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1、半导体制造技术,陈弈星,第四章 硅和硅片制备,学习目标：1.硅原材料怎样精炼成半导体级硅2.解释晶体结构和单晶硅的生长方法3.硅晶体的主要缺陷种类3.描述硅片制备的基本步骤4.对硅片供应商的7种质量标准5.外延对硅片的重要性。,在这一章里，主要介绍沙子转变成晶体，以及硅片和用于芯片制造级的抛光片的生产步骤。高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆，最早使用的是1英寸，而现在300mm直径的晶圆已经投入生产线了。因为晶圆直径越大，单个芯片的生产成本就越低。然而，直径越大，晶体结构上和电学性能的一致性就越难以保证，这正是对晶圆生产的一个挑战。,物质分为晶体(单晶，多晶)和非晶体非晶：原子排列无序晶
2、胞：长程有序的原子模式最基本的实体就是晶胞，晶胞是三维结构中最简单的由原子组成的重复单元。单晶：晶胞在三维方向上整齐地重复排列。多晶体：晶胞排列不规律,2.1 硅的晶体结构,非晶原子排列,三维结构的晶胞,多晶和单晶结构,晶体结构的原子排列,Figure 4.2,10,晶面（用密勒指数表示）,硅晶圆中最常使用的晶面是和,（100）晶面的晶圆用来制造MOS器件和电路,（111）晶面的晶圆用来制造双极性器件和电路,砷化镓技术使用（100）晶面的硅片,晶面密勒指数,Figure 4.9,晶体缺陷,定义,晶体缺陷的影响,半导体器件需要高度完美的晶体，但是，即使使用了最成熟的技术，完美的晶体还是得不到的。
3、不完美叫做晶体缺陷。,A：生长出不均匀的二氧化硅膜,B：淀积的外延膜质量差,C：掺杂层不均匀,D：在完成的器件中引起有害的漏电流，导致器件不能正常工作。,硅中三种普遍的缺陷形式,点缺陷：原子层面的局部缺陷位错：错位的晶胞层错：晶体结构的缺陷,14,A：点缺陷 形成原因晶体里杂质原子挤压晶体结构引起的应力所致,B：位错（单晶里一组晶胞排错位置）,形成原因：晶体生长条件、晶体内的晶格应力、制造过程中的物理损坏,常见有滑移（晶体平面产生的晶体滑移）和挛晶（同一界面生长出两种不同方向的晶体），二者是晶体报废的主要原因。,C：层错,17,硅晶圆制备的四个阶段,A：矿石到高纯气体的转变（石英砂冶炼制粗硅）
4、,B：气体到多晶的转变,C：多晶到单晶，掺杂晶棒的转变（拉单晶、晶体生长）,D：晶棒到晶圆的制备,芯片制造的第一阶段：材料准备,芯片制造的第二阶段：晶体生长和晶圆制备,18,冶炼SiO2+C Si+CO或者得到的是冶金级硅，主要杂质：Fe、Al、C、B、P、Cu要进一步提纯。酸洗硅不溶于酸，所以粗硅的初步提纯是用HCl、H2SO4、王水，HF等混酸泡洗至Si含量99.7%以上。,19,精馏提纯将酸洗过的硅转化为SiHCl3或 SiCl4，Si+3HCl（g）SiHCl3+H2 Si+2Cl2 SiCl4 好处：常温下SiHCl3 与SiCl4都是气态，SiHCl3的沸点仅为31,20,还原 多
5、用H2来还原SiHCl3或SiCl4得到半导体纯度的多晶硅：SiCl4+2H2 Si+4HCl SiHCl3+H2 Si+3HCl 原因：氢气易于净化，且在Si中溶解度极低,21,晶体生长,定义:把多晶块转变成一个大单晶，给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。,按制备时有无使用坩埚分为两类：有坩埚的：直拉法、磁控直 拉法、液体掩盖直拉法；无坩埚的：悬浮区熔法。,22,直拉法Czochralski法（CZ法）,起源1918年由Czochralski从熔融金属中拉制细灯丝，50年代开发出与此类似的直拉法生长单晶硅，这是生长单晶硅的主流技术。,一块具有所需要晶向的单晶硅作为籽晶来生长硅
6、锭，生长的单晶硅就像是籽晶的复制品坩锅里的硅被单晶炉加热，硅变成熔体籽晶与熔体表面接触，并旋转，旋转方向与坩锅的旋转方向相反。随着籽晶在直拉过程中离开熔体，熔体上的液体会因为表面张力而提高。随着籽晶从熔体中拉出，与籽晶有同样晶向的单晶就生长出来。,CZ直拉法的生长方法,1）设备：石英坩埚、高频加热线圈等2）材料：半导体多晶材料和掺杂物、籽晶3）晶体生长的结构与籽晶晶体结构一致,27,CZ法工艺流程,准备：腐蚀清洗多晶籽晶准备装炉真空操作 开炉：升温水冷通气 生长：引晶缩晶放肩等径生长收尾 停炉：降温停气停止抽真空开炉,生长过程(掌握),1.籽晶熔接:加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时
7、间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶”。“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm。,3.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征棱的出现可帮助我们判
8、别，方向应有对称三条棱，方向有对称的四条棱。4.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。5.收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。,CZ法晶体提拉,資料來源:http:/,优点：所生长单晶的直径较大优点：成本相对较低缺点：熔体与坩埚接触，易引入氧杂质，不易生长高电阻率单晶（含氧量通常10-40ppm)SiO2=Si+O2（石英坩锅高温下）当单晶在300-600度冷却时，氧会被激活成为施主,因此能改变单晶的电阻率。直拉单晶在1200度退火
9、使氧沉积，可使氧施主的浓度降至1014/厘米3,电阻率会发生明显的变化。（50欧.厘米的P硅掺入1014/厘米3的硼)掺杂时，沿轴向电阻率分布不均匀，对于k小于1的杂质，靠近籽晶的一端电阻率较高,直拉法生长单晶的特点,32,悬浮区熔法是一种无坩埚的晶体生长方法，多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。熔区的存在是由于融体表面张力的缘故，悬浮区熔法没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。,两种方法的比较,CZ法是较常用的方法价格便宜较大的晶圆尺寸(直径300 mm)晶体碎片和多晶态硅再利用悬浮区熔法 纯度较高
10、(不用坩埚)价格较高，晶圆尺寸较小(150 mm)高压大功率元件,35,直拉法和区熔法晶体生长的比较,硅片的制备,整型处理：1.去掉两端；2.径向研磨；3.硅片定位边或定位槽,切片（内圆切割机/线锯）,磨片和倒角,粗略研磨；使用传统的浆料；移除表面大部分损伤产生平坦的表面减小位错的影响,刻蚀,消除硅片表面的损伤和沾污将硝酸(水中浓度79%),氢氟酸(水中浓度49%),和纯醋酸 依照4:1:3 比例混合.化学反应式:3 Si+4 HNO3+6 HF 3 H2SiF6+4 NO+8 H2O,普通的磨片完成过后硅片表面还有一个薄层的表面缺陷。现在的抛光是机械加化学，经过抛光工艺后使硅片表面真正达到高
11、度平整、光洁如镜的理想表面。,抛光,研磨液,研磨垫,压力,晶圆夹具,晶圆,抛光,200 mm的晶圆厚度和表面平坦度的变化,76 mm,914 mm,晶圆切片之后,边缘圆滑化之后,76 mm,914 mm,12.5 mm,814 mm,2.5 mm,750 mm,725 mm,几乎是零缺陷的表面,粗磨之后,刻蚀之后,CMP 之后,清洗硅片评估包装,质量测量,物理尺寸平整度微粗糙度氧含量晶体缺陷颗粒体电阻率,硅片要求,物理尺寸：直径 厚度 晶向位置和尺寸 定位边 硅片变形,平整度：通过硅片的直线上的厚度变化。对光刻工艺很重要。有局部平整度和整体平整度之分,微粗糙度 测量了硅片表面最高点和最低点的高
12、度差别，用均方根表示。用几种光学表面形貌分析仪的一种进行的。,氧含量 少量的氧能起俘获中心的作用，束缚硅中的沾污物。然而过量的氧会影响硅的机械和电学特性。通过横断面检测。,晶体缺陷 目前的要求是每平方厘米的晶体缺陷少于1000个。横断面技术史一种控制晶体体内微缺陷的方法。,颗粒 尺寸大于或等于0.08um。200mm的硅片表面每平方厘米少于0.13个颗粒。体电阻率 依赖于杂质浓度。用四探针方法测量。,外延层,单晶提高电路性能，降低闩锁效应通常没有沾污不同工艺的外延层厚度可以不同,外延层应用,N型外延层,p,n,+,n,+,P型衬底,电流,n,+,深埋层,p+,p+,SiO2,AlCuSi,基极,集电极,发射极,外延层应用,P型衬底,N阱,P阱,STI,n+,n+,USG,p+,p+,金属 1,AlCu,BPSG,W,P型外延层,小结,硅原材料怎样精炼成半导体级硅晶体缺陷和晶面CZ直拉法硅片制备的基本步骤对硅片供应商的7种质量标准,
