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1.6 太阳能光电转换原理光生伏特效应,半导体材料的光吸收,若入射光能量为I0，则在距离入射表面x处，光的能量为,为物体的吸收系数，表示光在物体中传播I/时，能量因吸收而衰减到原来的1/e,半导体材料的吸收系数较大，一般在10-5cm-1以上。,半导体材料的光吸收,若吸收的能量大于半导体材料的禁带宽度，就有可能使电子从价带跃迁到导带，从而产生电子空穴对，这种吸收为本征吸收。,半导体材料中光的吸收导致了非平衡载流子产生，总的载流子浓度增加，电导率增大，称为半导体材料的光电导现象。,半导体材料的光吸收,本征吸收,直接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量不变。直接带隙半导体：砷化镓,间接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量发生变化。间接带隙半导体：硅，锗,通常，间接带隙半导体的吸收系数要比间接带隙半导体的吸收系数低23个数量级。,半导体材料的光吸收,半导体吸收,光子能量小于禁带宽度时，依然有可能存在吸收。,
