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1、薄膜材料制备技术,参考书及参考资料网址,参考书：薄膜材料制备原理、技术及应用 冶金出版社 1998年5月第一版，2003年1月第二版邮箱地址：密码：123456邮箱地址：密码：123456,引 言,薄膜材料 薄膜材料的应用 薄膜技术所研究的内容,used a personal computer?used a CD player?used a touching screen in an ATM?used a pair of glasses?Have you realized that without thin film technology,there would be no modern ci
2、vilization?,Have you ever?,Worldwide market of raw materials for thin film technology,The market has been estimated at$7.1 billion in 2004 and was projected as$13.5 billion by 2009.it rises at an averaged annual growth rate of 13.7%.,薄膜材料的定义,利用特殊的技术手段,人为制得的、其一维尺度显著小于另外两维尺度的、具有特定性能与用途的材料.A thin film
3、is a layer of material with a high surface-to-volume ratio.It is a very thin coating applied to things that we use everyday.Thin Films can be made of many different materials and can be applied to almost any surface.It is an important and exciting branch of material science.,薄膜材料的特点,一般并不是单独存在的 结合了不同
4、材料的不同特性 种类繁多 需要使用特殊的制备与研究方法,为什么要发展薄膜材料,三个理由：不同材料特性的优势互补 微电子技术、光电子技术的发展 功能性结构的微小型化,薄膜材料的应用,耐磨、防腐与装饰涂层 光学涂层 光电薄膜 微电子技术 磁存储技术 微机电系统,耐磨、防腐与装饰涂层,光学涂层材料,光电薄膜材料,微电子技术中的薄膜材料:MOSFET,N+,N+,Polysilicon,Thin gate oxide,Thick oxides,Interconnect metal,Heavily doped region,磁存储技术中的薄膜材料:磁头与磁记录介质,Materials today,JAN
5、-FEB 2007|VOLUME 10|NUMBER 1-2 47Diamond-like carbon for data and beer storage REVIEW,微机电系统中的薄膜材料:微型反射镜组,Metals:Al,Cu,Au Glass:SiOx,SiNx Ceramics:YBCO,PZT Semiconductors:Si,GaAs Polymers:PE,PMMA,Thin films materials may include:,薄膜材料技术的研究内容,薄膜材料的制备技术手段；薄膜材料的结构理论；薄膜材料的表征技术；薄膜材料的体系、性能与应用,Old preparati
6、on procedures include:Dipping Spraying Painting Electro-deposition,早期的薄膜制备方法,小结:现代的薄膜材料科学与技术,Thin film technology is the art and science to deposit thin layers of materials on a substrate for various applications.With a modern thin film technology,the material layer is formed one atom or molecule at
7、 a time.It takes place in vacuum,to deposit a uniform layer and to avoid contamination.,Example:A coater for tool coatings,A coater line for CDs and DVDs,A coating system for hard disks,A clustered coating system for IC,A coater for flat panel displays,A commercial CVD equipment for film deposition
8、on Si wafers in semiconductor industry,K.L.Choy/Progress in Materials Science 48(2003)57170,An in-line PECVD machine for solar cells,A.G.Aberle/Solar Energy Materials&Solar Cells 65(2001)239248,used by the Japanese manufacturer Shimadzu Corp.,to deposit SiNx coatings,featuring a deposition area of 0
9、.93m1.28m and a throughput of 1485 Si wafers(area 100 cm2)/hr,PECVD system at RWE-Schott Solar,Germany with a-Si solar cells production capacity of 3 MWp/yr,W.Diehl et al./Surface&Coatings Technology 193(2005)329334 331,a-Si absorber layer will be produced,第一讲,薄膜技术的真空技术基础Fundamentals of vacuum techn
10、ology in thin films techniques,要 点,气体分子运动论的基本概念 真空获得的手段 真空度的测量,薄膜材料的制备过程是:atom by atom 几乎所有的现代薄膜材料都是在真空或是在较低的气体压力下制备的，都涉及到气相的产生、输运以及气相反应的过程。,薄膜材料与真空技术,大气压:atm,kg/cm2,bar Pa:N/m2 Torr:mmHg,气体压力的单位与换算,1atm=1000mbar=0.1MPa1Torr=133Pa,薄膜技术领域：从10-7Pa到105Pa，覆盖了12个数量级,气体的压力:理想气体的状态方程 气体分子的速度分布:Maxwell-Bolt
11、zmann分布 气体分子的自由程、碰撞频率:,分子运动学的基本概念,H2和Al原子在不同温度下的速度分布,典型值：在T=300K时，空气分子的平均运动速度:va 460m/s,气体分子的自由程,空气分子的有效截面半径d 0.5nm。在常温常压下，气体分子的平均自由程 50nm，每个空气分子每秒钟内要经历1010次碰撞。在气体压力低于10-4Pa的情况下，其平均自由程 50m，每个空气分子每秒钟内只经历10次碰撞；气体分子间的碰撞几率已很小，气体分子的碰撞将主要是其与容器器壁之间的碰撞。,气体流动状态与气体压力、真空容器尺寸的关系,根据Knudsen准数Kn:Kn110 粘滞流状态,粘滞态气流的
12、两种不同的流动状态,根据Reynolds准数Re:Re2200 紊流状态 Re1200 层流状态,气体分子对单位面积表面的碰撞频率，称单位面积上气体分子的通量,气体分子的通量（Knudsen方程）,气体压力高时，分子频繁碰撞物体表面；气体压力低时，分子对物体表面的碰撞可以忽略,气体分子通量的应用:杂质的污染,假设每个向表面运动来的气体分子都是杂质，而每个杂质气体分子都会被表面所俘获，则可估计出不同的真空环境中，清洁表面被杂质气体分子污染所需要的时间为：,在常温常压下，3.510-9秒；10-8Pa时，10 小时,这一方面说明了真空环境的重要性。同时,气体分子通量还决定了薄膜的沉积速率。,在薄膜
13、技术领域，人为地将真空环境粗略地划分为:低真空 102 Pa中真空 102 10-1 Pa高真空 10-1 10-5 Pa超高真空 10-5 Pa,真空度的划分,为获得真空环境，需要选用不同的真空泵，而它们的一个主要指标是其抽速Sp，其定义为(L/s)真空泵的抽速Sp与管路的流导C有着相同的物理量纲，且二者对维持系统的真空度起着同样重要的作用,真空泵的抽速,真空泵可以达到的极限真空度,实际的真空系统总存在气体回流、气体泄露、气体释放等现象。设其等效的气体流量Qp 0，并忽略管路流阻(流导C为无穷大，p=pp)，则气压随时间的变化曲线为,则极限真空度:,有限流导情况下真空泵的抽速,当真空管路流导
14、为有限，真空容器出口与真空泵入口处的气体压力不相等，但气体流量相等。泵的实际抽速S降低为,即抽速S永远小于泵的理论抽速Sp，且永远小于管路流导C。即S受Sp和C二者中较小的一个所限制。,真空泵的分类,输运式（排出式）机械式 气流式捕获式（内消式）可逆式 不可逆式,旋片式机械真空泵的外形图,旋片式机械真空泵的结构示意图,镇气阀：空气可通过此阀掺入排气室以降低压缩比，从而使大部分蒸汽不致凝结而和掺入的气体一起被排除泵外。,旋片式机械真空泵的抽速曲线,极限真空度可达10-1Pa左右，但有油污染问题,罗茨泵的外形图,罗茨泵的结构示意图,罗茨泵不使用油作密封介质，少油污染其适用的压力范围是在0.1-10
15、00Pa之间,罗茨泵组成的真空机组的外形图,罗茨泵可与旋片式机械泵串联成真空机组使用，降低每台泵的负荷，扩大可获得的真空度范围,罗茨泵组成的真空机组的抽速曲线,组成机组使其极限真空度提高到10-2Pa,油扩散泵的外形图,油扩散泵的结构示意图,扩散泵油在高温下会发生氧化，因此扩散泵需要在优于10-2Pa的较高真空度下工作,油扩散泵组成的真空机组的外形图,由扩散泵组成真空机组，其极限真空可达110-5Pa，但油污染的问题较为严重,涡轮分子泵的外形图,涡轮分子泵的结构示意图,涡轮分子泵运转速度极高，因此需要在优于1Pa的较高真空度下运转,涡轮分子泵的抽速曲线,涡轮分子泵的极限真空度达10-8Pa，适
16、用的压力范围在110-8Pa之间,隔膜真空泵的外形图,隔膜泵的能力较小(1L/s)，极限真空度较差(100Pa)，但无油污染问题,干泵系统的外形图,干泵的能力较大(100L/s)，极限真空度较高(10-2Pa)，无严重的油污染问题,低温吸附(液氦冷凝)泵的外形图,低温吸附(液氦冷凝)泵的结构示意图,低温吸附泵的极限真空度可达10-8Pa。其效能取决于所用的低温温度、被吸附气体的种类、数量、吸附表面的面积等,溅射离子泵的外形图,溅射离子泵的结构示意图,溅射离子泵的极限真空度可以达到10-9Pa,常用真空泵的工作范围,不同泵种的工作压力范围不同。因而常将两种或三种真空泵结合起来组成真空机组,真空测
17、量方法的分类,(各种物理的方法),热电势法电阻法电离法电容法,热偶式的真空规,热偶规仅适用于0.1100Pa的低真空范围,皮拉尼电阻真空规,皮拉尼电阻真空规,其原理、真空测量范围与热偶规相似,电离式真空规,电离式真空规,电离真空规可测量的压力范围为1Pa-10-7Pa,薄膜式电容真空规,薄膜式电容真空规,薄膜规线性度好，但其探测下限约为10-3Pa,压阻式真空规,利用Si元件的压阻特性，测量范围10-105Pa,常用真空测量方法的适用范围,不同的真空测量方法所适用的压力范围不同。因此常将不同的方法结合起来使用，拓宽压力测量的范围。,例一：薄膜制备系统:金属喷镀仪,金属喷镀仪的真空系统参数,真空
18、室：4.75英寸H4.75英寸真空泵：双级旋片机械泵 极限真空度：610-2Pa 抽速：0.5L/s 真空计：皮拉尼电阻真空规（0.1Pa-大气压）,例二：薄膜制备系统:分子束外延设备,真空室：28 英寸H15 英寸极限真空：510-8 Torr真空泵：低温冷凝泵（或分子泵）1500L/s 旋片机械泵 12L/s真空计：电离规2，热偶规2，皮 拉尼规2，薄膜规1,分子束外延设备的真空系统参数,典型薄膜制备系统的结构图,第一讲 小结,薄膜材料在现代科技领域占有重要的地位，可作为大家今后作为材料科学家或工程师的职业方向真空技术是现代薄膜材料技术的基础不同的薄膜制备方法涉及到不同的真空环境真空度不同的真空度需要采用不同的真空获得方法与真空测量方法,基本概念复习,为什么在薄膜制备技术的讨论中，先要讨论真空环境与真空技术？熟悉真空度的物理单位及其相互换算。根据气体流动状态所表现出的特性，我们是如何划分气体流动状态的？说明分子通量的物理意义？讨论分子通量是如何影响薄膜纯度和薄膜沉积速率的。了解真空泵的主要性能指标。了解主要的真空泵种类。了解主要的真空测量方法。简要说明典型薄膜制备系统的组成。,
