【教学课件】第8章80C51的串行总线扩展.ppt

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1、2023/8/6,1,第8章 80C51的串行总线扩展,I2C总线及其扩展,8.1,SPI总线接口及其扩展,8.2,串行时钟日历芯片DS1302及其接口,8.3,2023/8/6,2,8.1 I2C总线接口及其扩展,有两根双向信号线:数据线SDA和时钟线SCL,I2C总线架构,8.1.1 I2C总线基础,2023/8/6,3,I2C总线的特点,采用2线制 器件引脚少,器件间连接简单,电路板体积减小,可靠性提高,传输速率高标准模式:100Kb/s,快速模式:400Kb/s,高速模式为3.4Mb/s,支持主/从和多主两种工作方式标准型80C51没有I2C总线接口,只能工作于单主方式(扩展外围从器件

2、),2023/8/6,4,I2C总线的数据传输,传输时序图,起始信号S终止信号P,2023/8/6,5,字节传送与应答,寻址字节,2023/8/6,6,器件地址表,2023/8/6,7,I2C总线典型信号时序模拟,8.1.2 80C51的I2C总线时序模拟,2023/8/6,8,I2C总线典型信号模拟子程序,起始信号STA:SETB SDA SETB SCL NOP NOP CLR SDA NOP NOP CLR SCL RET,终止信号STP:CLR SDA SETB SCL NOP NOP SETB SDA NOP NOP CLR SDA CLR SCL RET,发应答位“0”ASK:CL

3、R SDA SETB SCL NOP NOP CLR SCL SETB SDA RET,发非应答位“1”NAS:SETB SDA SETB SCL NOP NOP CLR SCL CLR SDA RET,SDA EQU P1.7SCL EQU P1.6,主程序设置:,2023/8/6,9,8.1.3 80C51与AT24C02的接口,AT24C02为串行E2PROM存储器。体积小、功耗低、占用I/O口线少,性能价格比高,WP:写保护控制端,接地时允许写入。,2023/8/6,10,写操作过程,单片机发送起始信号S 单片机发送控制字节,释放SDA线 被选中的器件确认是自己地址后,在SDA线产生应

4、答,单片机发送1字节预写入存储区首地址 器件产生应答-单片机发出停止信号P 器件进入写周期(10ms内结束),2023/8/6,11,读操作过程,单片机发送起始信号S 单片机发送控制字节(伪写),释放SDA线 被选中的器件确认是自己地址后,在SDA线产生应答,单片机发送1字节预读出存储区首地址 器件产生应答 单片机再发一次起始信号S和读控制字节 器件产生应答 单片机读数据、恢复应答-最后字节读完、发非应答、发停止信号P,(程序略),2023/8/6,12,8.2 SPI总线接口及其扩展,8.2.1 单片机扩展SPI总线的系统结构,用于E2PROM、A/D、D/A、实时时钟等。单片机可模拟SPI

5、时序。,对于80C51,常采用“主MCU+多个从器件”的主从模式,4个引脚,2023/8/6,13,8.2.2 单片机SPI总线的时序模拟,单片机读(从器件输出)时,在选通有效的情况下,SCK的下降沿时从器件将数据放在MISO线上,单片机延时并采样MISO线,将数据位读入。然后将SCK置为高电平形成上升沿,数据被锁存。,单片机写(从器件输入)操作类似。,2023/8/6,14,【例8-3】单片机与具有SPI总线接口的E2PROM器件X25F008的接口电路如图所示。,定义单片机引脚如下:MOSI EQU P1.0SCK EQU P1.1SS EQU P1.2MISO EQU P1.3,单片机读

6、子程序(读取字节在R0中),SPIRD:SETB SCK CLR SS MOV R1,#8 RLP:CLR SCK NOP NOP MOV C,MISO RLC A SETB SCK DJNZ R1,RLP MOV R0,A RET,(写程序略),2023/8/6,15,主要性能,8.3 串行时钟日历芯片DS1302及其接口,DS1302,含有实时时钟/日历和31字节静态RAM,8.3.1 DS1302的性能与引脚,计算2100 年之前的秒、分、时、日、星期、月和年,能进行闰年调整;31字节数据RAM;引脚与TTL 兼容;工作电流小于300nA,有备份电源和涓流充电能力。,2023/8/6,1

7、6,引脚定义,I/O:数据输入/输出引脚 SCLK:串行时钟输入引脚 RST复位引脚 GND:接地引脚 Vcc1、Vcc2:工作电源、备份电源引脚 X1、X2:晶振接入管脚。晶振频率为32.768KHz。,2023/8/6,17,命令字格式,8.3.2 DS1302的操作,D7位:固定为1 R/C位:为0时选择操作时钟,为1时选择操作RAM A4A3A2A1A0:操作地址 R/W位:为0时进行写操作,为1时进行读操作,2023/8/6,18,单字节操作,写操作,读操作,2023/8/6,19,多字节操作(突发模式),每次写入或读出8个字节时钟日历数据或31个字节RAM数据。与单字节时相似,仅需

8、将A0A4换成“11111”。,2023/8/6,20,8.3.3 DS1302的寄存器及RAM,日历时钟相关寄存器,2023/8/6,21,注意:1、秒寄存器的CH位:置1,时钟停振,进入低功耗态;置0,时钟工作。2、小时寄存器的D7位:置1,12小时制(D5置1表示上午,置0表示下午);置0,24小时制(此时D5、D4组成小时的十位)。,2023/8/6,22,其它寄存器及RAM,2023/8/6,23,注意:1、WP:写保护位:置为1时,写保护;置为0时,未写保护。2、TCS:1010时慢充电;DS为01,选一个二极管,为10,选2个二极管;11或00,禁止充电。3、RS:与二极管串联电阻选择。00,不充电;01,2K电阻;10,4K电阻;11,8K电阻。,2023/8/6,24,8.3.4 DS1302与单片机的接口,接口电路,驱动程序(略),2023/8/6,25,Thank You!,

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