0.20.3V,(2)输出特性,IB=0,20A,放大区,放大区,特点：在放大区有 IC=IB，具有恒流特性。,条件：发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。,截止区,截止区,IB 0 以下区域为截止区。,条件：发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。,特点：有 IC 0,饱和区,饱和区
4、,特点：在饱和区，IB IC，IC不受IB的控制；UCE很小，深度饱和时，硅管UCES 0.3V，锗管UCES 0.1V。,条件：发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。,4、主要参数,（1）电流放大系数，,发射极开路时，集电结在反向电压作用下，集、基极间的反向电流。ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大，ICBO越小越好。,直流电流放大系数 和交流电流放大系数 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的 值在20200之间。,（2）集-基极反向截止电流 ICBO,（3）集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO,基极开路时，集
5、电极和发射极间的反向电流，也称为穿透电流。,ICEO受温度的影响大，ICEO越小越好,极限参数：（4）集电极最大允许电流 ICM,集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。,（5）集-射极反向击穿电压U(BR)CEO,（6）集电极最大允许耗散功耗PCM,集电极电流流过集电结时，产生的功耗使结温升高，结温太高时会使晶体管烧毁，因此规定PC=IC UCE PCM。PCM取决于三极管允许的温升，一般硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。,基极开路时，集电极和发射极之间最大允许电压。当集射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。使用时，一般取,ICUCE=PCM,安全工作区,由三个极限参数可画出三极管的安全工作区,5、晶体管参数与温度的关系,（1）温度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。,（2）温度每升高 1C，UBE将减小(22.5)mV，即晶体管 具有负温度系数。,（3）温度每升高 1C，增加 0.5%1.0%。,
