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1、技能一 非线性电子元器件的检测工艺,二极管,三极管,内容介绍,本章介绍了非线性电子元器件的外形结构、标识符号和有关参数，同时也介绍了非线性电子元器件的筛选与检测方法。通过对本章的学习，应掌握正确选用元器件的准则，熟悉各种元器件的电气参数、性能用途，为设计时合理选择元器件打好基础，并为在生产实际中进行质量检测做好准备。,1.熟悉各种常用非线性电子元器件的类型和用途。2.熟悉各种常用非线性电子元器件的形状和规格。3.掌握用万用表检测常用非线性电子元器件的方法。,教学目标：,1.常用线性元器件的种类、作用与标识方法。2.万用表检测常用线性元器件的质量。,教学难点：1.常用线性元器件的种类、作用与标识
2、方法。2.万用表检测常用线性元器件的质量。,教学重点：,半导体二极管,1.构成 在PN结的基础上加上电极引线和封装外壳。2.特性 单向导电性,3.作用 整流、检波、嵌位、限幅、稳压、发光、开关等。,一、构成及特性,4.分类,半导体二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管,5.常用二极管的图形符号,二、国产二极管的型号命名,二极管材料和极性部分字母的含义,二极管类型部分字母的含义,二、国产二极管的型号命名,三、二极管的主要参数,1.最大整流电流 IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.最大反向电压URM,是保证二极管不被击穿时所加的最高反向峰值电压，一般给出
3、的是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。,3.反向峰值电流IRM,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。,三、二极管的主要参数,四、二极管的检测方法和极性判别,锗材料二极管的正向电阻值为几百欧至2k左右，反向电阻值为300k左右。硅材料二极管的正向电阻值为几百欧至5 k左右，反向电阻值为（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。,1.二极管的
4、检测,将万用表置于R100档或R1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出其阻值后，对调两表笔，再测出其阻值。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。,2二极管极性的判别,四、二极管的检测方法和极性判别,五、二极管的选用、代换,a.检波二极管的选用 检波二极管一般可选用点接触型锗二极管。选用时应根据电路的具体要求选择工作频率高，反向电流小，正向电流足够大的检波二极管。b.检波二极管的代换 检波二极管损坏后，若无同型号二极管可更换时，可选用半导体相同，主要参数相近的二极管
5、来代替。,检波二极管的选用与代换,整流二极管一般选用平面接触型硅二极管（电流大，温度高）用在各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要考虑其最大整流电流，最大反向工作电压，截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，只要根据电路要求选择最大整流电流和最大反向工作电压符合要求的整流二极管；开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的二极管，应选用工作频率较高，反向恢复时间较短的整流二极管。,.整流二极管的选用与代换,a.整流二极管的选用,五、二极管的选用、代换,整流二极管损坏后，可用同型号的整流二极管或参数相同的其它型号整流二极管代替。通常：高耐压值（反向电压）的整流二
6、极管可代换低耐压值的整流二极管，整流电流大的二极管可代用整流电流小的二极管。,b.整流二极管的代换,五、二极管的选用、代换,3.稳压二极管的选用与代换,(1)稳压二极管的选用：在选用稳压二极管时，应注意稳压二极管的稳定电压值及最大稳定电流（一般应比最大负载电流的50%要大一些）。(2)稳压二极管的代换：原则上，应用同型号或参数相近的稳压管代换。另外，在具有相同稳定电压值的基础上：高耗散功率稳压二极管可代换低耗散功率稳压二极管。,五、二极管的选用、代换,开关电路和检波电路，可选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可选用RLS系列；ISS系列；IN系列；ZCK系列的高速开关二极管。根据电路的主
7、要参数（正向电流，最高反向电压反向恢复时间等）来选择。,五、二极管的选用、代换,4.开关二极管的选用与代换,(1)开关二极管的选用：,开关二极管损坏后，可用同类型或参数相同的开关二极管代换。另外，高速开关二极管可代换普通开关二极管，反向电压高的可代换反向电压低的开关二极管。,(2)开关二极管的代换,(1)变容二极管的选用 在选用时，应注意工作频率，最高反向工作电压，最大正向电流，零偏压结电容。同时，应选用结电容变化大，反向漏电流小的变容二极管。(2)变容二极管的代换 变容二极管损坏后，应用原型号或主要参数相同（特别是结电容范围相同或近似）来代换。,5.变容二极管的选用与代换,五、二极管的选用、
8、代换,稳压二极管,贴片二极管,六、观看二极管实物图,六、观看二极管实物图,整流二极管,发光二极管,LED数码管,发光二极管,六、观看二极管实物图,LED二极管电筒,六、观看二极管实物图,光敏二极管,红外发射二极管,变容二极管,激光二极管,六、观看二极管实物图,旋转整流二极管,片式二极管,六、观看二极管实物图,1.半导体三极管,一、三极管的构成、符号和分类 1.构成,NPN三极管,PNP三极管,3.分类,2.符号,晶 体 三 极 管,按材料分,按PN结分,按封装分,锗晶体三极管,硅晶体三极管,NPN型三极管,PNP型三极管,高频管,大功率管,中功率管,小功率管,玻璃壳封装管,金属壳封装管,陶瓷环
9、氧封装管,低频管,G型金属封装管,F型金属封装管,按工作频率分,按功率分,方型金属封装管,二、国产三极管的命名,3DG6C,电极数目,材料或极性,类型,序号,区别代号,三极管材料和极性部分字母的含义,三极管类型部分字母的含义,二、国产三极管的命名,1、日本半导体分立器件型号命名方法（2SXXX）,第一部分：用数字表示器件结数目或类型。0-光敏二极管、三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2具有两个结的其他器件、3-具有三个pn结的其他器件、依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。,三、国外三极管的命名,第三部分：用字母
10、表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型硅高频管、B-PNP型硅低频管、C-NPN型锗高频管、D-NPN型锗低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。,三、国外三极管的命名,第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。,第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。,2、美国半导体分立器件型号命名方法（X2NXXX）,美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件
11、用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。,三、国外三极管的命名,第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。,第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-A档。,三、国外三极管的命名,第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.61.0eV 如锗、B-
12、器件使用材料的g=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管；B-变容二极管；C-低频小功率三极管；D-低频大功率三极管；E-隧道二极管；F-高频小功率三极管；G-复合器件及其他器件；H-磁敏二极管；K-开环磁路中的霍尔元件；L-高频大功率三极管；M-封闭磁路中的霍尔元件；P-光敏器件；Q-发光器件；R-小功率晶闸管；S-小功率开关管；T-大功率晶闸管；U-大功率开关管；X-倍增二极管；Y-整流二极管；Z-稳压二极管。,3
13、、国际电子联合会半导体器件型号命名方法（BDXXX）,三、国外三极管的命名,第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。,如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管,三、国外三极管的命名,4、韩国半导体分立器件型号命名方法（90XX）NPN：9011、9013、9014、9016、9018。PNP：9012、9015。,三、国外三极管的命名,四、三极管的主要参
14、数,表示交流电流放大系数，hFE表示直流电流放大系数。常在三极管外壳上用色点表示hFE。,国产锗、硅开关管,高、低频小功率管,硅低频大功率管所用的色标标志如下表所示。,1、电流放大系数和hFE,ICM是值下降到额定值的2/3时，所允许通过的最大集电极电流。,PCM决定管子的温升。硅管的最高温度150OC，锗管为70OC。,三极管工作频率超过一定值时，开始下降，当=1，所对应的频率叫特征频率。,2、集电极最大电流ICM,3、集电极最大允许功耗PCM,4、特征频率fT,四、三极管的主要参数,五、三极管的检测方法和极性识别,1、常用晶体三极管的外形识别,小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三
15、极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种,如下图,大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G型两种,如下图(a)所示。F型管从外形上只能看到两个电极。将管脚底面朝上,两个电极管脚置于左侧,上面为e极,下为b极,底座为C极。G型管的三个电极的分布如下图(b)所示。,2、万用表检测三极管的管脚,选用万用表R100和R1k挡（）确认基极和类型假设一只引脚为b极,黑表笔接假设的基极b，红表笔分别接另外两只引脚，如测得两次的阻值都较小而且相近，说明假设成立.且知是型。如两次阻值都很大，用红表笔接假设的基极，黑表笔分别接另外两只引脚，如测得两次的阻值也都较小而且相近，说明假设也
16、成立.且知是型。,五、三极管的检测方法和极性识别,（）判定集电极c和发射集e。现以NPN型三极管为例加以说明。将万用表置于R1k挡。假设一只引脚为c,那另一只引脚为e。用黑表笔接假设的c，红笔接假设的e.,然后用手指将基极与假设的c短接起来，记下阻值。然后再作相反的假设，即把原来假设的c现假设为e,原来假设的e现假设为c，用同样的方法测试并记下阻值。将这两次阻值进行比较.阻值小的一次,测量时黑表笔接的是c,红表笔接的是e。对于PNP型与NPN型刚好相反。,将万用表置于R1k挡，用表笔测量余下的两只引脚，调换表笔测量两次，记下每次阻值，然后进行比较，阻值小的一次，对型来说，黑表笔接的是e,红笔接
17、的是c。对PP型来说，黑表笔接的是c,红笔接的是e。将已判别出基极的三极管管脚插入测晶体管直流放大系数的插孔中，（N型、P型），基极对准b,另两引脚任意插入。读出，再将两引脚对调一下插入测试，再读出，将两次的进行比较，大的一次插入引脚正确，从插孔旁的标记即可知c、e.,六、观看三极管实物图,塑封大功率三极管,塑封小功率三极管,六、观看三极管实物图,1.6 光电耦合器,一、光电耦合器的定义、组成及分类,1、定义 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。,2、组成 它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，
18、受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等。,3、分类 常见有光电二极管型、光电三极管型、光敏电阻型、光控晶闸管型、光电达林顿型、集成电路型等,光电耦合器是一种把电子信号转换成为光学信号，然后又转为电子信号的半导体器件。在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电-光-电的转换。,二、光电耦合器的工作原理,光电耦合器的工作原理,光电耦合器的标志和现象,1.7 可控硅（晶闸管）,晶闸管是晶体闸流管的简称,又称为可控硅整流器,在国内俗称可控硅
19、。,一、晶闸管的分类和符号,、分类（1）从外形分螺栓型和平板型 额定电流小于200A的晶闸管用螺栓型，额定电流大于200A的晶闸管用平板型。,（2）按控制方式分普通晶闸管、双向晶闸管、温控晶闸管（TSCR）和光控晶闸管（LSCR）等多种。,（3）按引脚和极性分类 二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（4）按封装形式分类 金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。,（5）按功率分类 大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多
20、采用塑封或陶瓷封装。,、符号,二、单向晶闸管的工作原理,可控硅是PNPN四层三端结构元件，共有三个PN结。,晶闸管可看成由PNP和NPN型两个晶体管联接而成,1)晶闸管阳极A与阴极K之间加正向电压，若控制极断开，两个三极管均无基极电流，晶闸管不导通。,2)在控制极G与阴极K之间加正向电压，当IG到达一定数值，T2首先导通：IB2=IG，IC2=IB2=IG,又：IB1=IC2,随后T2导通，IC1与IG一起进入T2的基极后再次放大。,该过程在极短时间内连锁循环进行，晶闸管瞬间全部饱和导通。,3）晶闸管导通后，即使控制极与外界断 开，T2管的基极电流IB2=IC1IA，比IG 大，管子维持导通，
21、IA=IK,VAK=1V。,在导通后，要关断晶闸管：,晶闸管导通后，控制极失去控制作用,1）阳极电流IA减小到某一数值以下，内部连锁状态不能维持，管子截止。,2)切断阳极电源,3)在阳极和阴极之间加反向电压,可控硅导通和关断条件,三、晶闸管的命名,目前,第二部分：类别P普通反向阻断型、K快速反向阻断型、S双向型。,第三部分：额定正向平均电流1：1A、5：5A、10：10A、20：20A、30：30A 50：50A、100：100A、200：200A、300：300A、400：400A、500：500A。,第四部分：额定电压级数1：100V 2：200V 3：300V 4：400V 5：500V
22、 6：600V 7：700V 8：800V 9：900V 10：1000V 12：1200V 14：1400V,四、单向可控硅的检测和极性确定,、检测一般可用万用表欧姆档检查晶闸管阳极与阴极之间以及阳极与控制极之间有无短路。将万用表置于欧姆挡R1K，测量阳极与阴极之间、阳极与控制极之间的正反向电阻，正常时应很大（几百千欧以上）。再检查控制极与阴极间有无短路或断路。可将万用表置于欧姆挡R1或R10，测出控制极对阴极正向电阻，一般应为几欧至几百欧，反向电阻比正向电阻要大一些。其反向电阻不大不能说明晶闸管不好，但其正向电阻不能为零或大于几千欧，正向电阻为零时，说明控制极与阴极间短路；大于几千欧时，说
23、明控制极与阴极间断开。,极性确定方法：用万用表欧姆档的R1或R10档，用黑表笔接其中的一之管脚，用红表笔去接剩下的两只管脚，测量阻值为几欧至几百欧姆这一次，黑表笔接栅极，红表笔接阴极，剩下的管脚为阳极。,五、看实物图,1.8 半导体场效应管,一、作用及分类,、作用 放大、集成、开关等。、分类 按导电极性：N沟道、P沟道。按材料：Si、Ge 按控制方式：结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管(MOSFET）,利用电压控制电流以实现放大作用的半导体器件。,3、场效应管的结构及符号,N沟道JFET,P沟道JFET,N沟道耗尽型MOS,P沟道耗尽型MOS,N沟道增强型MOS,P沟道增强型MOS,3
24、、场效应管的结构及符号,二、国产场效应管的命名,第一种命名方法与双极型三极管相同第一位是电极数目（数字）；第二位是材料（字母）；A是锗，反型层是P沟道；B是锗，反型层是N沟道；C是硅，反型层是P沟道；D是硅，反型层是N沟道。第三位是类型（字母）J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。例如：3DJ6D是结型N沟道场效应管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应管。,第二种命名方法是CS#CS代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。,三、场效应管的主要参数,1、I DSS 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时
25、的漏源电流。2、UP 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅源极电压。3、UT 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gm 跨导。是表示栅源电压U GS 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gm是衡量场效应管放大能力的重要参数。,四、MOS场效应晶体管使用注意事项,MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：,（1）、MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用
26、细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）、取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。（3）、焊接用的电烙铁必须良好接地。,（4）、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。（5）、MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。,（6）、电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。（7）、MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。,六、观看实物图,1.9 集成电路（IC）,集成电路是把一个电子单元电路或某一个功能、一些功能，甚至某一
27、整机的功能电路集中制作在一个晶片或瓷片上，并封装在一个便于安装焊接的外壳中。特点：体积小、重量轻、成本低、耗电少、可靠性高和电气性能优良等优点。,一、集成电路分类,、按制造工艺和结构分,薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在微米以下的（金属、半导体、金属氧化物、合金或绝缘介质）薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。,半导体集成电路是将晶体管，二极管、电阻、电容器元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，完成特定的电路或者系统功能。,厚膜集成电路是将电阻、电感、电容、半导体元件和互连导线通过印刷、烧成和焊
28、接等工序，在基板上制成的具有一定功能的电路单元。,混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。,通常提到集成电路指的是半导体集成电路，也是应用最广泛、品种最多的集成电路，膜（薄、厚膜）电路和混合电路一般用于专用集成电路，通常称为模块。,、按集成度分 集成度指一个硅片上含有元件数目。,同一功能的集成路按应用领域规定不同的技术指标，而分为军用品、工业用品和民用品（又称商用)三大类。军品：在军事、航空、航天等领域使用环境条件恶劣、装置密度高，对集成电路的可靠性要求极高，产品价格退居次要地位，民用品：在
29、保证一定可靠性和性能指标前提下，性能价格比是产品能否成功的重要条件之一。工业品：则是介于二者之间的一种产品，但不是所有集成电路都有这三个品种的。,、按应用领域分,、按使用功能分,（1）模拟集成电路：线性集成电路和非线性集成电路。线性集成电路包括：直流运算放大器、音视频放大器等。非线性集成电路包括：模拟乘法器、比较器、A/D（D/A）转换器等。（2）数字集成电路：触发器、存储器、微处理器和可编程逻辑器件。存储器包括：RAM、ROM；可编程逻辑器件包括：EPROM（可编程只读存储器）、E2PROM（电可擦写可编程只读存储器）、PLD（可编程逻辑器件）、EPLD（可擦写的可编程逻辑器件）、FPGA（
30、现场可编程门阵列）等。,（1）双极型电路（TTL）在硅片上制作双极型晶体管构成的集成电路，由空穴和电子两种载流子导电。（2）单极型电路（MOS）参加导电的是空穴或电子一种载流子。NMOS 由N沟道MOS器件构成；PMOS 由P沟道MOS器件构成；CMOS 由N、P沟道MOS器件构成互补形式的电路。,、按半导体工艺分,（3）双极型单极型电路(BIMOS)双极型晶体管和MOS电路混合构成集成电路，一般前者作输出级，后者作输入级。双极型电路驱动能力强但功耗较大，MOS电路则反之，双极性-单极型电路兼有二者优点。,第0部分:用字母表示器件符合国家标准第1部分:用字母表示器件的类型第2部分:用阿拉伯数字
31、表示器件的系列和品种代号第3部分:用字母表示器件的工作温度范围第4部分:用字母表示器件的封装,二、国内集成电路命名,二、国内集成电路命名,三、国外集成电路命名,1、封装形式 圆形金属外壳封装、双列直插型陶瓷或塑料封装、单列直插式封装等。2、引脚识别（1）圆式金属壳封装：管脚数有8、10、12等种类，管脚排列顺序，从管脚根部看进去，以管壳上的凸起部分为参考标记，按顺时针方向数管脚，依次为1，2，3，8。,四、集成电路的封装与引脚识别,（2）双列直插式封装：其管脚数有8、10、12、14、16、18、20、24等多种，管脚排列顺序，管脚向下，缺口、色点等为起点，按逆时针方向数管脚，依次为1，2，3
32、，14。,（3）单列直插式封装：与双列直插式封装IC一样，管脚向下，缺口、色点等标记为起点，从左向右数管脚，就可以得到管脚的排列序号，如下图。,3、常用集成电路管脚图,1.10 片状元器件,随着电子技术的发展,电子产品体积的微型化,性能和可靠性的进一步提高,电子元器件向小、轻、薄发展，出现了表面安装技术（SMT）。SMT是包括表面安装半导器件（SMD）、表面安装元件（SMC）、表面安装印制电路板（SMB）及点胶、涂膏、表面安装设备、焊接及在线测试等在内的一套完整工艺技术的统称。表面安装元器件包括电阻器、电容器、电感器及半导体器件等，它具有体积小、重量轻、安装密度高、可靠性高、抗振性能好、易于实
33、现自动化等特点。,1、贴片电阻的识别,排 阻,2、电容的识别,贴片钽电容,贴片钽电容:是有极性的电容，丝印上标明了电容值为6.8 F和耐压值25V。,贴片瓷片电容,贴片瓷片电容：体积小，无极性，无丝印。基本单位pF,纸多层贴片电容,纸多层贴片电容:材质纸质。基本单位为pF,但此电容容量一般在uF级。,贴片电解电容,贴片电解电容:丝印印有容量、耐压和极性标示。其基本单位为F。,3、电感元件的识别,贴片叠层电感:外观上与贴片电容的区别很小,区分的方法是贴片电容有多种颜色其中有棕色、灰色、紫色等，而贴片电感只有黑色一种。基本单位：nH.,图一,图二,图一中电感的丝印为100，读取其元件值10H图二中
34、电感的丝印为红红红，读取元件值2200nH,常见贴片元件尺寸规范介绍,在贴片元件的尺寸上为了让所有厂家生产的元件之间有更多的通用性，国际上各大厂家进行了尺寸要求的规范工作，形成了相应的尺寸系列。其中在不同国家采用不同的单位基准。主要有公制和英制，对应关系如下表：,注：1）此处的0201表示0.02X0.01inch,其他相同;2）在材料中还有其它尺寸规格例如：0202、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍。3）对于实际应用中各种对尺寸的称呼有所不同，一般情况下使用英制单位称呼为多，例如一般我们在工作中会说用的是0603的电
35、容，也有时使用公制单位例如说用1608的电容此时使用的就是公制单位。,4、二极管,贴片玻璃二极管,塑封二极管,5、三极管,SOT（采用小外形封装结构的表面组装晶体管）,6、集成电路(IC),IC的分类主要依据IC的封装形式，基本可分为:SOP（电路的引脚为L形）、SOJ（双排内侧J形）、PLCC(四方J形引脚）、QFP（正四方)、BGA(底部球状形)、COB(黑胶封装）几种形式（1）SOP封装IC（电路的引脚为L形）,（2）SOJ封装IC（双排直列J形内侧),（3）PLCC(四方J形引脚),（4）QFP（四方L形引脚）,（5）BGA(底部锡球引脚),BGA封装:随着技术的更新，集成电路的集成度不断提高，功能强大的IC不断被设计出来，引脚不断增多，QFP方式已不能解决需求，因此BGA封装方式被设计出来，它充分利用IC与PCB接触面积，大幅的利用IC的底面和垂直焊接方式，从而解决了引脚的问题。,（6）COB封装 通常称软封装、黑胶封装。,贴片晶振2,贴片晶振1,7、晶振,8、光电耦合器的识别,主要有贴片光电耦合器，手插光电耦合器。其与IC的区别主要在于IC一般有8只或8只以上的引脚，而光耦器一般为4到6只脚。,贴片光电耦合器,9、SMT材料的包装（1）贴片元件的包装通常采用园盘状的塑料盘,总结:作业:P59,
