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脉冲与数字电路第三章（1）,（张珣）杭州电子工业学院电子信息学院2002,第三章 门 电 路,1、二极管开关特性：,特性正向导通反向截止反向击穿,VTHV锗管：0.3V,IS Si 1A Ge 10 AVBR,2、理想二极管开关特性应用,1串联二极管限幅器,思考1:若Vi=7Sin(wt)V,则Vo=?,思考1:若D反接,则Vo=?,2并联二极管限幅器,3二极管钳位电路,3、非理想二极管开关特性,导通转向截止，由于结电容影响存在反向恢复时间Toff,3、非理想二极管开关特性（续）,*改进电路,*肖特基二极管 特点：开关速度快 正向域值小，0.3v,4、三极管开关特性(工作状态),截止：Ib=0，Ic=0,Uce=Vcc;放大：IbS Ib 0,Ic=Ib；Uce=Vcc-IcRc饱和:Ib IbS，Ic=Vcc/Rc,Uce=0,4、三极管开关特性（分布电容）,5、三极管开关参数,接通时间 Ton断开时间 Toff,5、场效应管开关（续）,5、场效应管开关（总结）,6、二极管门电路,
