倍频器和上变频器.ppt

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1、第三章 倍频器和上变频器,3.1 引言 Introduction,倍频器的功能是当一个正弦波输入时,输出信号是输入信号的n次谐波。,产生微波信号的方法有:,1.直接振荡,如磁控管、速调管、雪崩管、体效应、晶体管振荡器等,2.倍频放大链,采用非线性器件产生输入信号的谐波,利用滤波器取出所需要的谐波,直接振荡所产生的微波信号往往信号的频谱纯度及频率稳定度不高,锁相环,本章讨论变容管倍频器和阶跃管倍频器,它们均属于直接倍频的方法,变容管倍频器效率高、主要用于倍频次数较低的场合,单级倍频次数小于8,二次倍频效率50%左右,三次40%左右,但当倍频次数增加后电路复杂,效率降低,输出功率迅速下降,阶跃管倍

2、频器适于高次倍频,单级倍频次数可达20以上,具有结构简单的优点,但输入功率小,效率约为1/N。,3.2 变容管倍频器,3.2.1 基本电路,并联型,串联型,并联型电路流过变容管的电流为输入和输出回路电路之和,因此也称为电路激励型,串联型电路加在变容管两端的电压为输入和输出回路电压的差,因此也叫电压激励型,电流激励型电路中变容管一端接地,因此适合于大功率,电压激励型电路中变容管两端均不接地,因此适合于微带电路,3.2.2 基本原理,1.二次倍频器,如果变容管的外加电压满足,为零偏压时的结电容,为势垒电压,在倍频器中,为了提高输出功率,通常采用大信号激励,即,但是当 时,且倍频器输出谐波也是大信号

3、,故不能用非线性电容来分析,而需用变容管的电压电荷关系来分析,下面推导电压电荷关系,变容管上的电荷为,为 时变容管上的电荷,若,即无电荷,当 时,所以,令,其中,为归一化电荷,则上式简化为,变容管的电压电荷关系,由于 时,变容管势垒近似消失,势垒电容也趋于零,即,即,为了简单选用突变结变容管,忽略损耗电阻,考虑电流激励型二次倍频器,由于滤波器F1和F2的限制流过变容管的电流只有频率f1和f2的分量,相应变容管两端电荷q1和q2也只有频率f1和f2的分量,归一化,因为,所以,其中,提取 和 频率的电压分量,直流电压分量为,由 可以得到归一化输入和输出电流,由以上归一化电压和电流可以求出归一化平均

4、输入、输出功率,为正,表示向变容管输入功率,为负,表示从变容管输出功率,因为假设,所以输入功率等于输出功率,倍频效率等于100%,但实际上变容管总是有损耗电阻,倍频效率不可能达到100%,不够由于该电阻很小,效率很高。,如果,即回路调谐,此时功率最大,倍频器的归一化输入阻抗,当,的第一个分量与 同相,表示输入阻抗的电阻分量,第二个分量滞后 90,表示为容抗,因此归一化输入阻抗为,倍频器的归一化输出阻抗,假设变容管两端端接负载阻抗,则,幅相表示,复振幅,归一化负载阻抗为,当负载阻抗与倍频器的输出阻抗共轭相等时,输出功率最大,定义该阻抗为倍频器的输出阻抗,倍频器的效率,实际,但很小对输入、输出阻抗

5、影响不大,但对倍频效率有影响,当 存在时,输入电流在 上消耗的功率为,为归一化电流,当变容管上电压 时,结电容达到最小值,另,所以,另,所以,输出电流在 上消耗的功率为,有效输入功率为,有效输出功率为,为非归一化功率,倍频器的效率为,前面的分析中,变容管处于欠激励状态,或,实际中为了增加输出功率,变容管通常处于过激励状态,即在每个激励周期的部分时间,变容管处于正向导通状态,由于这时,将激励信号短路,因此正向电压波型被钳位于,过激励下变容管的电压电荷关系为,激励状态系数定义为,显然 对应,这时为满激励,为欠满激励,为过满激励,过激励下的分析很困难,需要用计算机来分析。,D=2时的时变电荷。,2.

6、变容管高次倍频器,首先看下面电路能否完成高次倍频,假设变容管中电路波形为,电流为,如果使用突变结变容管,欠激励,则,可见N次谐波电压和电流之间有90相差,平均功率为零,即,因此,上面电路不能完成高次倍频,这是因为给定的条件,即变容管的电压、电荷关系为平方率,所以只能完成二次倍频,为了完成大于2次的倍频,可以采用以下措施,改用 的变容管,如缓变结变容管 或其他形式变容管,加大激励信号,使。使变容管的电压电荷关系出现高次非线性项,电压波形被限幅,而出现高次谐波,在电路上想办法,如在电路中加空闲回路,如下图所示,在变容管两端并联一个损耗很低的空闲支路,如果该支路谐振于,代入,可以得到,等频率的电压分

7、量,它们与相应频率的电流的相位相差180,表示三次、四次谐波功率从变容管输出。,附加“空闲回路”的作用是将变容管产生的低次谐波能够回送到变容管,提高再次变频将低次谐波的能量转换为高次谐波的能量。在实际工程上,为了提高效率,即使能够完成高次倍频的电路,也在其中采用空闲回路,不过若采用过多的空闲回路,会使倍频器结构复杂,引入许多附加损耗,给设计、调试带来困难,所以回路一般不超过三个“空闲回路”。,电路举例,微带型二倍频器,微带型四倍频器,低通滤波器,高阻线,开路线(空闲),带通滤波器,3.3 阶跃-恢复二极管倍频器,阶跃-恢复二极管是一种特殊的P-N结器件,在正弦波激励下,能产生持续时间极短的脉冲

8、,该脉冲含有非常丰富的频率分量,利用这种性质,单次倍频次数可以达到1020次,而且不需要加空闲回路。,3.3.1 阶跃-恢复二极管的基本特性及参量,变容管的势垒电容和电压的关系为,当线性指数n为1/15到1/30时,成为阶跃-恢复二极管(SRD),可见结电容几乎没有变化,为什么?,对PN结采取特殊措施,加大正偏时的电荷存储效应,使二极管正偏时有很大的扩散电容,此时二极管等效为一个很大的电容,呈现低阻,近似短路,反偏时等效为一个小电容,呈现高阻,近似开路,因此在大信号交流电压激励下,这种特殊结构的变容管呈现两种阻抗状态,具有电容开关特性。,为了存储大量电荷,增加少子寿命,阶跃管是在P+,N+之间

9、加了一层低参杂的N层,为了存储大量电荷,增加少子寿命,阶跃管是在P+,N+之间加了一层低参杂的N层,正偏时,在P+区大量的空穴注入到N区,由于N区掺杂浓度低,空穴与N层中的电子复合机会少,从而降低了复合速度,提高了少子的寿命。,在NN+结中,由于载流子浓度差别形成一个内建电场,该电场阻止N区中的空穴扩散到N+区,怎样增加了N层中的电荷量,在N层两边,杂质分布近似于突变,有很强的减速场,能够充分阻止少数载流子(空穴)离开N区,所以N区为少数载流子有效存储的区域。,在NN+结中,由于载流子浓度差别形成一个内建电场,该电场阻止N区中的空穴扩散到N+区,怎样增加了N层中的电荷量,在N层两边,杂质分布近

10、似于突变,有很强的减速场,能够充分阻止少数载流子(空穴)离开N区,所以N区为少数载流子有效存储的区域。,当少子的寿命大于外加交流电压的周期时,则信号电压从正向转为反向,正向注入存储电荷未复合的剩余少子,在负半周被内电场拉回去。由此形成较大的反向电流,直到某一时刻,正向期间存储电荷被全部拉回后,反相电流陡降为很小的反向饱和电流,形成了电流阶跃。,当外加电压由正变为负时,在交流电压负半周很长一段时间内管子处于导通状态,使二极管的整流作用失效。利用阶跃管由导通恢复到截止的电流突变形成窄脉冲输出,其包含丰富的谐波,故可用来做高次谐波倍频器,阶跃二极管的等效电路,正偏时,流经二极管的电流两端电流由两部分

11、组成,一是存储电荷q所形成的电流,为主要部分,另一部分少数载流子复合形成的电流,为少数载流子的寿命,该电流可看成是流过一个损耗电阻 的电流,少子寿命愈长,就愈大,在理想阶跃管中,少子的寿命趋于无穷大,近似开路,。阶跃管可以等效为一个恒压源与扩散电容CD,的串联。,由于CD很大,容抗很小,且当信号很大时,可以认为,故理想化等效电路可看成“短路”状态,反偏时,存储的少子将返回,由于存储的电荷数量很大,返回需要一定的时间,一旦存储的电荷全部返回,扩散电容消失,这时只存在二极管的势垒电容,故等效电路如右,理想情况下,于是等效电路中只存在势垒电容,其值约为,正向偏置时,阶跃管中存储大量电荷,t=0时突然

12、开关接到负电源上,二极管中电流变为负向电流IR,但由于存在很大的扩散电容,二极管电压不能突变,阶跃管相当于零偏压,只有经过时间ts后,二极管中的电荷才被清除,此时管子上的电压变为负偏压VR,从电流由正向跳变到反向时开始,到电压为零为止的时间称为“存储时间”,载流子寿命越长,存储时间越长,反向电流由0.8IR(或0.9IR)下降到0.2IR(或0.1IR)所需的时间为阶跃时间,另外还有击穿电压VB,结电容,结电容越小,阶跃管越接近于理想开关,但功率容量降低,另外结电容对输出频率呈现的容抗 也不能太低,否则效率降低,截止频率,一般要求,动态电阻,正向电压的某个稳定值下,二极管上电压的微小变化与电流

13、的微小变化之比,动态电阻越小越好,正向电流,正向流越大越好,大则存储的电荷多,阶跃幅度大,最大耗散功率,二极管上消耗的功率,通过加散热器可以增加该功率,3.3.1 阶跃-恢复二极管倍频器组成和工作原理,方框图,各级波形,偏置电路,匹配电路,激励电感,谐振电路,输出滤波器,负载,信源,脉冲发生器,原理电路图,高频扼流圈,自给偏压电阻,输入滤波匹配网络,激励电感,谐振电路和滤波电路根据具体情况可以是集中参数或分布参数电路,隔直流电容,1 脉冲发生器,电流正向流通时,阶跃管相当于短路,故v近似于零,实际为势垒电压,当电流反向流通时,阶跃管存储的电荷开始放电,这时电压仍为,放电完毕时,电路突然减小,阶

14、跃管进入高阻状态,同时激励电感L产生一个反向感应电压,二极管上有一个反向高压脉冲出现,左图,此后二极管有开始正向流通,电压又回到,在负载上得到重复的,周期为T1的脉冲串。,下面分别讨论两种状态,导通期间,设初始条件为,流过激励电感的起始电流,方程的解为,直流项,余弦项,线性增长项,当电流为正时,阶跃管存储电荷,当电流反向时存储的电荷释放,当t达到ta时,横坐标上下,正负电流所包含的面积相等时,表明阶跃管存储的电荷已全部清除,这时进入阶跃期,由于导通期间阶跃管等效为一个电压为 的电源,这时输出电压为。,阶跃期间,存储电荷释放完毕,扩散电容消失,阶跃管等效为一个势垒电容Cj,相当于一个高速开关将大

15、电容换为小电容,适当调节偏压V0,使ta正好发生在负电流最大的瞬间,即,此时电感上无电压降,同时阶跃管也无电压降,回路中能力全部转换为电感中的磁能,如果忽略势垒电压,这时激励电压的瞬时值和偏压V0相等,极性相反,阶跃管总的外加电压为零,因此在分析时忽略外加激励电压和直流偏压,回路方程为,整理为,解为,因为,所以,其中,为一衰减振荡,上图中虚线,但由于存在阶跃管,当振荡电压正向达到接触电压时,阶跃管导通,因此衰减振荡只能维持半个周期。,脉冲的宽度为,实际脉冲宽度tp不一定等于半个周期,但为了保证倍频效率,脉冲宽度至少小于输出信号的周期,故选择原则为,脉冲的腹点出现在tp/2处,脉冲的幅度为,当负

16、载电阻R较大时,,将很小,,输出脉冲的平均功率,当很小时(0.3),,偏置电压V0,通过调节偏压可以控制使阶跃发生在负电流最大时,,如前,阶跃期间,当忽略势垒电压时,管子上总电压为零,当,电压为零,将 带入上式可得,导通结束时()阶跃管上的电流为,联立以上各式可以得到,再由导通结束时阶跃管上上总电荷为零的条件得,偏压自给:阶跃管的直流分量(整流电流)通过偏压电阻Rb产生电压降得到,Rb的值取决于所需的偏压及整流电流的大小,可以依下式选择。,该值仅属于估算值,实际中需要进行调整,输入阻抗,输入导纳对电流的匹配很重要,可以将电流分解为与基波电压同相分量IR和正交分量IL,并分别与基波电压幅度相比,

17、即得到输入阻抗,,为阻抗倍乘系数,它们与N和的关系曲线,通常估算输入阻抗时,近似认为,。为此一调谐电容将电感分量补偿,则输入阻抗为,脉冲频谱,输出电压脉冲波形为(当很小,并忽略后),分解为Fourier级数,其中,频谱的相对值为,n为谐波次数,当n/N=0时,Cn/C0=1,当n/N=3,5,7,时,Cn/C0=0,即频谱的第一个零点出现在n/N=3,即f=3fN=3/tp处,第一个零点零点以内的谱线数量为n=3/2tp,tp越小,第一个零点相应频率越高,极限时tp趋向于零,第一个零点频率趋向于无穷,梳状谱的间隔为输入频率f1,利用这一特性可制作梳状波发生器。,在用作倍频时,要求tp满足,2

18、谐振电路,不加谐振电路,加谐振电路,频率较低时谐振电路采用集中参数电路(f300MHz500MHz),频率较高时可以采用分布参数电路或谐振腔,Cc为耦合电容,其作用是控制负载对谐振线的影响,即控制有载Q值。,Cc为无穷大,耦合过强,有载Q值过大,负载直接接在传输线终端,建立不起衰减振荡,输出波形仍然为脉冲串,只是时延四分之一周期。,Cc太小,耦合太弱,负载得到的功率小,效率低,有载Q高,频道窄。,如果,则,脉冲,负载,同相反射,延迟,阶跃管(此时阶跃结束,阶跃管正向导通,呈现低阻),反相反射,负载上得到的电压为,衰减常数为,选择合适的Q值,使衰减振荡在一个脉冲周期内基本衰减完,一般选为,一个脉

19、冲周期后衰减为,确定以后,如何确定耦合电容,一般情况下,将串联的电容和负载等效为并联形式,可以用一段传输线等效,实际传输线缩短l,根据传输线理论,长度为l 的传输线等效的容抗为,根据传输线理论,传输线的有载Q值为,假定选择,则,传输线的特性阻抗选择,当脉冲没有被负载反射回来之前,传输线的特性阻抗即为脉冲发生器的负载,该阻抗影响脉冲发生器的阻尼因子,太大:脉冲宽度太宽,太窄:输出功率减小,一般选0.30.5,由,可得,为阶跃管的结电容的容抗,3 输出滤波器,输出频率为,在其两边为 和 的旁频,滤波器的作用是滤去旁频,输出需要频率的信号,输入信号的频率范围为,输出信号的频率范围为,为了保证单一频率输出,应该保证,即,综合考虑为,或,为了对旁频有足够的衰减,实际中常选,滤波器的输入阻抗为谐振回路的负载,输出阻抗为标准阻抗50欧姆,4 效率,效率包括脉冲发生器的效率,谐振电路的效率,滤波器的带内损耗等。,输入,输出,隔直电容,轭流圈,偏压电阻,匹配电容,匹配电感,调谐电容,激励电感,阶跃管,谐振线,耦合电容,防寄生振荡电阻,输入,输出,偏置线,谐振线,

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