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1、1,矽和化合物半導體,1,Electronic Materials,電子材料,2,圖1.1絕緣體、半導體、和導體與電阻係數的範圍,3,4,5,圖1.2三種立方結晶單元(a)簡單立方，(b)體心立方，(c)面心立方,6,圖1.3(a)矽(鑽石晶格)，(b)砷化鎵(閃鋅晶格)的結晶結構,7,圖1.4立方晶體中的一些重要平面的米勒指標,8,圖1.5矽的蝕刻圖案(a)和(b)長晶方向，以(110)平邊以及適當的切割方向為參考,9,圖1.6矽111表面，具鋁合金區域，顯示鑽石晶格的對稱,10,圖1.7概略的能帶圖表示法：(a)絕緣體，(b)半導體，(c)導體,11,圖1.8矽和砷化鎵的能帶結構。圓圈(。
2、)表示在價電帶的電洞，點()表示在導電帶的電子，(a)間接能隙，矽；(b)直接能隙，砷化鎵,12,圖1.9磷砷化鎵的能隙對磷化鎵的莫爾分數變化圖,13,圖1.10各種可見光和紅外光發光二極體的發光相對強度對波長的關係圖,14,圖1.11(a)布氏法，(b)柴氏法，(c)浮區法長晶,15,(續)圖1.11(a)布氏法，(b)柴氏法，(c)浮區法長晶,16,圖1.12砷化鎵和磷化鎵的長晶爐,17,18,19,圖1.13磨晶棒製程,20,圖1.14將矽晶棒標示平邊,21,圖1.15以內直徑切片製程的概略圖,22,圖1.16拋光製程的概略圖,23,圖1.17四點針測法的概略圖,24,圖1.18電阻值的測量,25,26,27,28,
