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1、第四单元：薄膜技术,第8章：晶体外延生长技术第9章：薄膜物理淀积技术第10章：薄膜化学汽相淀积,第8章：晶体外延生长技术,8.1外延层的生长生长的一般原理和过程SiCl4的氢化还原成核长大,一般认为反应过程是多形式的两步过程如:(1)气相中 SiCl4+H2=SiCl2+2HCl 生长层表面 2SiCl2=Si+SiCl4(2)气相中 SiCl4+H2=SiHCl3+HCl 生长层表面 SHiCl3+H2=Si+3HCl,在(111)面上生长,稳定的是双层面,位置7、8、9比位置1、2、3、4稳定,在一定的衬底温度下，1、2、3、4位的原子很容易扩散（游离）到7、8、9相应的位置，使生长迅速在
2、横向扩展。即，可看成是多成核中心的二维生长。如：1200C时V（111）几百埃/分V（112）几百微米/分,生长动力学与热氧化过程不同的是，外延时只有气相质量转移过程和表面吸附（反应）过程。,因而，气相外延是由下述步骤组成的多相过程1）反应剂分子以扩散方式从气相转移到生长层 表面2）反应剂分子在生长层表面吸附；3）被吸附的反应剂分子在生长层的表面完成化 学反应，产生硅原子及其它副产物；4）副产物分子丛表面解吸；5）解吸的副产物以扩散的形式转移到气相，随 主气流排出反应腔；6）反应所生成的硅原子定位于晶格点阵，形成 单晶外延层；,因而在反应剂浓度较小时有：,KS为表面化学反应系数，hG气相质量转
3、移（传输）系数NT为分子总浓度，Y为反应剂摩尔数,v为外延层的生长速率(14.2),1）生长速率和反应剂浓度的关系正比（a）！（b）、（c）？,SiCl4（气）+Si（固）2SiCl2（气）,2）生长速率与外延温度的关系对于SiCl4，Ea1.9eV SiH4，Ea 1.6eV DG0：0.11cm2s-1 a：1.752,在较高温度下：kShG质量转移控制在较低温度下：kShG 表面反应控制,在高温段（质量转移控制）生长速率受温度影响小，便于控制（可为10C）,3）生长速率与衬底取向的关系v(110)v(100)v(111)?4)气相质量转移进一步分析可得：由这一公式可得出什么？,8.1.3
4、 外延堆垛层错 CCAAAAAAAAAAAAACCBBBCCCCCCCCCCCCCBBB AAABBBBBBBBBBBAAAAA CCCAAAAAAAAACCCCC BBBBCCCCCCCCCBBBBB AAAAABBBBBBBAAAAAA CCCCCCAAAAACCCCCCCBBBBBBBBCCCBBBBBBBB AAAAAAAABAAAAAAAAA,层错(失配晶核)产生的原因：晶面的缺陷(机械损伤、位错、微缺陷、氧化斑点、杂质沉陷区)和表面污染（灰尘、杂质等），气体和反应剂的纯度不够，温度过低或起伏过大，生长速率过快等。HCl汽相抛光,8.2（汽相）外延生长工艺8.2.1 外延层中的掺杂在
5、外延反应剂中加入掺杂剂（如：PH3、PCl3、PCl5、AsCl3、AsH3、SbCl3、SbH3和BBr3、BCl3、B2H6等）,1）掺杂浓度受汽相中的掺杂剂分气压控制,2）生长速率和温度的影响为什么温度升高会使浓度降低？,Silicon Vapor Phase Epitaxy Reactors,8.2.2 外延过程中的杂质再分布和自掺杂,1）衬底杂质的再分布N1（见page 228）在外延区：时（一般都成立）2）掺入杂质的再分布总分布为：N=N1+N2,3）自掺杂（autodoping）效应衬底中的杂质不断地蒸发出来，进入总气流并掺入外延层。4）减小自掺杂效应措施衬底杂质的选择：（扩散系
6、数小、蒸发速率低，如Sb）两步外延、低温（变温）技术（如选择适当的化学体系、光照、等离子体等）、低压技术、掩蔽技术等8.2.3 清洁技术8.2.4 外延层性能检测电阻率、杂质分布、厚度、缺陷,红外干涉法 IR（Infrared）Reflection，（coherence）,Page 369,8.2.4 外延过程中的图形漂移 对策：晶向偏25,含Cl,(100),8.3 GaAs外延生长工艺1）汽相外延 难点：As压与生长速率的控制（缺陷）,2）液相外延（LPE）特点：杂质均匀、缺陷少，表面质量差、厚度不易控制,8.4异质结问题晶格失配对策：衬底材料的晶向、过度层,缺陷控制和掺杂问题对策：催化、
7、过度层；新技术；主流技术：气相外延,8.5 先进外延生技术1）MBE（molecular beam epitaxy),可以控制到单原子层,2)MOVPE(Metal-organic vapor phase epitaxy)金属氧化物分解(375380)如：三甲基铟、镓（、）三乙基铟（）MR3（金属烷基）+XH3（氢化物）=MX+3RH如：Ga（CH3）3+AsH3=GaAs+3CH4又如：xAlCH3）3+（1-x）Ga（CH3）3+AsH3=GaAs+3CH4特点：低温分解（500C）、生长速率易于控制、杂质易于控制、生产效率远高于MBE,3)SOI(Silicon on Insulators)*SOS（Silicon on Sapphire)是一种异质外延，通常Sapphire的晶向选为（0112）、（1012）、（1102）等*SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)目前已经较广泛应用,*Wafer Bonding（Smart Cut）,To form gas void layer,对于Si低温600C；高质量薄外延层0.2m表面粗糙度2均匀性5%（200mm）金属污染5x1010/cm3,选择性外延(SEG)14.6,Epi-layer Formation during Plasma-Based,
