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1、2-4 单极型晶体管（场效应管）,学习要点：结型场效应管导电特性绝缘栅型场效应管（MOS管）的参数,单极型晶体管,2-4-1 结型场效应管,2-4-2 绝缘栅型场效应管(MOS管),2-4-3 场效应管特性参数,2-4-4 场效应管与三极管特性比较,退出,2-4-1 结型场效应管,双、单极型晶体管区别 1)双极型：属电流控制型 2)单极型：属电压控制型 场效应管分类(FET)1)结型（JFET）:“P沟道”，空穴导电“N沟道”，电子导电 2)绝缘栅型（MOS）：“增强型PMOS、NMOS”“耗尽型PMOS、NMOS”,1.结构与符号,(a)N沟道(b)P沟道,导通条件N沟道：uGS0、uDS
2、0 P沟道：uGS0、uDS 0,2.特性曲线（以N沟道为例）,N沟道结型场效应管特性曲线,可变电阻区,饱和区,截止区,击穿区,饱和漏电流,1)可变电阻区D、S间等效电阻RDS 栅源电压负值输出特性愈倾斜RDS称”可变电阻区”2)饱和区（恒流区）在放大电路中，一般就工作在这个区域 iD受 uGS控制（电压控制型），且近似线性关系（线段平行、等间距），所以称为线性放大区或恒流区。3)截止区（夹断区）iD0 击穿区当uGS耗尽层的电压栅漏间的PN结 雪崩击穿iD管子不能正常工作，不允许工作在这个区域,2-4-2 绝缘栅型场效应管(MOS管),栅极不导电，GS间等效电阻非常大，约1015,1.结构与
3、符号（仅给出NMOS。PMOS只是衬底电流方向相反）,N沟道绝缘栅场效应管的结构及符号(a)结构(b)增强型NMOS(c)耗尽型NMOS,2.特性曲线（以增强型NMOS为例）,总结：1）增强型MOS管加入uGS电压沟道形成导通 要求：NMOSuGSUGS(th)0 PMOSuGSUGS(th)0 UGS(th)“开启电压”，即沟道形成的最小电压 增强型MOS管所特有 2）耗尽型MOS管制造时内部已存在一个导电沟道 当uGS=0、uGS0时电流为常量IDSS称“漏极 饱和电流”当uGS=UGS(off)时原有导电沟道夹断不导电 UGS(off)“夹断电压”，耗尽型MOS管所特有 3）其它类型场效
4、应管工作特性见书P63,2-4-3 场效应管特性参数,1.开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off)当uDS一定时，使iD为某一最小值（刚导通）时所外加 的G-S电压 增强型存在UGS(th)耗尽型存在UGS(off)2.饱和漏电流IDSS 耗尽型管特有参数，且为当uGS=0时的漏电流3.低频跨导gm反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力4.极限参数 IDM：最大漏极电流。工作时允许的最大漏极电流。PDM：最大耗散功率。PDMuDSiD U(BR)DS：漏源击穿电压 U(BR)GS：栅源击穿电压,2-4-4 场效应管与三极管性能比较,课前复习及提问：1）NPN管在放大状态下各极电位的关系？2）三极管在共射、共集组态下的电流关系？3）三极管的三个工作区是什么？4）NPN、PNP管的区别？思考题：P67 1、2作业题：P146 2-5预习内容：1）常用半导体发光器件的四大类型 2）七段数码管的结构及使用,课后小结见黑板,
