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1、装片工序简介,Prepared By:李晓鹏,2,目录,一:半导体产业链及封测流程介绍介绍封测及装片在半导体产业链的位置二:装片介绍装片人员介绍装片机台介绍装片物料介绍装片方法介绍装片环境介绍测量系统介绍三:装片工艺趋势及挑战 介绍IC封装的roadmap 介绍装片困难点及发展趋势四:特殊封装工艺 锡膏/共晶/铅锡丝及FC工艺,3,半导体产业链介绍,Assy&test流程介绍,4,装片介绍,装片解释:又称DA(Die Attach)或DB(Die Bond)，目的为将磨划切割好的芯片固定在框架上以便后续工序作业，是封装的一个重要流程，影响整个芯片封装。装片作用：a.使芯片和封装体之间产生牢靠的
2、物理性连接 b.在芯片或封装体之间产生传导性或绝缘性的连接 c.提供热量的传导及对内部应力的缓冲吸收3.装片因素图示：,装片因素-人,输入,输出,设备操作,机台正常运行/参数输入正确,作业方法,作业环境,测量方法,原物料准备,正确的无不良的物料,针对不可控因素人，通过规范标准等方法管控,人,管控方法,MES/物料handling指导书,PM check list/改机查检表/参数查检表,SPEC/WI/OCAP,规范的作业方法,SPEC,SOP/PFMEA,规范的作业环境,测量数据准确无偏差,6,装片因素-机,标准装片生产设备图示,装片设备种类,7,装片因素-机,标准装片设备关键能力,8,装片
3、因素-机,标准装片设备作业原理,Pick,Dispenser,9,装片因素-机,烘烤设备图示,烘烤设备关键能力,10,装片因素-机,烘烤设备原理,为了使胶固化，需要对装片后的产品进行高温烘烤，固化后胶质凝固，芯片与基板结合更加牢固。,胶固化条件，依不同胶的特性，存在不同的烘烤条件。,烘烤控制的参数：升温速率 烘烤温度 恒温时间 氮气流量,挥发,11,量测设备,装片因素-机,12,量测设备检测项目及检出异常处理措施,装片因素-机,13,存储设备,装片因素-机,14,装片因素-料,15,直接材料-框架图示,装片因素-料,LF,Substrate,16,直接材料-框架特性,装片因素-料,17,装片因
4、素-料,粘着剂的工艺流程,点胶,18,装片因素-料,直接材料-粘着剂特性,直接材料-芯片图示及芯片结构,装片因素-料,20,直接材料-芯片特性,装片因素-料,Si芯片工作原理图,GaAs芯片工作原理图,21,间接材料-顶针,装片因素-料,多顶针排布，顶针共面性,单顶针排布,技术指标：,长度,直径,顶针顶部球径,角度,22,间接材料-顶针选用rule,装片因素-料,23,间接材料-吸嘴,装片因素-料,橡胶吸嘴,电木吸嘴,塑料吸嘴,钨钢吸嘴,技术指标：吸嘴孔径、吸嘴外围尺寸、吸嘴材质（耐高温、吸嘴硬度）,间接材料-吸嘴选用rule,装片因素-料,25,间接材料-点胶头,装片因素-料,26,间接材料
5、点胶头选用rule,装片因素-料,装片因素-法,系统管理方法,28,装片因素-法,规范管制,输入,输出,机台正常运行/参数输入正确,正确的无不良的物料,规范的作业方法,规范的作业环境,测量数据准确无偏差,设备操作,作业方法,作业环境,测量方法,原物料准备,人员,按照标准作业,29,装片因素-环境,30,装片因素-测,测量系统的能力-3个重要指数,测量系统,31,装片工艺趋势及挑战,IC封装roadmap,32,装片工艺趋势及挑战,IC的封装形式,1.按封装外型可分为：SOT、QFN、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP/WLSP等；2.封装形式和工艺的发展趋势:封装效率：芯片面积/封装面积，尽量接近1:1；封装厚度：封装体厚度越来越薄小，且功能越来越强，需集成多颗芯片；引脚数：引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；,封装形式和工艺逐步高级和复杂,装片特殊工艺,锡膏/共晶/铅锡丝,装片特殊工艺,FC,35,Innovations for Value,
