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1、多晶矽TFT LCD應用,指導老師：許進明學 生：曾祥修學 號：96L0231,大綱,多晶矽TFT LCD元件結構TFT LCD目前技術分為低溫多晶矽多晶矽TFT薄膜製作方法多晶矽TFT薄膜在元件之功能多晶矽TFT薄膜的特性要求多晶矽TFT薄膜的優點參考文獻,多晶矽TFT LCD元件結構,TFT-LCD 即是thin-film transistor liquid-crystal display(薄膜電晶體液晶顯示器)的縮寫TFT-LCD。,TFT LCD目前技術分為,TFT LCD目前技術分為 非晶矽(a-Si TFT)多晶矽(Poly-Si TFT)高溫多晶矽 必須以攝氏1000度以上製程。
2、低溫多晶矽 600度上下製程。準分子雷射退火法(ELA)固相結晶法(SPC)金屬又發結晶（MIC/MICL）,低溫多晶矽（準分子雷射）,準分子雷射的工作物質是準分子氣體。準分子就是一種處於激發態的複合粒子，在標準狀態下，即在基態時，它處於分離狀態，而在激發態處於分子狀態。,低溫多晶矽（固相結晶）,固相結晶技術成本最低，也是最容易使用的方式。一般的作法是將非結晶矽薄膜放在爐管中進行退火。為了得到較大的晶粒，可以改變非晶矽的沈積參數幾退火條件。,低溫多晶矽（金屬誘發結晶）,利用金屬語系反應成介穩定的矽化合物，在矽化物移動的過程中，金屬原子的自由電子Si-Si共價鍵發生反應，降低a-Si結晶所需的能
3、障降低，使得結晶問度降低。,退火前,退火後,多晶矽TFT薄膜製作方法,在玻璃基板上形成非晶矽薄膜(LP-CVD)/雷射退火形成LTPS(ELA)/圖形定義(第1道光罩)沉積二氧化矽作為閘極絕緣層(CVD)/濺鍍閘極金屬層/圖形定義閘極(第2道光罩)遮蔽N-LDD(第3道光罩)/N+S/D離子佈植N-LDD(輕摻雜汲極）離子佈植 二氧化矽沉積/圖形定義接觸孔(第4道光罩)濺鍍S/D金屬層/形成S/D電極(第5道光罩),多晶矽TFT薄膜在元件之功能,TFT（薄膜電晶體）靠電極間電場的驅動，引起液晶分子扭轉向列的電場效應，以控制光源的透射或遮斷功能。,多晶矽TFT薄膜在元件之功能,A A為TFTB
4、B為液晶電容,多晶矽TFT薄膜的特性要求,多晶矽晶膜結晶晶粒尺大小要均勻與晶粒邊界數量要一致，避免電晶體元件在電特性上成生不穩。I.500nm S.300nm,多晶矽TFT薄膜的優點,低溫多晶矽與a-Si TFT最大的差異在於p-Si TFT的電晶體需進一步接受雷射回火的製程步驟，將非晶矽的薄膜轉變為多晶矽薄膜層，使得p-Si TFT在矽晶結構上較a-Si TFT來的排列有序。多晶矽(Poly Si)TFTLCD與非晶矽(a-Si)TFTLCD特性差異大，多晶矽提升電子遷移率達200(cm2/V-sec)，反應時間快10倍以上、多晶矽電子移動速度較快使得面板厚度可縮小、多晶矽開口率高出70%以上、多晶矽可採更低功耗背光源差異。,多晶矽TFT薄膜的優點,1.反映速度加快 2.輕薄化3.降低材料成本4.省電特性 5.高解析度6.降低不良率,。,參考文獻,http:/ind.ntou.edu.tw/oesemi/new_page_24.htm國立成功大學 工程科學研究所 低溫多晶矽薄膜製成研究 陳毓儒國立雲科 光電工程研究所 金屬誘發結晶法研製太陽電池之低溫多晶矽薄膜 劉育誠東華大學材料科學與工程學系平面顯示器技術 張文固 博 士,
