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1、第5章 存 储 器,随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）,半导体存储器(内存储器、一般采用MOS管）,5.1 随机存储器,5.1.1 静态随机存储器（SRAM）,一、六管静态基本存储单元电路,二、SRAM的内部组织,三、SRAM的典型例子,6116逻辑符号,2114逻辑符号,按位扩充,四、SRAM的外部组织,按位扩充,字节扩充,5.1.2 动态随机存储器（DRAM）,一、单管静态基本存储单元电路,2164逻辑符号,二、RAM的典型例子,5.2 8086对存储器的读/写时序,一 读周期,二 写周期,5.3 只读存储器（ROM）,5.3.1 只读存储器的结构、特点和分类,一 掩摸ROM,二
2、可编程ROM（PROM）,三 紫外线可编程ROM（EPROM）,四 电可擦除PROM（EEPROM）,5.3.2 只读存储器典型产品举例,5.4 存储器地址译码方式及译码电路的设计,5.4.1 全地址译码方式（全译码选择方式）,.4.2 部分地址译码方式和线选择方式,线选法,部分译码,5.4.3 存储器的地址译码电路,一、专用译码电路的地址译码器,二、ROM译码器,5.5 存储器与CPU的连接,在存储器与CPU（系统总线）的连接时，应具体考虑如下几个实际问题：根据系统要求选择哪一种合适的存储器芯片；系统总线的负载能力是否满足要求；采用何种存储器的地址译码方式，采用什么样的译码电路；当存储器的速
3、度跟不上CPU的工作速度时，如何设计等待电路，使存储器速度和CPU的速度相匹配。,8088微处理器总线负载能力为：输出高电平电流-400uA输出低电平电流2mA允许负载电容（交流）100PF。,2764输入电流Iin=10uA输出电流Iout=10uA,直流负载要求。电容负载C=12PF（交流负载要求）。直流负载8088CPU挂接40片（400uA/10uA）。交流负载8088CPU挂接8片（100PF/12PF）。增加驱动器74LS244和74LS245。提高10倍，但增加20ns附加总线延时。,存储器芯片负载要求的计算,存储器的译码电路设计（略）5.5.3 总线驱动器的使用,微处理器与慢速存储器的连接,存储器的图片,例题1：下图为8086存储器的部分电路接线图。问（1）M1的寻址范围？（2）M0的寻址范围？（3)存储器总容量？,地址：98000H9FFFFH存储容量32K,
