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各种晶体管的导通条件及特性,SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT,晶闸管(SCR),阳极Anode,阴极kathode,导通条件：A-K之间加正向电压，G-K之间加正向电压(门极G上加触发脉冲)；特性：当阳极电流上升到擎住电流(使晶闸管由关断到导通的最小电流)，即使门极G电压信号消失，晶闸管仍可继续导通,关断条件：晶闸管阳极电流小于维持电流(保持晶闸管导通的最小电流),G-Gate门极,门极可关断晶闸管(GTO),G-Gate门极,阳极Anode,阴极kathode,电力晶体管(GTR),基极base,C-collect集电极,e-emitter发射极,GTR在伏安特性区中只工作在饱和区和截止区,导通：在基极b施加驱动信号关断：在基极b去掉驱动信号,电力场效应晶体管(MOSFET),S-Source源极,D-Drain漏极,G-Gate门极,箭头往里为N沟道，虚线为增强型，实线为耗尽型,绝缘栅双极晶体管（IGBT）,
