芯片装架工(一级)职业鉴定考试题库-下(天空、简答题汇总).docx

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1、芯片装架工(一级)职业鉴定考试题库-下(天空、简答题汇总)填空题1 .环氧粘结剂固化时,易有环氧“渗出”造成基片污染,通常采用()。答案:等离子清洗2 .()是用途最广泛的粘接剂。答案:环氧树脂3,采用导电胶粘接光耦发光管时,要求包胶高度不能高于芯片厚度的()。答案:1/34 .丝网种类通常有()、()和()。丝网目数是指()。答案:不锈钢网I尼龙网I聚酯网I英寸长度上的网孔数5 .电阻器的微调有两种基本方法,一种是静态微调,一种是动态微调也叫()。答案:功能微调6 .加热固化工艺,关键所在要严格控制()和()。答案:温度I时间7 .厚膜烘干温度为:(),烘干时间为:()。答案:15010CI

2、lO5min8 .电阻率小于10-3Q-cm的称为(),电阻率大于108Q-cm的称为()答案:绝缘体答案:导体I答案:正1O常用三防漆有0、()、()以及。等类型,目前根据三维封装叠层存储器的电装工艺特点选择的是()类三防漆。答案:丙稀酸树脂I改性环氧I聚氨酯I有机硅树脂I无W.选用丝网网框时,要注意0、O等。答案:框架构造I平坦度12 .声波是指人耳能感受到的一种纵波,其频率范围16Hz20KHz,当声波的频率低于16Hz时就叫做(),高于20KHz时则称为()o答案:次声波I超声波13 .常用的半导体材料有0和()。答案:硅I错14 .焊点在有空洞及裂纹等电气连接比较薄弱的部位会使热阻(

3、),造成失效。答案:增大15 .材料之间的分子亲和力越大,其0就越大答案:粘接强度16 .厚膜印刷应多采用半自动或全自动丝网印刷机,并且要求()、()等可调、稳定。答案:印刷速度I刮板压力17 .制作浆料时要注意浆料的()、()和。等。答案:材质I粘度I膨胀系数18 .及时回收作废的文件和资料,并加盖()章进行标识。19 .烘箱内壁应定期用()擦拭清洁。答案:无水乙醇20 .导体、绝缘体和半导体的划分,严格地说是以物质的()来划分答案:电阻率P21 .对H级和K级电路的最大水汽含量要求设定为()ppm0答案:500022 .GJB548B的名称是0。答案:微电子器件试验方法和程序23 .目前在

4、线使用的铅锡焊膏的熔点为()。答案:179。C24 .氢气烧结可达到高()、高()的要求。答案:强度I散热25 .在薄膜工艺中,金很少直接被淀积在基片上,因为金在基片上的()较差。答案:附着力26 .晶圆划片的工艺参数有()、()、()等。答案:主轴转速I划片速度I切入深度27 .硅芯片的背面对镀金表面进行摩擦会形成一()共熔层。答案:金-硅28 .氢气烧结工序属于()危险点,禁止放置易燃物品。答案:Ill级29 .混合集成电路国军标生产线认证的依据是()。答案:GJB2438A混合集成电路通用规范30 .薄膜生产线现NiCr电阻制作方阻有两种:()Q口和()o答案:4010031 .三维模块

5、的烘烤类型主要有:胶样固化、()、Oo答案:清洗烘干I除湿32 .白基片上激光切缝起始点距离该电阻或电阻两级金导带至少(),且与相邻金导带(或相邻电阻)的距离小于该电阻和相邻金导带【或该电阻和相邻电阻】距离的_()_。答案:50m一半33 .填银的粘接剂过多的流出能立刻短路或随着时间的推移因。造成短路。答案:银迁移34 .焊膏是一种0,具有流变特性。答案:流体35 .导电胶的热导率不应小于0Wmk0答案:1.536 .薄膜和基片的附着力有三种:()。答案:范德华力、化学键力和静电力37 .常用的半导体材料有0和()。答案:硅I错38 .人体的安全电压应低于或等于0。答案:36V39 .超声键合

6、机调试包括:()调整、()调整、()调整答案:功率I时间I压力40 .粘接表面的润湿难易用()来描述.答案:润湿角41 .GJB548B中要求,25m金丝无损拉力的设定为。G,40m金丝无损拉力设定为Ogo答案:2.44.042 .薄膜集成电路要求的氧化铝基片粗糙度()答案:0.0250.15m答案:。43 .首件检验合格后方可(批量)划片;批量划片时如果操作人员更改了工艺参数或程序,则操作人员需重新做()。答案:首件检验44 .半导体的电阻率的范围从Ocm到()之间。答案:105QCm45 .材料根据流动性可分为牛顿流体、和()答案:非牛顿流体46 .对关键工艺采用统计过程控制技术,简称()

7、,它已成为保证产品质量和可靠性的一项有效手段。答案:SPC47 .物质按照其导电能力可分为()、()和()3种。答案:导体I绝缘体I半导体48 .国际上通用的压强单位有:()、()、()、()。答案:Pa|BarTorrmmHg答案:负50 .吹片时,氮气压强为0。答案:0.5MPa1MPa51 .混合集成电路内部目检标准中,“低放大倍数”检查,是指在()倍双目立体显微镜下进行。答案:6.74052 .锡锅加热台温度是()。答案:245C5C53 .大功率芯片烧结工艺中,保护气体最好采用。和。混合气体。答案:H2N254 .混合电路内部目检的目的是检查混合集成电路、多芯片微电路和多芯片组件微电

8、路的。、。和()。答案:内部材料I结构I制造工艺55 .6寸晶圆常规常规减薄到O。答案:O.35mm0.38mm56 .超声焊是利用焊头()来使金属表面污染层破碎达到金属之间互相连接。答案:切向振动应力57 .元器件的一端离开焊盘面向上方斜立或直立称为()。答案:吊桥58 .GJB548A的名称是()。答案:微电子器件试验方法和程序59 .划片时压缩空气压力:()。答案:IOPSi12psi60 .在组装三维封装叠层存储器前,为了避免有机物等沾污影响粘接强度及后续灌封效果,通常采用()。答案:等离子清洗61 .GeH00A/B的固化条件为室温放置()。答案:8h62 .目前三维封装技术主要分为

9、()堆叠两类。答案:已封装器件堆叠及裸芯片63 .金属迁移基本上是一种()现象。答案:电化学64 .针对WEST-BOND760IE和0E20超声键合机,开机前需先打开氮气管道阀门,调节压力至()。答案:35PS50PSI65 .三维封装叠层存储器目前组装使用的粘接剂包括()和(o)答案:FP4450、506胶膜66 .存储器模块顶面打标图形和字符应()。答案:清晰可辨67 .用数字万用表检查探针卡探针间的绝缘性能时,绝缘电阻应()。答案:无穷大68 .GJB548B中要求,密封前,127m铝丝最小键合强度为()g069 .堆叠组装过程中主要依靠模具对组件进行(),然后使用(胶膜)对组件进行预

10、固化。答案:约束定位70 .军工产品质量管理条例中,实行批次管理,做到“五清六分批”,其中“六分批”的内容为()。答案:分批投料,分批加工,分批转工,分批入库,分批装配,分批出厂71 .()的英文为ElectricaIIyConductiveAdhesive,简称ECA0答案:导电胶72 .损伤是指表面受到影响但尚未达到()的程度(如磨痕、压痕等)答案:撕裂73 .电阻率介于导体与绝缘体电阻率之间的称为()。答案:半导体74 .在混合电路组装中一般使用两种粘接剂:()和()电绝缘粘接剂答案:导电粘接剂|电绝缘粘接剂75 .溶剂对基片有较小的0,则表明该溶剂与基片有较好的湿润性,该溶剂则能有效的

11、清洗表面。答案:接触角76 .生产过程中某工序产品的交付合格数与加工数的比例关系称为()。答案:工序成品率77 .当粘接剂和被粘接材料完全接触时,就会在它们之间产生()的和()的作用力。78 .与薄膜集成电路相比,厚膜集成电路的特点是()、()、()、(),特别适宜于多品种小批量生产。答案:设计灵活I工艺简便I制作方便I成本低廉79 .混合电路键合前常用的清洗方式为()。答案:等离子清洗80 .粘接好的电路禁止接触0。答案:有机溶剂81 .“三检”制是()、()、Oo答案:自检I互检I专检82 .三维封装存储模块工艺流程主要包括堆叠、()、磨切、表面金属化、()和外引线成型等6个部分。答案:灌

12、封I激光刻线83 .基片上长度超过(127m)的任何裂纹,对于K级电路超过0的任何裂纹,为不合格。答案:76m84 .金丝球焊键合的键合点直径为()引线直径。答案:2.05.0倍85 .印刷厚膜电路的丝网网框多采用。或(),网框大小原则是漏印图形的。倍,以保证漏印图形的精度。答案:硬铝|铝合金|两86 .厚膜电路要求的氧化铝基片表面粗糙度约在()。答案:0.38-0.635m87 .键合所用引线材料必须采用()。答案:电导率良好的金属88 .()和O是用于厚膜导体化学键合的典型氧化物。答案:氧化铜I氧化钙89 .三防涂覆前,首先要采用()、()进行清洗,然后采用()清洗。答案:丙酮I酒精I等离

13、子90 .导电粘接剂用于贴装要求()的器件答案:电接触91 .军工产品质量管理条例中,实行批次管理,做到“五清六分批”,其中“五清”的内容为()。答案:产品批次清,质量情况清,原始记录清,数量清,批号清92 .金属与陶瓷基板的粘结机理有两种:()和0。答案:机械键合I化学键合93 .在表面组装的场合,焊料和被焊接金属界面是0集中的部位,形成双重()因素。答案:应力I不利94 .芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为()答案:28095 .金导或电阻和基片边缘之间间距不得小于()um0答案:796 .选择贴装芯片粘接剂的基本考虑是:在高温下、高温老练后和加功率时,粘接剂的电导率和电参数的()如何

14、。答案:稳定性97 .绝缘胶665贮存期一般为(),适用期为O。答案:一年3h98 .采用AP-1000等离子清洗电路时,电路应该放置在设备的。极。答案:阴99 .混合集成电路厚膜生产线现行导体的()答案:5QIoMQ/100 .烘箱内放置组件或盛具烘烤时,之间应保持0以上距离。答案:3CM101 .影响焊点失效的外部因素有。、()、Oo答案:环境因素I热应力I机械应力102 .目前厚膜电路中所用基板材料有0、()、()等。答案:96%AI203Be0AIN103 .金属化中的划伤或探针划痕,使得金属条长度方向上暴露了下层材料,并使未受影响部分小于初始金属化宽度的0,对于K级电路小于(),为不

15、合格。答案:50%175%104 .清洗有两种工艺:湿法清洗(溶剂清洗)和()。答案:干法清洗105 .共晶粘片时,通常采用的保护气体是()。答案:N2106 .金属铝的电阻率比铜的电阻率()。答案:高107 .晶圆在全自动划片机上采用()划片。答案:硬刀108 .划片刀痕宽度是O答案:2050IIm109 .超声键合的尾丝不能超过铝丝直径的()。答案:2倍WO.清洗有两种工艺:()和0。答案:湿法清洗I干法清洗111 .混合集成电路按制造工艺,常可分为()、()两大类。答案:薄膜|厚膜112 .批量电路键合过程中至少进行()次以上抽检。答案:5113 .混合电路生产线常用的厚膜浆料主要有()

16、、()、Oo答案:10Q100Q1KQ114 .混合集成电路按制造互连基片的工艺,常可分为()或()两大类。答案:薄膜|厚膜115 .丝网印刷一般分为()印刷和()印刷两种,在()印刷中基板直接与丝网接触;()印刷中丝网与基板间有一固定距离,在我们的生产工艺中采用的是0印刷。答案:接触式I非接触式I接触式I非接触式I非接触式116 .薄膜激光修调切痕宽度应大于()。答案:3m117 .热压线焊是在提高温度和()下将两种金属彼此扩散而结合。答案:压力118 .掺银环氧用于贴装要求。的器件,如晶体管、电容器和二极管。答案:电接触119 .产品生产过程中所要求的三检是指:()、()、Oo答案:自检I

17、互检I专检120 .在三维多芯片组装存储器模块工艺流程中,()为关键过程,()。是特殊过程。()答案:激光刻线I灌封I化学镀镖I电镀镶金121 .()主要用来将基片贴装在金属封装壳的内部答案:电绝缘粘接剂122 .热传递的方式有三种:()、Ox()答案:传导I对流I辐射123 .灌封前组件等离子清洗条件,功率:(),时间:(),气体:(),真空度:()。答案:2000琳|7而八|氮气|5(2124 .高温TCR在()温度的烘箱中测试;低温TCR在。温度的高低温箱中测试。答案:125卜55125 .激光调值有两种基本调值类型,()和()。答案:有源I无源126 .清洗有两种工艺:()和()。答案

18、:湿法清洗I干法清洗1.1 .1英寸等于O毫米。答案:25.4128 .钝化层是指在金属淀积之前或在多层布线器件的各金属层之间,在芯片上直接生长或淀积的氧化硅、氮化硅或其他O。答案:绝缘材料129 .电镀镶金镀层的检验项目包括()、()和镀层厚度。答案:镀层外观I镀层附着力130 .在进行X射线检测操作时,开机后机器需要()。答案:预热131 .浆料中的功能相决定了成膜后的()性能和()性能。答案:电I机械132 .()是用途最广泛的粘接剂答案:环氧树脂133 .绷上蓝膜的陶瓷基片烘烤条件为温度:(),时间:()。答案:709013090min134 .热压键合法的机理是O和()。答案:低温扩

19、散I塑性流动结合135 .模块表面金属化分为()、()、()、()4个工艺过程。答案:喷砂I镀前处理I化学镀镖I电镀镶金136 .粘接介质是指用来实现。附着的一种材料(例如:粘合剂、焊料、合金)。答案:元件与下层表面137 .在电性能上,厚膜电路能耐受较。的电压、更。的功率和较大的电流。答案:高I大138 .再流焊炉的冷却方式通常有()和()两种。答案:风冷I水冷139 .在元器件粘接检验中,可见的元件。或()不得接收。答案:粘接倾斜I粘接材料异常140 .载体是聚合物在有机溶剂中的溶液。载体决定了厚膜的工艺特性,是0和O的临时粘结剂。答案:印刷膜I干燥膜141 .喷砂的目的是0灌封体表面,保

20、证金属化后镀层()答案:粗化I附着力142 .把()和()溶剂混合在一起组成共沸混合物,以便对这两类污染物具有最大的溶解作用答案:疏水I亲水143 .厚膜激光修调切痕宽度应大于()。答案:13Hm144 .一般晶圆的划片道为()mrn.答案:0.08145 .化学镀时关键的工艺参数是()、()及()。答案:镀液浓度I镀液温度I化镀时间146 .导电粘合剂的堆积使安装材料和工作金属化层或基片安装架或封装外引线键合区之间的间距小于()为不合格。答案:25m147 .记录应保持()、易于识别和检索。答案:清晰148 .高温TCR在()温度的烘箱中测试;低温TCR在。温度的高低温箱中测试。答案:125

21、C3C卜55C3C149 .激光刻线工序关于刻线的技术指标为刻痕宽度范围Om,刻痕深度范围:()m0答案:701201100200150 .无损拉力测试点一般选在距离芯片压点()处。答案:1/3151 .0和()一般为粉末状,在载体中进行充分搅拌和分散后形成膏状的厚膜浆料。答案:功能相I粘结相152 .三维模块喷砂使用的砂粒为(),目数为()。答案:金刚砂1120目153 .松香的主要成分是()。答案:松香酸154,三维封装叠层技术通过对单片存储器的垂直叠片和立体互连,能够在现有器件水平下将()及()成倍提升。答案:存储容量I位宽155 .导电胶84-1A贮存期一般为(),适用期为0。答案:一

22、年|2周156 .混合集成电路按膜厚及制造技术,通常可分为。和()o答案:薄膜混合集成电路I厚膜混合集成电路157 .切割过程中要精确控制加工精度,防止模块出现()、()、()等失效情况。答案:过切I崩角I裂纹158 .半导体的电阻率范围从OOCm到0QCm之间。答案:几|105159 .芯片在焊接后,与安装表面明显。不得接收。答案:倾斜【大于1001160 .生产过程中对产品的某工序进行检验时,未经处理或返工的数量总交验数的比例称为()。答案:一次交验合格率161 .在导体浆料中,功能相一般为()或()。答案:贵金属I贵金属的混合物162 .FP4450灌封胶的贮存期一般为()。答案:九个月

23、163 .665#有机硅环氧树脂与KH550的配制比例为100:()o答案:OJ2164使用浆料时应提前从冰箱中取出,在室温下放置()分钟后,再充分搅拌0分钟,然后再静置。分钟后方可使用。答案:301020165导电胶ME8512贮存期一般为(),适用期为0。答案:一年3h166 .金丝球键合时()对电路夹具进行加热。答案:必须167 .丝网目数一般电路印刷选用(),多层布线或要求精度更高者可选用()目以上的丝网。答案:200目300目1300168 .厚膜集成电路要求基片的氧化铝纯度约在0。答案:95%97%169 .15(TC下真空焙烤16-96h能有效去除从粘接剂和电路与封装的其它表面泄

24、放出来的大部分()及其他()。答案:水汽I挥发物170 .拒收H级元器件粘接粘合材料延伸到有源元件的顶部表面或导电粘合材料离外贴基片顶部或无源元件上非电气共用金属化层不到()。答案:25m171 .焊接热是。和()的函数。答案:温度I时间172 .三维封装叠层存储器组装堆叠过程可以分解为()以及()两步。答案:外引线组装固化I组件堆叠固化173 .目前三维封装叠层存储器使用的外引线材料是()答案:可伐材料4J29174 .薄膜和基片的附着力有三种:()、()和()答案:范德华力I化学键力I静电力175 .在绝缘体中,将原子束缚在一起的健是()。176 .三维封装叠层存储器采用的金属化工艺是先(

25、)再()的方法。答案:化学镀I电镀177 .绝缘体具有()的电阻率温度系数。答案:负178 .型号为0805/103J/X7R/25V电容中103J代表电容的O答案:容值答案:。179 .表面微孔越多,粘接剂在视表层下的渗透就越(),机械强度就增加答案:多180 .绝缘胶84-3J贮存期一般为(),适用期为()答案:一年|2周181 .三维叠层封装的作用是将元器件在()进行堆叠。答案:垂直方向182 .熔点在()以下的为软焊料。答案:400183 .灌封胶脱泡方式包括()和()。答案:真空脱泡I离心脱泡184 .激光切缝进入金属化尺寸不得大于金属化宽度的()_。答案:1/4185 .超声楔形键

26、合的键合点宽度为()倍引线直径,键合点长度为()倍引线直径。答案:1.23.01.56.0186 .根据粘接剂的化学性质可将其分成0、(答案:热固性I热塑性187 .变压器电感在加固后检验时,粘接剂距离管壳表面间距小于。为不合格。答案:127m188 .GJB548B中要求,机器评价时,30m金丝最小键合强度为()g,40m金丝最小键合强度为()go答案:4.05.0189 .产品质量的好坏包含O、()和()。答案:技术性能指标I可靠性指标I经济指标190 .在键合点区域的空洞,使暴露出的下层材料超过初始金属化区域的()以上,为不合格。答案:50%191 .506胶膜的贮存期一般为()。答案:

27、半年192 .三维封装叠层存储器使用的灌封胶材料必须0固化。答案:加热193 .506胶膜的贮存期一般为()。答案:半年194 .大多数疏水溶剂对非极性或非离子的()具有较大的溶解能力答案:污染物195 .键合过程中产生的多余物主要是()。答案:尾线196 .热压楔形键合的键合点宽度为0倍引线直径,键合点长度为()倍引线直径。答案:1.53.0|1.56.0倍197 .固态绝缘体的电阻率范围从106QCm到()以上。答案:1014cm198 .GJB548B中要求,密封前,25m金丝最小键合强度为(),40m金丝最小键合强度为O。答案:3.Og15.Og199 .军用混合电路贯彻国军标,总规范

28、编号是O.答案:GJB2438200,用焊料或合金法安装的元件,对于H级和H1级元件周界()可以见到焊料或公仝PqHZo答案:50%201 .三不放过原则是:(),O,O0答案:原因找不出不放过I责任查不清不出不放过I纠正措施不落实不放过202 .工艺操作中使用的酒精、丙酮()纯。答案:分析203 .FP4450灌封胶取出后解冻时间应不小于(),才能进行后续操作,从取出到灌封完成时间应不超过()。答案:2h12h204 .电路的同一位置上,聚合物粘接的元件可以更换(),在同一位置上用聚合物粘接到除基片金属化层以外的金属(如底座、侧壁、框架等)上的元件可以更换Oo205 .DPA是0的简称,目的

29、是验证电路的内外部物理结构是否可靠。答案:破坏性物理试验206 .文件应按规定程序进行编制,只有经授权人员0的文件才能发布,保证文件是充分的和适宜的。答案:签署完整207 .贴装芯片到互连基片上或贴装基片到外壳底座上的最常用方法是()答案:环氧树脂粘贴法208 .根据粘接剂的功能可将其分成()和()两种答案:导电胶I绝缘胶209 .存储器模块表面金属化镀层厚度采用XDA1.-FD型镀层厚度测试仪进行无损测试,镀层厚度要求为:化学镀镖厚度(),电镀镇厚度()m,电镀金厚度()mo答案:051.5m3.06.51.53.0210 .()可以和水相溶解,所以和极性污染物能发生较大的溶解作用答案:亲水

30、溶剂211 .质量原始记录一般不允许更改,确实需要更改时,应采取()方式,划改处由经手人签名或盖章并签署更改日期。严禁刮改和涂改。答案:划改212 .线焊有三种方法:()、()和()。答案:热压I超声焊I热声焊213 .加热固化装片工艺,关键所在要严格控制0和()。214 .厚膜10Q口,IMQ/口浆料的电阻温度系数在。范围内为合格,其余浆料的电阻温度系数在()范围内为合格。答案:-200ppmC200ppmC-1OOPPnI/C1OOppm/C215 .线上常用的硅铝丝通常含有0的铝和()的硅。答案:99%1%216 .GJB2438A中规定的混合集成电路等级有()、()、()、。四个等级。

31、答案:KHGD217 .金属间化合物的形成与温度和时间有关,所以焊接应在。内完成。答案:低温短时间218 .GIB2438A中规定的混合集成电路的质量等级有()、()、()、()四个等级。答案:KHGD219 .金丝球键合不具有(),因此一焊完成后,二焊可向各个方向移动并完成键合。答案:方向性220 .清洗有两种工艺:()和0。答案:湿法清洗I干法清洗221 .采用()粘贴的主要原因是其价格便宜且容易返修答案:环氧树脂222 .在激光刻线过程中,必须保证激光刻蚀后()尽量小。答案:热影响区宽度223 .低温介质印刷位置准确,印刷套偏不得大于()。224 .热压线焊有两种:()和合球焊。答案:楔

32、形焊225 .金属具有()的电阻率温度系数。答案:正226 .金属铝的电阻率比铜的电阻率()。答案:高227 .调值时探针卡压点损伤不得超过金导带宽度的()。答案:1/2228 .产品三检是指()、()、()。答案:自检I互检I专检229 .堆叠工序操作依据的图纸是()。答案:组装图230 .热固性粘接剂又可分成(单)组份和()组份两种类型。答案:双231 .金属具有()的电阻率温度系数。答案:正232 .喷砂处理有()及()两种工艺处理方式。答案:干法喷砂I湿法喷砂233 .防静电要求:防静电桌面接地良好,穿(),戴0。答案:防静电工作服I防静电手环234 .混合电路组装各工序中,()和封装

33、是关键工序。235 .固态绝缘体的电阻率范围从()QCm到OQCm以上。答案:1061014236 .质量问题归零的五条内容是()、()、()、()、()。答案:定位准确I机理清楚I问题复现I措施有效|举一反三237 .Al.G11044-2006混合集成电路工艺环境控制及净化要求中规定各主要工序(除光刻100O级外)环境和净化要求为温度:();湿度:();净化级别:()答案:1530115%RH-65%RH1100000238 .AD3000T全自动划片机所使用的刀具类型为()和硬刀。答案:软刀239 .混合集成电路按功能又可分为数字、()、射频微波和功率电路四大类。答案:模拟240 .厚膜

34、电路使用的浆料主要有0浆料,()浆料,隔离介质(高温介质)及保护介质(低温介质)浆料。答案:导体I电阻241 .型号为0805/103J/X7R/25V电容中0805代表电容的()答案:尺寸242 .H级“低放大倍数”检查应采用()倍的双目立体显微镜进行。答案:1060243 .在线使用整瓶焊膏回温时间是()。答案:2h244 .电阻温度系数(TCR)的国际单位为(),即()相对变化率。答案:ppm”Cl电阻R在温度每变化1C时阻值的245 .混合电路是一种将各种功能的(片式器件)在预先做好导体图案或导体与电阻组合图案的。上进行电气互连的电路。之所以叫混合,是因为它们在一种结构内组合两种不同的

35、工艺技术:()和()。答案:绝缘基片I有源芯片器件I成批的制造的无源元件246 .002激光器波长为()nm0答案:10640247 .对形成产品质量起决定性作用的过程叫做0。答案:关键过程248 .长度单位1m=()o答案:10OOnm249 .针对三维封装叠层存储器的工艺特点,灌封胶必须选择()值较高,且0与塑封器件相匹配的材料。答案:TgCTE250 .GJB548B的名称是()。答案:微电子器件试验方法和程序251 .金属铝的电阻率比铜的电阻率()。答案:高252 .)对印刷后还未烧结的不合格品可以返工,最多可以返工()次。待返工的基片要用()擦洗干净。如果个别电阻需要返工,可以用镜子

36、夹住酒精棉球将()擦洗干净。如果整个基片需要返工,将基片放入。中,倒入酒精,用棉球将基片表面擦洗干净。253 .拒收H级基片粘接导电粘合剂的堆积使安装材料和工作金属化层或基片安基片粘接装架或封装外引线键合区之间的间距小于()。答案:25m254 .元件不应超出基板边缘,不应与基板边缘之间的间距小于()。答案:76m255 .根据掺杂的元素的不同,杂质半导体分为。半导体和。半导体。答案:N型IP型256 .在芯片粘接中最常使用的是()和()两种导电粘接剂.答案:84-1AME8512257 .()是指焊点中出现焊料有突出向外的毛刺,但没有与其它导体或焊点相接触的现象。答案:拉尖258 .印刷厚膜

37、IC电路的丝网多采用。网,有时也用O,超精密的印刷可采用()的不锈钢丝网。答案:不锈钢丝|尼龙丝网|镀镖259 .型号为0805/103J/X7R/25V电容中25V代表电容的()答案:耐压答案:。260 .电路压焊完成后,必须对电路进行0自检或互检。答案:100%261 .混合集成电路内部目检标准中,“高放大倍数”检查,是指在()倍双目立体显微镜下进行。262 .O是指用于隔离多层导电性和电阻性材料或保护顶层导电电阻材料的介质层。答案:绝缘层263 .静电控制最重要的方法是()。答案:接地264 .为了避免气泡、气孔等缺陷,注胶时必须采取()工艺。答案:真空灌封265 .清洗工艺有两种:()

38、。答案:湿法清洗和干法清洗266 .硅橡胶垫片偏心,偏出瓷罐径向距离大于。为不合格。答案:2mm267 .环氧树脂粘片材料的粘接强度随着温度的升高而()。答案:降低268 .刮板材料一般为聚氨酯橡胶或氟化橡胶,硬度为肖氏()。答案:70-80269 .当粘接剂和被粘接材料完全接触时,就会在它们之间产生()的和()的作用力答案:化学I物理270 .浆料一般由()、()、()、()等贵金属和低熔点玻璃组成,将这些贵金属粉末分散在有机树脂粘合剂中调成糊状,然后通过丝网印版印在陶瓷基板上。答案:金I银I知钿271 .宽度小于()m的切缝属于厚膜激光修正缺陷。272 .K级检验规定“高放大倍数”检查应采

39、用()倍的双目立体显微镜在照明垂直于基片表面的条件下,对元器件及基片表面进行检验。答案:75150273 .金属间化合物的形成与。和()有关,所以焊接应在低温度短时间内完成。答案:温度I时间274 .打开盖子的浆料在室温下放置时间不应超过0小时。浆料使用完毕,盖紧盖子并将暂不使用的浆料及时放入()。答案:4|冰箱275 .粘结相通常是0、()或者是两者的组合,其作用是把烧结膜粘结到基板上。答案:玻璃I金属氧化物276 .混合集成电路按功能分为0、()、()和()四大类。答案:数字I模拟I射频微波I功率电路277 .电阻浆料中的功能相一般为()。答案:导电性金属氧化物278 .厚膜浆料主要由三部

40、分组成:()、()和()。答案:功能相I粘结相I载体279 .热传递的方式有三种:()、O和。答案:传导I对流I扩散280 .干式喷砂可以提高灌封料表面粗糙度,灌封体表呈(),引线凸出高度()mo答案:均匀灰白色I【155】281 .薄膜集成电路要求的基片氧化铝含量要大于()答案:99.6%282 .防静电手环和地线之间应该()。答案:接1M。左右电阻283 .绝缘体具有()的电阻率温度系数。答案:负284 .质量问题归零五条标准的根本任务是()。答案:防止质量问题再发生285 .金属封装的壳和盖板广泛使用的是结构材料是(),它是一种由53%的铁、29%的镇和18%钻的合金。答案:可伐286

41、.正确熄灭酒精灯的做法是()。答案:用酒精瓶盖直接盖在酒精灯上287 .目前三维封装叠层存储器生产过程中采用()T()TO的流程进行注胶灌封操作。答案:预脱泡I灌封前排气I真空灌封288 .厚膜技术是指用()、()等方法,将导体浆料和电阻浆料,通过O在陶瓷等基片上制成所需的图形,再经过()而制出厚膜元器件和集成电路的技术。答案:丝网印刷I喷涂I掩膜I加热烧结289 .空洞是指材料中(内互连线、键合区域等)可以看到下层材料的任何区域,不是由()造成的。答案:划伤290 .激光调值的切割方式有O、()、()、()、()切五种。答案:单切I双切IS切I1.切IU形291 一个键在另一个键上面所形成的

42、单一金属键合叫做O。答案:复合键合292 .支架在焊接成型后的检验中,若出现表面。现象时不得接收。答案:开裂293 .变压器电感的去漆部位长度应在以下范围:()。答案:2mmW1.W5mm294 .在焊接过程中,当设备出现异常情况时,应立即()。答案:停机295 .影响烧结特性的主要参数有最高烧结温度、()、()、烧结气氛、烧结次数。答案:保温时间I升降温速率296 .电阻浆料主要有银、金、钿、钉等0,(),()等。答案:金属电阻I树脂类电阻I碳素皮膜电阻297 .由于空洞或对准不良,使玻璃钝化层覆盖电阻的面积小于()的电阻面积,为不合格。答案:90%298 .制作厚膜基板时,应注意陶瓷板的材

43、质、()、()、()以及表面的缺陷与污染等。答案:尺寸I粗糙度I翘曲299 .导电胶由()与()混合组成。答案:聚合物基体I导电填充物300 .密封型粘接剂用来粘接两种不受荷重的物体,用于0、()或O等目的答案:缝隙填充I密封I封装简答题1 .在下面电路中,求电流I是多少?答案:I=UR=2020X10./20+10.=3A答:电流I是3A。2 .简答案激光调值环境、净化及防静电要求。答案:温度1628C;湿度45%RH-65%RH;净化等级100000级。3 .环氧树脂的优点是什么?答案:环氧树脂具有良好的粘接性,电绝缘性、耐化学腐蚀性和机械强度,缩性小、外形几何尺寸稳定性好,耐热性能高。4

44、 .由1千克NaOH加水制出8千克NaON清洗液。若再制2千克同样浓度的NaOH溶液需用多少千克氢氧化钠?答案:设需X千克NaOH则x:2=1:8X=0.25(千克)答:需用0.25千克氢氧化钠。5 .用1MQ口电阻材料制作一个长度为500m宽度为250m电阻,请计算该电阻的理论标称值?答案:区口口=1_/加500/250=2匚|七2口例0/匚|二2乂。答:该电阻的理论标称值为2Mo6 .把10克氢氧化钠固体溶于40克水中,计算所得溶液的质量百分比浓度?答案:10/(10+40)X100%=20%答:溶液的质量百分比浓度为20%。7 .金-硅合金中,已知金原子的百分数为69%,金原子和硅原子数

45、的合为0.691(N),金的原子量为197。求:金的原子数?金和硅的质量百分含量?答案:设金的原子数为:xv(0.691)=0.69X=0.6910.69=0.477(N)量百分比为:197X0.477=93.969=94(94%)硅的百分比含量为:100-94=6(6%)答:金的原子数为0477(N);金的质量百分比为94%;Si的质量百分比6%。8 .管芯的方位不合格判据有哪些?答案:(1)管芯定向或定位不符合装配图;(2)管芯与封装壳边缘平行度偏离10度。9 .一只标有220V/40W的灯泡,接入电压200V的电路中,此灯泡的实际功率多大?答案:P=U2R假定灯泡丝R不变则P实/P额=U实2/U额2.二P实二(U实2/U额2)XP额=(2002/2202)X40=33(W)答:灯泡的实际功率为33W010 .降低密封外壳墙体内水分的主要途径有哪些?答案:(1)采用合理的预烘烤工艺

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