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1、第12章 存储器和可编程逻辑器件,数字逻辑器件分类:,1)标准产品:包括门、触发器、计数器、译码器、数据选择器等等中小规模数字电路。,标准产品的特点是:批量大,成本低,价格便宜,速度快。是数字系统传统设计中使用的主要逻辑器件。,缺点是:器件密度低,所构成的数字系统规模大,印刷线路板走线复杂,焊点多,使电路的可靠性差,功耗大。,2)由软件配置的大规模集成电路:如微处理机、单片微型计算机等。,12.1 概述,这类电路的特点:器件密度高,逻辑功能可由软件配置,用它所构成的数字系统硬件规模小,系统灵活性高。,缺点:工作速度不够高,另外,这类芯片一般要用多片标准集成电路构成外围电路才能工作。,3)专用集
2、成电路(ASIC)Application Specific Integrated Circuit,ASIC是为满足一种或几种特定功能而设计制造的集成电路芯片,密度高,ASIC芯片能取代由若干个中小规模电路组成的电路板,甚至一个完整的数字系统,ASIC分类:ASIC属用户定制电路。(Custom Design IC).包括全定制和半定制两种。,全定制(Full custom design IC):半导体生产厂家根据用户的特定要求专门设计并制造。,特点:生产周期长,费用高,风险大。在大批量定型产品中使用。,半定制(Semi-custom design IC):半导体生产厂家设计并制造出的标准的半成
3、品芯片。,半定制电路分类:,门阵列(Gate Array),在硅片上预先做好大量相同的基本单元电路,并把它整齐地排成阵列,这种半成品芯片称为母片。母片可由厂家大批量生产。,当用户需制作满足特定要求的ASIC芯片时,可根据设计要求选择母片,由用户或厂家设计出连线版图,再由器件生产厂家经过金属连线等简单工艺,制成成品电路。,缺点:用户主动性差,使用不方便。,特点:周期较短,成本较低,风险小。,可编程逻辑器件(PLD)(Programmable Logic Device),芯片上的电路和金属引线由半导体厂家做好,其逻辑功能由用户开发实现。,特点:集成度高,速度快,灵活性好,可重复编程。电路设计方便,
4、风险低。,1.PLD器件的连接表示方法,2.门电路表示法,3.阵列图,12.2 存储器,存储器是一种通用大规模集成电路,用来存放程序和数据.,存储器分类:1)只读存储器(ROM)2)随机存取存储器(RAM),12.2.1 ROM(Read-Only Memory),ROM存放固定信息,只能读出信息,不能写入信息.当电源切断时,信息依然保留.,1.ROM的结构,地址译码器为二进制译码器,即全译码结构.(地址线为n根,译码器输出为2n根字线,说明存储阵列中有2n个存储单元),2)存储阵列输出有m根位线,说明每个存储单元有m位,即 一个字有m位二进制信息组成.每一位称为一个基本存 储单元.,3)存储
5、器的容量定义为:字数位数(2nm).,一个二极管ROM的例子,A1 A0 F0 F1 F2 F30 0 0 1 0 00 1 1 0 0 1 0 0 1 1 01 1 0 0 1 0,W0W3为地址译码器的输出 Wi=mi(mi为地址码组成 的最小项),当A1A0=00时,W0=1,F0F1F2F3=0100(一个字);当A1A0=01时,W1=1,F0F1F2F3=1001(一个字);当A1A0=10时,W2=1,F0F1F2F3=0110(一个字);当A1A0=11时,W3=1,F0F1F2F3=0010(一个字)。,将地址输入和Fi之间的关系填入真值表得:,ROM实际是一种组合电路结构。
6、,阵列图,与阵列:表示译码器。,或阵列:表示存储阵列。,存储容量为:44,2.可编程只读存储器,用户可根据需要自行进行编程的存储器.,1)PROM(Programmable Read-Only Memory),PROM为能进行一次编程的ROM,PROM的结构和ROM基本相同,只是在每个存储管上加一根易熔的金属丝接到相应的位线.,当在该位上需要存0时,通过编程,烧断熔丝;当需存1时,保留熔丝.,编程为一次性的,烧断的熔丝不能再接上.,2)EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory),EPROM为可擦除、可重新编程的只读存储器.擦除用专用的紫外线灯照射
7、芯片上的受光窗口.,EPROM器件的基本存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管(简称FAMOS管)电路.,原始状态的浮栅不带电荷,FAMOS管不导通,位线上为高电平.当FAMOS管的源极S与衬底接地电位,漏极接高电位(较大)时,漏极的PN结反向击穿产生雪崩现象,使FAMOS导通.位线为低电位.如用紫外线或者X射线照射FAMOS管,可使栅极放电,FAMOS恢复到截止状态.,一个EPROM芯片:Intel 2716,VPP是编程写入电源输入端。,容量:2K8位,3)E2PROM(电可擦可编程只读存储器),特点:编程和擦除均由电完成;既可整片擦除,也可使某些存储单元单独擦除;重复编程次数大大高于EPROM
8、.,3.PROM的应用,1)实现组合逻辑函数,用PROM实现组合逻辑函数,实际上是利用PROM中的最小项,通过或阵列编程,达到设计目的.,F1(A,B,C)=m(1,5,6,7),F2(A,B,C)=m(0,1,3,6,7),F3(A,B,C)=m(3,4,5,6,7),例:用PROM实现逻辑函数:,2)存放数据表和函数表:例如三角函数、对数、乘法等表 格。,3)存放调试好的程序。,*2)、3)是PROM的主要用途。,12.2.2 随机存取存储器(RAM),RAM可以随时从任一指定地址读出数据,也可以随时把数据写入任何指定的存储单元.,RAM在计算机中主要用来存放程序及程序执行过程中产生的中间
9、数据、运算结果等.,RAM按工艺分类:1)双极型;2)场效应管型。,场效应管型分为:1)静态;2)动态。,1.RAM的结构,2.RAM的存储单元,静态RAM的基本存储单元(以六管NMOS静态存储单元为例),2)动态RAM的基本存储电路,动态RAM的基本存储电路由动态MOS基本存储单元组成。动态MOS基本存储单元通常利用MOS管栅极电容或其它寄生电容的电荷存储效应来存储信息。,电路结构(以单管动态存储单元为例),写信息:字选线为1,T导通,数据D经T送入CS.,读信息:字选线为1,T导通,CS上的数据经T送入位线的等效电容CD.,特点:1)当不读信息时,电荷在电容CS上的保 存时间约为数毫秒到数
10、百毫秒;,2)当读出信息时,由于要对CD充电,使 CS上的电荷减少。为破坏性读出。,3)通常在CS上呈现的代表1和0信号的电平 值相差不大,故信号较弱。,结论:1)需加刷新电路;,2)输出端需加高鉴别能力的输出放大器。,3)容量较大的RAM集成电路一 般采用单管电 路。,4)容量较小的RAM集成电路一 般采用三 管或四 管电路。多管电路结构复杂,但外围电路简 单。,3)RAM容量的扩展,位扩展,将2114扩展为1K8位的RAM,字扩展,将2114扩展为2K4位的RAM,12.3 可编程逻辑器件(PLD),PLD是ASIC的一个重要分支。PLD包括PLA、PAL、GAL和EPLD、FPGA等。,
11、PLD具有集成度高,速度快,保密性好,可重复编程等特点。,根据与、或阵列的可编程性,PLD分为三种基本结构。,1)与阵列固定,或阵列可编程型结构,PROM属于这种结构。,2)与、或阵列均可编程型结构,PLA(Programmable Logic Array)属于这种结构。,特点:与阵列规模大,速度较低。,特点:速度快,设计逻辑函数可采用最简结构,芯片内部资源利用率高。但编程难度大,缺乏质高价廉的开发工具。,3)或阵列固定,与阵列可编程型结构,PAL(Programmable Array Logic)属于这种结构。,该结构称为PAL结构。,特点:速度快,费用低,易于编程。当前许多PLD器件都 采
12、用这种结构。,12.3.1 可编程阵列逻辑(PAL),PAL的基本结构,实际产品中,构成输出的乘积项可达8个.,1.PLA的输出结构,PAL的与阵列结构类同.但输出结构有多种:,1)组合输出型(这种结构适用于实现组合逻辑电路),专用输出结构,共有三种形式:高输出有效;低输出有效;互补输出.,本例为低输出有效,可编程I/O结构,2)寄存器输出型,寄存器输出型结构,内含触发器,适应于实现时序逻辑电路.,寄存器输出结构,带异或门的寄存器输出结构,算术运算反馈结构,PAL的结构代码,用PAL实现22乘法器(输入A1A0和B1B0分别为两位二进制数,输出为结果F3F2F1F0的反码。,逻辑方程为:,设计
13、采用PAL16L8,2.PAL应用举例,3.PAL器件的性能特点,逻辑功能由用户定义,用可编程方法代替常规 设计方法;,编程容易,开发简单,简化了系统设计和布线 过程;,器件密度大,可代替多片中小规模标准数字集成电路,比用常规器件节省空间;,器件传输延迟小,工作频率高,有利于提高系统的工作速度;,具有可编程的三态输出,管脚配置灵活,输入输出管脚数量可变;,具有加密功能,有利于系统保密;,采用多种工艺制造,可满足不同系统不同场合的各种需要。,12.3.2 通用阵列逻辑(GAL),GAL器件继承了PAL、PROM等器件的优点,克服了原有PAL器件的不足,是现代数字系统设计的理想器件.,1.GAL基本结构,GAL基本结构和PAL大致类似,只是在输出结构上作了重要改进.,OLMC结构,AC0、AC1(n)及XOR(n)均为GAL器件片内控制字中的结构控制位。结构控制字共有82位,不同的控制内容,可使OLMC被配置成不同的功能组态。,控制字的内容是在编程时由编程器根据用户定义 的管脚及实现的函数自动写入的。,2.GAL的主要特点,通用性强,100%可编程,速度高,功率低,100%可测试,12.3.3 PLD的开发过程,1)逻辑设计,2)器件选择,3)编制JEDEC文件,4)编程,5)测试,6)加密,