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1、后沉淀,表面吸附,吸留与包夹,生成混晶,共沉淀,第四节 影响沉淀纯度的因素,影 响 因 素,一、共沉淀现象,当一种难溶性物质从溶液中析出时，溶液中的某些本来是 可溶性的杂质也会被同时沉淀下来的现象。,1.表面吸附,产生的原因：由于晶体表面离子电荷不平衡所致。,溶液,第一吸附层（吸附层）,第二吸附层（扩散层）,沉淀内部,表 面,BaSO4晶体表面吸附作用示意图,例：沉淀重量法测定Ba2+含量(共存Fe3+),表面 吸附 作用力？,吸附层,扩散层,溶解度(molL-1)：25C,吸附层：构晶离子 或与之大小相近、电荷相同的离子,扩散层：抗衡离子,溶解度小,吸附规律：,吸附杂质的多少取决于?,价态高
2、,浓度大,纯化方法：洗涤,2.吸留与包夹,吸留：由于沉淀的生成速度过快，表面吸附的杂质离子来不及 离开，被随后生成的沉淀所覆盖而包藏于沉淀内部的现象。,包夹：包藏的为母液,吸留与包夹的区别：吸留有选择性（吸留的杂质离子符合吸附规律）包夹无选择性吸留、包夹与表面吸附的区别：吸留和包夹 表面吸附发生部位 沉淀内部 沉淀表面 纯化方法 重结晶或陈化 洗涤,3.生成混晶,杂质离子与构晶离子的半径相近，电子层的结构相同，而且所形成的晶体结构也相同时，极易形成混晶。,纯化方法：预先将杂质分离除去。,例：,二、后沉淀现象（继沉淀）,当沉淀形成后，在沉淀与母液共置的过程中，溶液中 的某种可溶性杂质慢慢沉淀到原
3、沉淀表面的现象。,Zn2+S2-Ksp(ZnS)ZnS,Mg2+C2O42-Ksp(MgC2O4)MgC2O4,又如：,如何纯化？,后沉淀 主沉淀形成后，诱导本来难沉淀的杂质沉淀下来 缩短沉淀与母液共置的时间,表面吸附是无定形沉淀不纯的主要原因，洗涤,吸留、包夹是晶形沉淀不纯的主要原因，陈化、重结晶,混晶 预先将杂质分离除去,共沉淀,小结,共沉淀与后沉淀对分析结果的影响,测SO42-,正误差,测Ba2+,负误差,测Ba2+,无影响,测S,负误差,杂质不含待测组分：看能否除去，能则无影响；否则结果偏高。杂质含有待测组分：m（M）增加，结果偏高；m（M）减小，结果偏低。,p329 习题21,三、提高沉淀纯度的方法,选择适当的分析步骤先沉淀含量少的组分选择合适的沉淀剂有机沉淀剂可有效减少共沉淀改变易被吸附杂质离子的存在状态分离或掩蔽 选择适当的洗涤剂进行洗涤及时进行分离，减少后沉淀再沉淀有效除去吸留或包夹的杂质改善沉淀条件 温度，浓度，试剂加入次序或速度，是否陈化,影响沉淀纯度的因素表面吸附规律减免共沉淀与后沉淀的措施,预习：第五节 沉淀条件的选择,
