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1、第七章 半导体存储器,第七章 半导体存储器,7.1 概述能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式,！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限,二、分类1、从存/取功能分：只读存储器(Read-Only-Memory）随机读/写（Random-Access-Memory）2、从工艺分：双极型MOS型,7.2 ROM7.2.1 掩模ROM一、结构,二、举例,D0Dm,两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”存储器的容量：“字数 x 位数”=2nxm,掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性,7.2.2 可编程ROM
2、（PROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,写入时，要使用编程器,7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）,二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,三、快闪存储器（Flash Memory）为提高集成度，省去T2（选通管）改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）,7.3 随机存储器RAM,7.3.1 静态随机存储器（SRAM）一、结构与工作原理,二、SRAM的存储单元,六管N沟道增强型MOS管,7.3.2*动态随机存储器（DRAM）动态存储单元是利用M
3、OS管栅极电容可以存储电荷的原理,7.4 存储器容量的扩展,7.4.1 位扩展方式适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可,例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM,7.4.2 字扩展方式,适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时,例：用四片256 x 8位1024 x 8位 RAM,7.5 用存储器实现组合逻辑函数,一、基本原理从ROM的数据表可见：若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数,二、举例,ROM、RAM特点区别容量、容量扩展（字扩展、位扩展、字位同时扩展），位扩展还要写出每一片RAM的地址范围利用存储器实现逻辑函数,作业：1、2、3、5、6、7、8、11、14,
