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1、固态电容器市场分析,固态电容器,固态电容器的全名为固态铝质电解电容器，是目前电容器产品中最高阶的产品，固态电容的介电材料则为功能性导电高分子，能大幅提升产品的稳定度与安全性，它与液态铝质电解电容最大差别，在于所使用的介电材料，过去铝质电解电容所使用的介电材料是电解液，而固态电容则是导电性高分子材料，也因此导致成本相对较高。特点：固态电容具备环保、低阻抗、高低温稳定、耐高纹波及高信赖度等优越特性，是目前电解电容产品中最高阶的产品。由于固态电容特性远优于液态铝电容，固态电容耐温达摄氏 260度，且导电性、频率特性及寿命均佳，适用于低电压、高电流的应用。,应用领域,计算机与笔记本电脑（主板、显卡）网
2、络通信（路由器、转换器、机顶盒）数字产品（如薄型DVD）电源模块（适配器）工业计算机LED 电视LED 照明服务器投影机,市场情况,综合媒体报道，台湾铝质电解电容器厂商近几年来都积极投入固态电容研发制造行列，不过由于桌面计算机需求减缓、日系厂商产能大增之下，固态电容器价格竞争转趋激烈，台系厂商虽仍具备价格优势，但是还是不如国内固态电容生产厂家，而各家厂家都在上游介电材料PEDT专利到期后（上游关键原料PEDT专利原掌握在德国公司，过去为拜耳子公司，2007年售予凯雷集团)，固态电容价格也更加平民化，进而取代传统铝质电容市场，台系厂商和中国大陆厂商或能抢得一席之地，占领一部分日系固态电容厂家的市
3、场份额。固态电容主要是为解决传统铝电解电容器遇高热出现爆浆的问题，在下游应用端如高阶主板、高阶STB、通讯基地台、高阶电源供应器、LCD TV、服务器、VGA卡、游戏机等，在效能及质量提升的趋势下，固态电容有机会逐步取代传统式的液态铝质电解电容器。,现阶段，在固态电容中，目前以钽作为介质的产品因受限于钽粉取得不易，导致产品供应紧俏，且价格持续看涨，故也增添以铝作为介质产品的需求。观察整体固态电容的出货情况，市场人士表示，在2011年第1季时，还算是处于供应平衡的阶段，不过，后续除了要观察供应端的运转情况外，也要视下游应用端起飞的速度。目前全球主要固态电容供应商包含佳美工(Nippon Chem
4、i-con)、三洋(Sanyo)以及富士通(Fujitsu)等业者，其中包含三洋以及富士通等均在大陆设有厂区。台系业者也十分看好固态电容市场，包含佳邦科技旗下的钰邦、台湾金山电、立隆电子、智宝等业者均积极投入。预估日系产品与台系产品仍有20%左右的价差。,30%Growth Y to Y 高分子电容15%Market Growth 消费电子市场Replacement potential 16%-70%,需求,07年由于VISTA及SANTA相继上市后，对于软、硬体的要求大幅提升，软硬件平台必须进行整合以发挥最大效能，因此对于上游被动组件质量的稳定性、耐用度、耐热度要求也相对提升，固态电容因而需
5、求大增。目前使用台系固态电容和大陆国内固态电容厂家的产品，主要为台系2线MB厂及大陆当地MB大厂，台湾1线MB大厂目前对台系或大陆国内厂家的固态电容产品还处于认证阶段，或者小量使用，属于试用性质。虽台系固态电容价格较日系同规格产品平均低20%，在成本考虑下，台系厂商极力争取1线大厂采用台系固态电容，取代日系固态电容。而台系固态电容厂家又面临国内生产厂家的在市场上紧跟压力，国内固态电容厂家的价格更有优势，交货期好，服务业好，不少日系固态电容使用厂家也有将部分竞争压力大得产品换成了大陆国内厂家的固态电容，也在试用阶段。目前固态成本和售价下滑，市场普及，并有全面取代铝质电容的机会。,自2011年12
6、月以来，LCD 电视等高科技电子产品需求增加，对电子元件品质、耐热性及稳定性的要求也更高，配合英特尔Intel推动775脚位 CPU策略，高阶主机板业由以往使用的传统铝质电解电容，开始改为耐高温且寿命长的固态电容，在应用面大增下，业者认为，固态电容成为未来被动元件中最具成长力道的产品之一。据了解，由于各项电子产品设计日趋精密且复杂，对于上游元件品质的稳定性及耐用度要求也开始相对提升，再加上近年环保意识高涨，使得更符合未来应用趋势的固态电容趁势崛起，逐步取代传统式的液态铝质电解电容器。加上，由于日本供应大厂并无明显扩产动作，因此固态电容今年来多次传出缺货现象，业者认为在应用面扩增下，固态电容产业
7、商机仍被看好。,以产品特性分析观察 固态电容相较于传统铝质电解电容器，具有体积小、低阻抗、耐电流性佳等特性。此外，固态电容产品生命周期是一般铝质电容的3到8倍，以目前高阶电子消费产品保固期明显拉长的情况来看，产品生命周期也成为消费性电子产品采用电子元件的主要考虑因素之一。应用面方面 目前固态电容主要需求来自LCD相关显示器、光驱、服务器、高阶主机板、高阶STB、通讯基地台和高阶电源供应器产品。法人预估全球固态电容市场需求量，未来几年会以仰角式曲线向上快速成长、年复合成长率超过40%。,整体而言在高阶主机板和LCD等相关新消费性电子产品应用持续扩增下，目前整体固态电容市场仍大约有2到3个月供需缺
8、口，未来在LCD TV相关控制板及电源方面用量显著扬升，以及游戏机等高阶电源供应器产品需求增温下，需求将呈现大幅成长。据了解，由于目前现货市场固态电容供不应求的状况未获得全面缓解，根据经验经销商推估，目前供需之间仍存有约3成的缺口，这使得固态电容成为目前被动元件市场上最抢手的产品之一。,数据来源：中国电子元器件行业协会/,亿元/年,数据来源：中国电子元器件行业协会/,KK/M,福爱电子概况,公司全名：固安福爱电子有限公司创立：2010年3月投资方：中国大陆主要产品：导电高分子铝卷绕电容器地址：河北固安电子工业园净资产 1.有形资产：300万美元 2.无形资产：600万美元 3.连续2年总盈利预
9、估：500万美元 4.第3年起年盈利预估：650万美元/年占地面积：63亩（+50亩）经营团队持股比率：47%(员工持股比率51%，39%员工持股),福爱公司市场信息,制程工艺及设备技术拥有多名台系国际电子及电容器大厂的一流管理及生产制造的资深人才，直接具有国际等级的电子制造业水平。结合台系及大陆的一流设备制造厂，形成技术联盟，实验产线已通过高阶产品的制成及高生产良率证明其可行性。专利及知识产权应用于耐高压固态电容器的电导性高分子氧化剂原料及制备工艺，包含耐高压氧化剂结构（发明专利，已受理）。包含导电性高分子的电容器制备工艺（发明专利，已受理）。一种包含电导性高分子的电容器的阳极、阴极的具体组
10、成（发明专利，已受理）一种铝固态电容器的电解质的组成、配比（发明专利，已受理）一种固态电容器的具体结构（实用新型专利，已受理）,产品规格,已完成试量产的7个规格2.5V/820F/8*8/DIP，应用领域：PC主板6.3V/560F/8*8/DIP，应用领域：PC主板16V/270F/8*8/DIP,应用领域：PC主板16V/330F/8*8/DIP，应用领域：VGA显卡4 V/560F/8*8/DIP，应用领域：VGA显卡2.5V/1200F/8*8/DIP，应用领域：VGA显卡6.3 V/820F/8*8/DIP，应用领域：电源模块/机顶盒这7个型号测试所有电气特性都已合格,尤其ESR特低
11、，全无短路现象，使用上可达50000Hrs以上。目前的难度最高的测试Ripple current Life 已过2000Hrs,这代表性能和质量优于大部分台系制造商，已经完全不输于日系产品。,目前掌握的核心技术可保证在下阶段量产的部分规格搬迁至新厂后将开始试产如下规格：25V/68F/8*8/DIP,应用领域：LED TV/Power Module16V/270/8*12/DIP,应用领域：PC主板2.5V/1500F/10*12/DIP,应用领域：VGA/Server4V/1200F/10*12/DIP，应用领域：VGA卡6.3V/1500F/10*12/DIP，应用领域：电源模块/电源适配
12、器16V/470F/10*12/DIP，应用领域：电源模块/电源适配器,目前福爱的技术能力在电气特性和核心制程方面已可以覆盖日系的全系列产品，而在尺寸及焊接方式目前主要受限于目前的设备及国内的模具技术，但与材料和关键制程相比，这些都是完全可以解决的问题。同时借助世贤化学在导电高分子材料方面的技术积累，福爱高压部分的研发能力比日系大厂实际更有优势。2009年日系第一大厂NCC使用世贤的材料研制出全球最高电压值的63V高分子电容时，日本的电波新闻曾做过专题报导。福爱目前已计划在二期中的制程实验室和材料实验室，就目前的技术储备，研发并生产63V或超过63V的产品只是时间的问题。,核心产业链,上游,核
13、心原材料/核心技术/核心设备,CPU/Panel/IC/Chip/Component(FUAI),中游,下游,PAD/Notebook/LEDTV/SmartPhone,HOT,FUAI,铝高分子钽高分子,中游,下游,上游,中游,下游,主要竞争者,日系供应商:85%市场份额台系供应商:10%市场份额(低端市场，全部为家族企业)韩系供应商:5%市场份额（韩国国内市场）,竞争力 概况,铝高分子电容器核心原材料 1.导电高分子阴极材料：单体，氧化 一般型(16V)：与韩国世贤(Sehyun)合作专利自制 专利名称：高分子单体、氧化剂结构专利 LED 电视 2.正/负箔(合作开发)正箔：国内大型铝箔制
14、造厂 低压高比容(85JLF-104JLF)系列 负箔/碳箔：合作伙伴-台湾大学 利用溅镀技术于光箔上成长碳须,以增加负箔面积综合成本效益 综合成本低于日系供应商2/3,竞争力 成本,RMB/KPCS,竞争力 产品线,ASP/Profit,3.0RMB以上/50%以上,1.03.0RMB/30%50%,0.41.0RMB/15%30%,0.4RMB/15%以下,Japan/korea,Japan,竞争力 产品整合（进行中）,导电高分子铝电容OEM：Enosel/三莹（韩国）超高压笔形电解电容：三莹（韩国）导电高分子钽电容：KEMET(美国)半导体存储芯片：茂德科技（台湾）半导体存储芯片：美光半
15、导体（美国）,财务计划,成长计划 目标：全球前五大供应商 2011:产能:30KK/月,销售额:$6m,市场份额:1%2012:产能:50KK/月,销售额:$34m,市场份额:4.36%2013:产能:100KK/月,销售额:$100m,市场份额:9%资产增长率 2011年 YoY:$9m/3m=300%2012年 YoY:$20m/9m=222%盈利能力 2011年 30kk全稼动：USD$330万 2012年 50kk全稼动：USD$650万投资收益率 2012：内部收益率 24%，回收期 5.83年 2013：内部收益率 48%，回收期 3.35年,融资计划,融资金额：USD$1000万资金用途：工业用地 50亩 厂房13,000平米 扩充20条量产线上市计划：2012年第四季融资进度：启动：2011年1月 签定意向：2011年4月31日前 入资时间:2011年5月31日前,
