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1、第一章 半导体器件,模拟电路习题解答,习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？,答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。,习题1-2假设一个二极管在50时的反向电流为10A，试问它在20和80时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10，反向电流大致增加一倍。,解：在20时的反向电流约为：,在80时的反向电流约为：,习题1-4已知在下图中，uI=10sint(V)，RL=1k，试对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和
2、反向电流可以忽略。,习题1-7在下图中，已知电源电压U=10V，R=200，RL=1k，稳压管的UZ=6V，试求：稳压管中的电流 IZ=？当电源电压U升高到12V时，IZ 将变为多少？当U仍为10V，但RL改为2k时，IZ 将变为多少？,解：,习题1-8设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为6V，当工作在正向时管压降均为0.7V，如果将他们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。,(1)12V,(1)6.7V,(1)1.4V,习题1-10假设有两个三极管，已知第一个管子的，则 当该管的 时，其IC1和IE1各等于多少？已知第二个管子的，则其若该管的IE2=
3、1mA，则IC2和IB2各等于多少？,解：,当时，,当时，,习题1-11设某三极管在20时的反向饱和电流ICBO=1A，=30；试估算该管在50的ICBO和穿透电流ICEO大致等于多少。已知每当温度升高10时，ICBO大约增大一倍，而每当温度升高1时，大约增大1%。,解：20时，,50时，,习题1-14已知图P1-14(a)(f)中各三极管的均为50，UBE0.7V，试分别估算各电路中的iC和uCE，判断它们各自工作在哪个区（截止、放大或饱和），并将各管子的iC和uCE对应在输出特性曲线上的位置分别画在图P1-14(g)上。,三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中A点。,三极管工作在放大区
4、，见图P1-14(g)中B点。,以上算出的IC 与UCE值是荒谬的，实质上此时三极管巳工作在饱和区，故IB=0.465 mA，ICVCC/RC=5mA，UCE=UCES 0.3V，见图P1-14(g)中C点。,三极管工作在截止区，见图P1-14(g)中D点。,三极管工作在截止区，见图P1-14(g)中E点（与D点重合）。,三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中F点。,图P1-14(g),习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。,解：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。(a)1发射极e，2集电极c，3基级b，三极管类型是NPN锗管。,(b)1集电极c，2发射极e，3基级b，三极管类型是PNP硅管。,习题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值，以及当uDS=15V，uGS=4V时的跨导gm。,由图可得，开启电压UGS(th)=2V，IDO=2.5mA，,
