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1、太阳能电池制作流程,20090318熊飞,太阳电池的制造过程,太阳电池制造过程-硅片检验,硅片来料检验外观 Appearance半导体导电极性 Si conduction type电阻率 Resistivity中心厚度 Central thickness平均厚度 Average thickness表面平坦度/总厚度偏差TTV(total thickness variation)翘曲度 Bow少数载流子寿命 Minority carrier lifetime边长/直径 Length wafer edges/Diameter,太阳电池制造过程-蚀刻制绒,蚀刻制绒的目的:去除切割损伤层和形成粗糙的吸
2、光表面.蚀刻机台:RENA InTex绒面蚀刻原理:单晶硅碱溶液蚀刻 Si+2NaOH+H2O Na2SiO3+2H2 流程为:KOH(NaOH)+IPA etch(60-90)DIW(去离子水)洗净HF去除氧化层热DIW洗净热风吹干多晶硅酸溶液蚀刻 Si+HNO3+HFH2SiF6+HNO2+H2O+H2 流程为:HNO3+HF+(CH3COOH)etch(5-20)KOH中和DIW(去离子水)洗净HCl去除金属离子DIW洗净热风吹干蚀刻深度 4.5um.,太阳电池制造过程-蚀刻制绒,单晶硅碱蚀刻,多晶硅酸蚀刻,10um,10um,太阳电池制造过程-扩散,扩散制程目的:形成PN结.扩散机台:
3、Tempress Tube Furnace(TS81254)原理:分为两个过程预沉积 4POCl3+3O22P2O5+6Cl2(800-900)磷驱入 2P2O5+5Si4P+5SiO2(850-950)扩散深度 0.3-0.5um 扩散方块电阻 50-80 ohm/sq.,太阳电池制造过程-去除磷硅玻璃,制程目的:去除含磷的二氧化硅层.蚀刻机台:RENA InOx原理:6HF+SiO2H2SiO6+2H2O(25)流程为:HF去除氧化层DIW洗净热风吹干.蚀刻速率选择比:ER(SiO2)/ER(Si)100,太阳电池制造过程-PECVD,PECVD制程目的:沉积抗反射膜(ARC)沉积机台:O
4、TB DEPx 1500原理:NH3+SiH4(400-500)SiNx+H2流程为:硅片装入加热沉积SiNx冷却破片清扫硅片卸出沉积厚度:80nm.,太阳电池制造过程-印刷烧结,网版印刷与烧结制程目的:印刷电极图案并且通过高温烧结与基底形成良好的金属接触。印刷烧结机台机台:OTB METx 1500(CDF7210)流程为:背电极印刷及烘干背电场印刷及烘干正面电极印刷及烘干前后表面高温共烧结正面主栅线(busbar)宽度:1.5mm正面副栅线(finger)宽度:120um,间距2.7mm.背面电极(busbar):4mm,太阳电池制造过程-印刷烧结,Front side busbar,Front side finger,Rear side busbar,太阳电池制造过程-边缘隔离,Laser切割制程目的:隔绝边缘结,防止电池的正面与背面短路.切割宽度约20um,切割深度约30um,距离边缘200um-300um.,太阳电池制造过程-测试分类,光电测试原理:利用模拟太阳光照射测量电池的输出电学参数.光电测试条件:温度25,光谱分布AM1.5,光强1000W/m2.光电测试主要参数短路电流Isc开路电压Voc最大功率Pmax=Imax Vmax填充因子FF=Pmax/(Isc Voc)转换效率=Pmax/Pin测试完成后按照转换效率的不同分类.,13,
