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基础电子技术,逸夫楼607,本节内容,场效应晶体管特性、规律总结双极型和场效应晶体管的比较场效应管放大电路共源组态基本放大电路偏置、放大电路性能指标计算,总结1：根据符号识别管子,（1）PN结箭头总是表示PN结，由P指向NPN结总是反偏截止状态，栅极无电流（2）沟道DS间的连线表示沟道沟道为虚线：Ugs=0时沟道不存在，只有增强电压才能感应出电荷形成沟道增强型沟道为实线：Ugs=0时沟道存在，外加电压可形成电流结型、耗尽型。,总结2：P沟道 VS N沟道,N沟道Ugs越大，导电沟道越宽，iD越大uDS0，iD实际流向为DS,总结3：工作区域判断,（1）两端均开启（或均未夹断）：可变电阻区DS间等效为电阻RdsRds大小取决于UgsiD=UDs/Rds（2）一端开启（导通），一端夹断：恒流区DS间等效为受控电流源iD=gm*ug放大状态应工作区域（3）两端未开启（或均夹断）：截止区iD=0,P沟道转移特性曲线和漏极输出特性曲线与N沟道型场效应管以纵轴左右对称，即上述结论为：Ugs越小，导电沟道越宽，iD越大uDSD,另：NPN型晶体管与PNP型晶体管特性曲线也以纵轴对称,BJT VS FET,场效应管放大电路,共源组态基本放大电路,自给偏置,分压偏置及共源组态基本放大电路,
