《《配件基础内存》PPT课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《配件基础内存》PPT课件.ppt（39页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
1、内存,了解内存的分类和类型 了解内存的性能指标 掌握内存的选购和安装,基本要求,内存的分类 内存的主要性能指标 内存的选购 内存的安装,本讲知识点,认识内存,内存在PC设备中占有重要的地位，纵观PC技术的发展，每次内存技术的提升都对整体性能产生重大的影响。内存的容量大小和存取速度的快慢都直接影响着PC的整体性能。也正是内存储技术的发展才得以让如今的PC呈现出一番生机勃勃的景象。半导体技术的突破已经为CPU发展铺平了道路，随着主频的不断提高，整个系统将对内存性能提出更高的要求。,认识内存,内存也叫主存，是PC系统存放数据与指令的半导体存储器单元，也叫主存储器（Main Memory），通常分为R
2、AM（Random Access Memory，随机存储器）、ROM（Read Only Memory，只读存储器）和高速缓存（Cache）。因为RAM是其中最主要的存储器，整个系统内存容量的多少主要由它的容量决定，人们习惯将RAM直接称为内存。内存的作用：存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及存储器交换信息时做缓冲之用。,金手指（connecting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧
3、化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。,1按工作原理分 2按特点分,内存的分类,1按工作原理分,按工作原理可将内存分为只读存储器和随机存储器两类。（1）ROMROM（Read Only Memory，只读存储器）是只能读取信息而不能写入信息的存储器，其价格高、容量小。但ROM保存的数据或程序在断电后可保持不变，因此多用于存放一次性写入的程序或数据，如用于存储计算机厂家特殊的设
4、置,BIOS设置，网卡上的启动程序等。ROM又分为一次写ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。,内存的分类,内存的分类,PROM(Programmable Rom)可编程ROM，允许一次性地写入其中的数据，一旦信息被写入PROM后，数据就永久性的融刻在其中了，其它方面就跟ROM没什么区别了。EPROM(Erasable Programmable Rom)：EPROM芯片上有一个透明窗口，用特殊的装置向芯片写完毕后，用不透明的标签贴住。如果要擦除EPROM中的内容，揭掉标签，用紫外线照射EPROM的窗口，PROM中的内容就会丢失。EEPROM(Electrical
5、ly Erasable Programmable ROM,电可擦写可编程只读存储器)：它与EPROM非常相似，EEPROM中的信息也同样可以被抹去，也同样可以写入新的数据。EEPROM可以用电来对其进行擦写，而不需要紫外线，因此便于对其中的信息升级，常用于存放系统的程序和数据。,内存的分类,Flash Memory 闪速存储器又称闪存，是取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性存储器，主板上的BIOS都是使用Flash Memory.它采用一种非挥发性存储技术，若不对其施加大点呀进行擦除课一直保持其状态。因此在不加电的情况下能长期保存存储的信息。存取时间仅为30ns.就其本质而言，Fl
6、ash Memory属于EEPROM类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。由于Flash Memory的独特优点，可以将BIOS存储在其中，使得BIOS升级非常方便。,（2）RAM RAM（Random Access Memory，随机存储器）是既能读取信息又能更改或删除信息的存储器。RAM就是平常所说的内存，系统运行时，将所需的指令和数据从外部存储器（如硬盘、光盘等）调入内存中，CPU再从内存中读取指令或数据进行运算，并将运算结果存入内存中。RAM的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。RAM只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，
7、其中的数据就会丢失。,内存的分类,内存的分类,根据其制造原理不同，现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。即一种是Dynamic RAM（DRAM，动态随机存储器），它具有集成度高、结构简单、功耗低和生产成本低等特点，主要应用于计算机的主存储器中，如内存和显示内存（显存）；另一种是Static RAM（SRAM，静态随机存储器），其结构相对较复杂、造价高、速度快，因此一般SRAM多应用于高速、容量小的存储器中，如Cache（缓存）。在RAM中存储的内容可通过指令随机读写访问，但是RAM中存储的数据在断电时会丢失，因而只能在运行时存储数据。,内存的分类,静态RAM(SRAM)S
8、RAM(Static RAM)的一个存储单元的基本结构是一个双稳态电路，由于读、写的转换由写电路控制，所以只要写电路不工作，电路有电，开关就保持现状，不需要刷新，因此SRAM又叫静态RAM，由于这里的开关实际上是由晶体管代替，而晶体管的转换时间一般都小于20 ns，所以SRAM的读写速度很快，一般比DRAM快出23倍。微机的外部高速缓存（External Cache）就是SRAM。但是，这种开关电路需要的元件较多，在实际生产时一个存储单元需要4个晶体管和2个电阻组成，这样一方面降低了SRAM的集成度，另一方面也增加了生产成本。,内存的分类,动态RAM（DRAM）DRAM(Dynamic RAM
9、)就是通常所说的内存,它是针对静态RAM（SRAM）来说的。SRAM中存储的数据，只要不断电就不会丢失，也不需要进行刷新。而DRAM中存储的数据是需要不断地进行刷新的。因为一个DRAM单元由一个晶体管和一个小电容组成。晶体管通过小电容的电压来保持断开、接通的状态，当小电容有电时，晶体管接通表示1；当小电容没电时，晶体管断开表示0。但是充电后的小电容上的电荷很快就会丢失，所以需要不断地进行“刷新”。,内存的分类,所谓刷新，就是给DRAM的存储单元充电。在存储单元刷新的过程中，程序不能访问它们，在本次访问后，下次访问前，存储单元又必须进行刷新。所谓内存具有多少纳秒（ns），就是指它的刷新时间。由于
10、电容的充、放电需要时间，所以DRAM的读写时间远远慢于SRAM，其平均读写时间在60-120ns，但由于它结构简单，所用的晶体管数仅是SRAM的四分之一，实际生产时集成度很高，成本也大大低于SRAM，所以DRAM的价格也低于SRAM，适合作大容量存储器。所以主内存通常采用动态DRAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用SRAM。内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。,2按特点分,（1）FPM RAM FPM RAM（Fast Page Mode RAM，快页模式内存）是早期广泛应用于个人计算机中的内存，由于性能较低，这种内存已经淘汰。,内存的分类,
11、（2）EDO RAM EDO RAM（Extended Data Out RAM，扩展数据输出内存）是486时代和最早Pentium机中经常使用的一种内存，它的运行速度比FPM RAM快，不过这种内存也已基本淘汰。如图2-44所示就是EDO RAM。,图2-44 EDO RAM,内存的分类,（3）SDRAM SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步动态随机存储器）是在Pentium II和Pentium III时代使用最多的内存，它采用一种双存储体结构，工作频率与CPU的外频一致，比较常见的规格有PC 100，PC 133和PC 150等。SDRAM内存因传输速率的限制
12、逐渐淡出市场。SDRAM的外观如图2-45所示。,图2-45 SDRAM,内存的分类,（4）DDR SDRAM DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍数据传输率同步动态随机存储器）简称为DDR，是在SDRAM内存的基础上发展而来的，传输速率是同频率SDRAM内存传输速率的两倍。DDR是184针的，要与支持DDR内存的主板搭配使用。DDR内存如图2-46所示。,图2-46 DDR内存,内存的分类,（5）DDR2内存 DDR2内存是在DDR SDRAM的基础上发展起来的，其最低工作频率为400MHz，还有更高的工作频率，如533MHz，667MHz，800MHz和1
13、000MHz等。DDR2内存采用了240针脚的FBGA封装（底部球型引脚封装），采用较先进的0.13m生产工艺，工作电压为1.8V且不向下兼容。DDR2内存如图2-47所示。,图2-47 DDR2内存,内存的分类,(6)DDR3内存 DDR3内存采用了ODT（核心整合终结器）技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，甚至敢于彻底抛弃TSOPII与mBGA封装形式，采用更为先进的FBGA封装。DDR III内存用了0.08微米制造工艺制造，将工作在1.5V的电压下。从长远趋势来看，拥有单芯片位宽以及频率和功耗优势的DDR3是令人鼓舞的
14、，不过普及之路还相当遥远。DDR3内存在2007年已经上市，DDRIII的规格也在不断地演变。,金士顿2G DDR3 1333,内存的分类,（7）RDRAM RDRAM全称为Rambus DRAM，它是由Rambus公司开发的，是一种具有独特的系统带宽、芯片和芯片接口的新型DRAM。它可以工作在很高的频率下，同时在时钟周期的上升沿和下降沿传输数据。RDRAM需要专用的RIMM插槽和芯片组的支持，而且要求RIMM插槽必须全部插满，否则空余的插槽需插上专用的RDRAM终结器。RDRAM内存在单通道工作时，800MHz的RDRAM带宽为1.6GB/s；若是两个通道同时工作，带宽则可为3.2GB/s；
15、若4个通道同时工作，则带宽可提升为6.4GB/s。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。RDRAM内存如图2-48所示。,图2-48 RDRAM内存,内存的单位,1.内存的单位:存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯、半导体触发器、MOS电路或电容器等。位（bit）是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节
16、（Byte），可以由一个字节或若干个字节组成一个字（Word），字长等于运算器的位数。若干个记忆单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体（Memory Bank）。为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。,内存的单位,位（bit）位（bit，常用b表示）是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位。如十进制中的14在计算机中就是用1110来表示，1110中的一个0或一个1就是一个比特。字节（Byte）8位二进制数称为一个字节（B），内存容量即是指
17、具有多少字节，字节是微机中最常用的单位。一个字节等于8个比特，即1B=8b。存储器可以容纳的二进制信息量称为存储量。在微机中，凡是涉及到数据量的多少时，用的单位都是字节，内存也不例外。不过在数量级方面与普通的计算方法有所不同，1024字节为1KB，而不是通常的1000为1K，1024KB为1MB，更高数量级用1GB=1024MB表示。目前而言，一般微机的内存大小都以“MB”（有时也省略B）作为基本的计数单位。,内存的单位,内存的单位换算 微机的内存容量都很大，一般都以千字节、百万字节、十亿字节或更大的单位来表示。常用的内存单位及其换算如下：千字节（KB,Kilo Byte）：1KB=1024B
18、兆字节(MB,Mega Byte)：1MB=1024KB吉字节（GB,Giga Byte）：1GB=1024MB太字节（TB,Tera Byte）：1TB=1024GB 各个单位的关系如下：1TB=1024GB=10241024MB=102410241024KB=1024102410241024B=10241024102410248bit,1内存容量 2工作电压3运行频率 4延迟CL 5数据位宽度和带宽,内存的主要性能指标,1内存容量,内存容量表示内存可以存放数据的大小，其单位有B，KB，MB和GB等，在286、386和486时代的内存都以KB为单位，通常只有几KB或者几十KB。后来内存大多以
19、MB为单位，多为为单条128MB，256MB和512MB，现在市场上常见的是1GB或2GB的内存。,2工作电压,内存工作时，必须不间断地进行供电，否则将不能保存数据。内存能稳定工作时的电压叫做内存工作电压。SDRAM内存的工作电压为3.3V，DDR SDRAM内存的工作电压为2.5V。,内存的主要性能指标,3内存速度,内存速度包括内存芯片的存取速度和内存总线的速度，内存的存取速度即度、写内存单元数据的时间，单位是纳秒（ns)内存总线速度是至CPU到内存之间的总线速度，有总线工作时钟决定,3运行频率,内存的运行频率通常以MHz为单位，该数字越小则内存芯片的运行频率越高。,4延迟CL,延迟CL全称
20、为“CAS Latency”，其中CAS为Column Address Strobe（列地址控制器），指纵向地址脉冲的反应时间，是在同一频率下衡量内存好坏的标志。例如，SDRM（100MHz外频下）读取数据的延迟时间是2个或3个时钟周期。,内存的主要性能指标,5数据位宽度和带宽,数据位宽度是指内存在一个时钟周期内可以传送的数据的长度，单位为bit；内存带宽则是指内存的数据传输速率，例如DDR 333内存的数据传输速率为2100MB/s。,1认清标识 2注意内存的做工 3速度的选择 4注意内存的品牌,内存的选购,1认清标识,为防止假冒伪劣的产品，对内存上所印的标识的辨认是选购内存中最为重要的一点
21、，尤其要主要一些非正常标识的含义,2注意内存的做工,内存的做工影响着内存的性能。一般来说，要使内存稳定工作，要求使用的PCB板层数在6层以上，否则内存在工作时会出现不稳定的情况。目前内存市场已经规范很多了，REMARK的产品已经很少了，但仍有一部分是在手工作坊里“攒”起来的，这些内存条根本不能胜任高稳定行与超频的需要，更有甚者将一些报废“垃圾板”上的芯片重新组装成新的内存，这些内存条印刷电路板薄厚不同，而且做工粗糙，边缘参差不齐,内存的选购,3鉴别内存条,在正规生产条件下内存所用的芯片都应该是同一型号的产品，只允许在生产批次上有些微小的差别，而对品牌型号来讲是不允许有差别的，所以要是见到了一个
22、内存条用了不同型号的内存芯片甚至是不同厂家的芯片的花，那它肯定不是一个可靠的产品,4注意内存的品牌,由于内存的生产相对来说比较简单，只是将内存芯片封装在电路板上即可，因此不少小型厂家将低端的内存芯片通过涂改编号或其他造假方法，将低档内存打磨成高档内存出售，以获取暴利。而这些内存往往不能稳定、正常地工作，因此最好选购品牌内存。常见的内存品牌有金士顿(Kingston）、金邦（GEIL）、三星（SAMSUNG）、现代（HYUNDAI）、威刚和胜创（Kingmax）等。,内存的选购,5 辨别真假 假货是将高时钟周期的内存芯片REMARK成低时钟周期的产品，再把低时钟周期产品高价卖出，转其中的差额，这
23、种REMARK肯定是在一种品牌、不同时钟周期的产品间进行的，选购时要仔细观察看内存芯片的表卖弄是否有打磨过的痕迹，用手摸摸芯片上的字迹是否在芯片的表面之上（凸出的）而不应该在表面之下（凹陷）6 防止摔、振 对于内存这种高集成度的半导体来讲，在猛烈的震动和撞击下，会导致内存条损坏甚至报废，比如一内存条可以在正常情况下CL=3时稳跑133MHz,但是摔后肯呢个在CL=3只能跑100MHz7 防静电 人体或某些物品带的经典很有可能将内存击伤，击坏，所以尽量用柔软、防静电的物品包裹内存条,内存的安装,下面以安装DDR内存为例，介绍安装内存的具体步骤。,步骤 1:,将内存插槽两边的锁扣拉起来，如图2-49所示。,步骤 2:,在内存下边缘左右有不对称的缺口，安装时应将它们对准内存槽上相应的槽口，均匀用力向下压，使内存槽两侧的锁扣紧扣内存，如图2-50所示。,步骤 3:,当内存的“金手指”完全插入内存插槽后，将内存插槽两边的锁扣紧扣住内存即可，安装完成后如图2-51所示。,图2-49 拉起锁扣,图2-50 安装内存,图2-51 完成安装,
