《GB_T51453-2024《薄膜陶瓷基板工厂设计标准》.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB_T51453-2024《薄膜陶瓷基板工厂设计标准》.docx（40页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
1、根据住房城乡建设部关于印发2016年工程建设标准规范制订、修订计划的通知（建标函（2015）274,号）的要求，标准编制组经广泛调查研究，认真总结实践经验，参考有关国际标准和国外先进标准，并在广泛征求意见的基础上，编制了本标准。本标准主要技术内容：总则，术语，总体设计，工艺设计，基本工艺，工艺设备配置，建筑与结构，公用设施，电气设计，环境保护、节能与安全设施等。本标准由住房城乡建设部负责管理。本标准主编单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院（地址；北京市东城区安定门东大街1号，邮政编码：100007）中国电子科技集团公司第五十五研究所本标准参编单位：中国电子科技集团公司第二研究所中国电子科技
2、集团公司第十四研究所中国电子科技集团公司第二十九研究所中国电子科技集团公司第四十三研究所中国航天科技集团公司五院西安分院中国兵器工业集团公司第二一四研究所中国电子工程设计院有限公司南京市建筑设计研究院有限责任公司信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司本标准主要起草人员：刘玉根薛长立闫诗源晁宇晴吴希全夏庆水程凯何中伟罗桥居进文平本标准主要审查人员：沈先锋江诗兵宋泽润朱统文严伟王从香秦跃利陆吟泉李鸿高顾晓春杨智良管雯夏双练徐仁春沈元明1总则(1)2 术语(2)3 总体设计(3)3.1 一般规定(3)3.2 厂址选择(3)3.3 总图规划及布局(3)4 工艺设计(5)4.1 工艺流程设计(
3、5)4.2 工艺区划(5)5 基本工艺(7)5.1 一般规定5.2 基板准备(7)53镀膜工艺(7)5.4 光刻工艺(8)5.5 电镀工艺(9)5.6 刻蚀工艺(10)5.7 激光调阻工艺(10)5.8 激光打孔工艺(11)5.9 划片工艺(11)5.10 测试工艺(12)6 工艺设备配置(14)6.1 一般规定(14)6.2 基板准备工艺设备(14)6.3 镀膜工艺设备(15)6.4 光刻工艺设备(15)6.5 电镀工艺设备(16)6.6 刻蚀工艺设备(17)6.7 激光调阻工艺设备(17)6.8 激光打孔工艺设备(18)6.9 划片工艺设备(18)6.10 测试工艺设备(19)7 建筑与结
4、构(20)7.1 建筑(20)7.2 结构(21)8 公用设施(22)8.1 空气调节和净化系统(22)8.2 给水排水(23)8.3 气体动力(24)9 电气设计(26)9.1 供电系统(26)9.2 照明、配电和自动控制(27)9.3 通信、信息(28)10 环境保护、节能与安全设施(29)10.1 环境保护(29)10.2 节能(29)10.3 安全设施(30)附录A薄膜陶瓷基板生产基本工艺流程(32)本标准用词说明(33)引用标准名录(34)Contents1 Generalprovisions2 Terms3 Generaldesign3.1 Generalrequirements3
5、.2 Siteselection3.3 Overallplanningandlayout4 Processdesign4.1 Processflowdesign4.2 Processlayout5 Basicprocess5.1 Generalrequirements5.2 Ceramiesubstratepreparing5.3 Thin-filmdepositionprocess5.4 1.ithographyprocess5.5 Platingprocess5.6 Etchingprocess5.7 1.asertrimmingprocess5.8 1.aserdrillingproce
6、ss5.9 Dicingprocess5.10 Testingprocess6 Processequipmentconfiguration6.1 Generalrequirements6.2 Ceramicsubstratepreparingprocessequipment)-10UU124)%4)5)QGe(3G(5(5(50(7(8(970%的洁净厂房中进行。5.1.6 陶瓷基板在加工工艺期间应放置在温湿度恒定的氮气柜中。5.2基板准备5. 2.1基板的种类、规格、厚度等性能应符合产品设计要求。6. 2.2陶瓷基板检验应符合工艺要求，基板表面应无划痕，致密无针孔。7. 2.3薄膜陶瓷基板处
7、理工艺应符合下列规定：1陶瓷基板表而的清洗应采用物理清洗或化学清洗方式：2清洗后的陶瓷基板表面应无油污、颗粒、水渍等污染。5.2.4使用酸、碱、有机溶剂的操作应在通风条件下进行，未使用的化学试剂应密封并分类储存在化学品专用储存柜中。5.3镀膜工艺5.3.1 镀膜工艺可采用蒸发、溅射的方法在基板上顺序沉积复合膜系。5.3.2镀膜工艺应根据工艺设计选择合适的薄膜沉积方式。5.3.3蒸发、溅射镀膜工艺应符合下列规定：1应设置薄膜沉积的工艺参数，并应根据实际情况调整：2沉积前工艺腔室真空度不宜大于2X103Pa;3沉积前应去除基板表面的水气、杂质，可选择基板加热和表面射频清洗的方式：4膜层应均匀、致密
8、，对基板有较强的附着力，膜层厚度应符合设计要求；5表面应无针孔、起泡、裂纹等缺陷，无划伤、擦伤、污染及其他多余物。5.3.4等离子增强化学气相沉积工艺应符合下列规定：1应根据需要沉积的介质种类，选择相应的各种工艺气体；2应设置保护气体流量，向腔体通入保护气体进行吹扫；3应根据沉积介质种类和厚度等要求，调用相应的沉积工艺程序，开始绝缘介质层的沉积工艺：4沉积过程中应确认工艺程序中的气体压力、温度、气体流量等工艺参数无异常情况。5.4光刻工艺5. 4.1光刻工艺应采用紫外光和掩模版曝光的方法，将设计图形转移到光刻胶和陶瓷基板上。6. 4.2光刻的基本工艺过程应包括基板预处理、涂胶、前烘、曝光、显影
9、、坚膜。7. 4.3光刻工艺应符合下列规定：1对基板应进行预处理，提供清洁干燥的表面；2根据工艺需求应选择匀胶或喷胶方式，在基板表面涂覆光刻胶层，要求胶层厚度均匀、边缘平整；3应根据光刻胶的类型和厚度设置不同的基板烘烤温度和8时间；4曝光机曝光工艺参数应根据选用的光刻胶以及光刻胶厚度设5显影时间应根据光刻胶厚度以及选用的显影液进行调整；6坚膜温度和时间应根据光刻胶型号和光刻胶厚度调整；7光刻工艺过程中使用的掩模版、光刻胶、显影液等物料均应检验合格，并在有效期内；8光刻工艺图形应完整，线条边缘陡直、干净，光刻线条符合工艺设计要求。5.4.4涂胶、前烘、坚膜等工序操作应在通风橱进行，未用的化学试剂
10、应密封，并应存放在专用储存柜中。5.5电镀工艺5.5.1薄膜陶瓷基板应通过电镀工艺加厚金属膜层厚度，提高表面金属化的可焊性、键合性及导电性能。5.5.2电镀工艺应符合下列规定：1应按工艺要求配置镀铜、镀银和镀金溶液；2薄膜基板应固定在电镀夹具上；3基板电镀前应去除基板表面沾污，并应用去肉子水冲洗干净；4基板电镀前应进行活化处理以去除金属化表面的氧化层；5基板在镀铜、镀银和镀金溶液中应按规定的电流强度、时间和速度进行电镀，之后用去离子水冲洗；6镀涂后的基板应退火以提高镀层和底部金属化的结合力；7镀涂结束后应在显微镜下检查镀层表面，测量镀层厚度，测试镀层性能。5.5.3电镀工艺地面与墙面应符合工艺
11、防腐要求。5.5.4电镀工艺应在7级或优于7级洁净的工作间中进行，厂房应配备符合要求的排风设施，废气、废水应达标排放。5.6刻蚀工艺5.6.1光刻后的薄膜基板应通过刻蚀工艺去除表面不需要的膜层材料。5.6.2刻蚀工艺可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，应根据工艺设计要求选择相应的刻蚀方法。5.6.3刻蚀工艺应符合下列规定：1应根据刻蚀的材料种类、厚度等参数选择刻蚀溶液或刻蚀工艺气体；2腐蚀前应确认设备运行状态正常，湿法刻蚀设备腐蚀槽中药液温度达到工艺文件要求；3应根据工艺文件要求调用相应的刻蚀工艺程序；4刻蚀后的基板电路图形应完整、表面无多余物，带线上无针孔、线条边缘陡直，刻蚀均匀性良好，无过蚀现象。5
12、.6.4干法刻蚀工艺应设置有毒有害气体监控报警系统。5.6.5湿法刻蚀卫艺区地面与墙面应符合工艺防腐要求，并应设置化学泄漏应急处置箱。5.7激光调阻工艺5.7.1激光调阻工艺应通过减小陶瓷基板表面薄膜电阻器的宽度使其达到目标阻值和精度。5.7.2激光调阻工艺应符合下列规定：1激光调阻机的电源、真空及排风应满足工艺要求；2待调阻的薄膜陶瓷基板应放置到调阻机载片台上，真空吸附定位；3安装调阻探针卡宜选用内阻较小的电阻卡盘做媒介，当基板上电阻较多、电阻尺寸又很小时，可分成两个甚至更多卡盘进行分步调阻，调阻不应损伤两端电极；4应设置激光调阻工艺参数，编制调阻程序，调阻深度不宜超过电阻宽度的一半，宜使用
13、“1.”形调阻，不宜使用“一”型调阻；5应在显微镜下用射灯透射放大检验激光切割出的切口是否切透，切口内不应有电阻残留物：6试调合格后应完成整批薄膜陶瓷基板的调阻，有匹配要求的电路测试完每一电阻的阻值后，应通过计算确认其匹配值是否满足要求，当不满足要求时，应重新修改程序，并应提高对应电阻调阻精度满足匹配要求：7应对开始激光调阻的一块或几块产品进行测试检查，当发现所调阻值精度有异常时，应及时调整目标设定值；8激光调阻机工作时，应关闭防止激光散射的安全门、罩。5.8激光打孔工艺5.8.1激光打孔应采用激光机时陶瓷基板进行切割，并应在陶瓷基板设定的位置上切割成所需尺寸和形状的通孔。5.8.2激光打孔工
14、艺应包括以下步骤：1薄膜陶瓷基板应固定在加工台面，待加工区域基板下方应架空；2应按工艺要求设置激光参数、打孔速度、吹气压力；3J应按工艺要求调整工作台，完成打孔标记寻找及对准；4应按工艺要求运行打孔程序：5薄膜陶瓷基板激光打孔时宜在基板表面涂覆激光加工保护涂层。5.9划片工艺5. 9.1划片工艺应通过运行砂轮划片机或激光划片机，将陶瓷基板分切为尺寸及切口质量达到要求的单元陶瓷基板。砂轮划片机应只划切直线，激光划片机则可划切任意路径。6. 9.2砂轮划片工艺应符合下列规定：1砂轮划片机电源、压缩空气和冷却水应满足工艺要求；2应根据工艺要求选择合适的划片刀，并应固定到法兰盘上锁紧；3应通过蓝膜将陶
15、瓷基板固定在载片台上，开启真空吸附，确认切割位置；4应根据工艺要求设置主轴转速、划切深度、划切速度、每一方向划切刀数、划切步进、走刀行程等划切工艺参数，定好基点，并应按基板大小和形状编制划切程序；5应按工艺要求调整载片台，完成每一通道的划切对位；6划切过程中应保持切割深度在蓝膜内部，可根据刀具磨损经验值进行深度补偿或重新测高；7取下单元陶瓷基板前应将基板表面清洗干净并吹干或甩干；8工艺完成后应冲洗划片机载片台及划片区域。5.9.3激光划片工艺应包括以下步骤：1 薄膜陶瓷基板应真空吸附在工作台上；2应按工艺要求设置激光参数、划片速度；3应按工艺要求调整工作台，完成划线标记寻找及对准；4应按工艺要
16、求运行划片程序：5薄膜陶瓷基板激光划片时宜在基板表面涂覆激光加工保护涂层。5.9.4划片机应配备安全防护门，设备工作时防护门应关闭。5.10测试工艺5.10.1测试工艺应包括基板单元尺寸测试、膜层厚度测试、结合力测试、通断测试、阻值测试以及金属膜层可焊性或键合强度测试，并应确定基板符合设计要求。5.10.2测试工艺应符合下列规定：1基板外形尺寸可使用游标卡尺测试，图形尺寸可使用测量显微镜测试：2金属膜层厚度可使用台阶仪测试，台阶仪应安放在减震平台上；3结合力测试可采用拉力测试仪：4金属化孔可采用数字多用表或飞针测试设备测试；5电阻阻值可使用数字多用表或激光修阻仪的探针卡装置测试；6键合强度及可
17、焊性应根据设计文件规定的方法进行试验。6工艺设备配置6.1 一般规定6 .1.1薄膜陶瓷基板生产线的加工设备与检测仪器应根据生产线的组线方式、产品种类、生产规模、生产效率，运行管理与成本控制目标、节能环保要求等因素合理配置。7 .1.2薄膜陶瓷基板工艺设备的选型应符合下列规定：1应按照产品的结构形式、工艺途径、所用材料、加工流程等确定所需工艺设备的种类；2应按照生产线的产能需求和工序平衡原则明确各工艺设备的单台加工速度及设备数量；3应按照最终产品的加工精度要求明确各工艺设备的关键技术指标；4当研制与小批量生产加工，依靠操作人员技能水平保障加工质量时，可选用性能价格比高、投资较少的手动型设备。6
18、.2 基板准备工艺设备6. 2.1陶瓷基板入检应配备游标卡尺、显微镜以及轮廓仪等工具和仪器。7. 2.2陶瓷基板处理工艺可选用超声清洗机、甩干机、洁净烘箱等。8. 2.3超声清洗机应能调节功率大小，可选择不同超声频率的超声清洗机以清洗大小不同的颗粒。9. 2.4陶镒基板处理工艺应接入压缩空气、氮气、纯水以及冷却水。10. 2.5陶瓷基板处理工艺应设置有机溶剂、酸、碱排风以及废液排放管道。6.3 镀膜工艺设备6 .3.1镀膜设备宜选用真空蒸发镀膜、磁控溅射设备和等离子增强化学气相沉积设备。7 .3.2蒸发、磁控溅射镀膜设备应符合下列规定：1镀膜设备主要技术指标应包括极限真空、真空室漏率、抽气速率
19、、膜层厚度均匀性、最大载片尺寸和数量；2 磁控溅射设备应配备多路工艺气体，工艺气体纯度应大于或等于99.99%;3 磁控溅射设备宜配置3个靶位以上溅射系统；4应配备溅射电源和自动控制系统，并应从面板上设置、控制和监视镀膜过程：5设备加热能力及工件台最高温度应满足镀膜参数要求；6镀膜均匀性和重复性应满足使用要求；7循环冷却水温度应在15C25C,压力应满足设备使用要求：8机械泵尾气应接入厂房排放管道；9X设备接地电阻应小于4C。6.3.3等离子增强化学气相沉积设备应符合下列规定：1应根据设备和环境要求安装排风系统；2等离子增强化学气相沉积设备的总电源应配置专用空气开关，接地线应可靠；3应安装多路
20、气体管道，并应根据气体性质安装气体泄漏报警装置；4等离子增强化学气相沉积设备应具备气体反应腔、抽气系统。6.4光刻工艺设备6.4.1光刻工艺设备应包含涂胶机、光刻机、显影台、热板和烘箱等设备。6.4.2光刻设备应符合下列规定：1匀胶系统转速和加速度应满足工艺要求，可具备自动滴胶和自动去厚胶边功能；2自动滴胶系统应由专业人员进行安装，储胶罐的接口密闭情况以及胶阀的气压应符合要求；3曝光机应安装在减震平台上，安装时应反复调节四个地脚螺栓高度，使得曝光机承片台水平，并应用水平仪进行检测确认；4光源及光路应安装防护门、罩等保护装置；5烘烤设备应为烘箱或热板，并应具备烘烤温度和烘烤时间设置功能，最高加热
21、温度及温度均匀性指标应满足工艺要求；6热板可配置接近式烘烤与氮气吹扫功能：7匀胶、烘烤、显影设备应设置与工艺线排风管道口相连接的接口；8应接入压缩空气、氮气及真空三种气路，冲洗用纯水压力应为0.13MPa0.35MPa。6.5电镀工艺设备6.5.1电镀工艺设备可选用挂镀设备、喷镀设备，附属设备有甩干机、X射线测厚仪、显微镜。6.5.2电镀工艺设备的配置应符合下列规定：1电镀设备可使用手动电镀线和自动电镀线，主要技术指标应包括镀槽容积、镀液温度均匀性、电源稳定性、最大电流、镀槽数量、行车运行速度；2电镀设备应具有防干烧功能、低液位报警功能和防泄漏报警功能：3电镀设备可配备脉冲电源，提高镀层的均匀
22、性；4电镀设备应配备循环过滤功能；5电镀设备应根据工艺配置相应的酸、碱排风或（化物排风系统，电镀操作应在通风良好的环境中进行：6电镀设备应配置酸、碱废液排放管道。6.6刻蚀工艺设备6.6.1刻蚀工艺设备可分为湿法和干法两类，湿法使用化学溶液，干法使用反溅射、反应离子刻蚀机等。6.6.2刻蚀设备应符合下列规定：1湿法刻蚀设备应配备温控装置、过滤装置，材质应满足刻蚀溶液的要求。2制备湿法刻蚀溶液应配备化学品储存柜、电子秤或天平。3化学品储存柜应满足耐腐蚀、通风、遮光的能力，材质应选择聚乙烯材料。4电子秤或天平应配置载物台、称量系统和显示系统，并应保证所需的量程和精度。5干式刻蚀设备应具备蒸气反应腔
23、、抽气系统，材质应满足刻蚀蒸气的使用要求.6应根据设备和环境要求，安装一般排风系统或酸碱排风系统。7X反应离子刻蚀机的总电源应配置专用空气开关，接地线应可靠。射频电源功率可分别设置，并应具有阻抗自动匹配功能。8应根据气体性质安装气体泄漏报警装置。6.7激光调阻工艺设备6.7.1激光调阻机应选择包括激光光源、激光传输系统、计算控制系统、工作台和测试系统等功能的设备。6.7.2激光调阻机的配置应符合下列规定：1激光调阻机主要技术指标应包括激光功率、激光光斑直径、最高调阻精度、最大调阻区域；2工作台应能固定陶瓷片，并应根据程序设定在X-Y方向进行重复移动；3激光系统应能对激光能量进行控制；4激光传输
24、系统应能通过振镜使得激光光束在XT方向进行移动；5测试系统应具备记录功能。6.8激光打孔工艺设备6.8.1激光打孔工艺应选择激光打孔机，并应包括激光光源、激光传输系统、计算控制系统、工作台和吹气系统等设备。6.8.2打孔工艺设备的配置应符合下列规定：1打孔设备应适用于在薄膜陶瓷基板上切透通孔的能力。2激光划片机主要技术指标应包括激光类型、激光波长、激光功率、激光光斑直径、重复定位精度。3激光打孔机应符合不列规定：D应配备陶瓷基板打孔专用夹具；2）应配备电荷耦合元件对准系统；3）宜自带冷却系统；4）应具备编程控制激光加工参数及激光运动路径。4激光打孔机在加工过程中应采用吹气冷却的方式。6.9划片
25、工艺设备6.9.1划片工艺设备可选择砂轮划片机和激光划片机。6.9.2划片工艺设备的配置应符合下列规定：1划片设备应适用于将陶瓷基板分切为单元陶瓷基板。2砂轮划片机主要技术指标应包括最大主轴转速、最大切割深度、最大切割尺寸、最大划片速度、划片精度。3砂轮划片机应符合下列规定：D应配备XYZTHETA四个工作轴，工作台可进行X/Y/THETA三个方向的运动；2）应配备电荷耦合元件对准系统及对准光源；3）砂轮刀片应能进行高度调节并可进行方向转换：4）应具备自动测高、砂轮磨损补偿功能；5）可编程控制砂轮转速、切割速度、切割深度。4激光划片机主要技术指标应包括激光器类型、激光波长、激光功率、激光光斑大
26、小、重复定位精度。5激光划片机应符合下列规定：D应配备真空吸附平台；2）应配备电荷耦合元件对准系统；3）宜自带冷却系统；4）可编程控制激光加工参数及激光运动路径。6划片设备清洗模块应提供洁净的压缩空气以满足陶瓷基板的清洁需求。7在加工过程中划片设备应配备冷却系统，可采用冷却液冷却的方式。6.10测试工艺设备6. 10.1陶瓷基板外形尺寸测量可选用游标卡尺、千分尺、测量显微镜。6.10. 2图形尺寸测量可采用测量显微镜、轮廓仪。1.1.1 3膜层厚度测试可采用膜厚仪、台阶仪、X射线测厚仪或方阻仪。6.10.4 结合力定性测试可采用烘箱烘烤、手术刀划挑以及胶带测试的方法，定量测试应采用拉力测试仪。
27、6.10.5 金属化孔测试设备可采用飞针测试设备，应包括电源模块、工作台、飞针夹具、影像对位系统和控制系统等，飞针可在X-Y方向移动，从而实现不同位置的电路通断测试。6.10.6 电阻测试可采用数字多用表或激光调阻仪。6.10.7膜层可焊性或可键合性测试设备应为相应的焊接设备或键合台，包含控温系统、真空系统、压力系统。7建筑与结构7.1建筑7.1.1薄膜陶瓷基板工厂的建筑平面和空间布局应满足产品生产工艺流程要求，并应适应生产发展的灵活性7.1.2薄膜陶瓷基板厂房建筑层高应根据吊顶内管线布置敷设、吊顶下的空间高度、最高设备安装与维护的需求确定。7.1.3生产厂房内应设置人员安全疏散通道及工艺设备
28、的安装与运输通道。7.1.4薄膜陶瓷基板生产广房墙面保温、屋面保温、隔热、防潮、防尘等宜按照项目建设地的气候条件进行设计。7.1.5建筑墙体和装修应符合下列规定：1建筑墙体应符合现行国家标准墙体材料应用统一技术规范GB50574的有关规定；2外墙面可采用建筑涂料，局部可采用铝板；3房间内墙可为涂料饰面，顶棚宜采用装饰石膏板：4洁净室墙体及顶板宜采用岩棉夹芯金属壁板，楼地面应采用不发尘材料。7.1. 6薄膜陶瓷基板生产厂房火灾危险性类别应为丙类。7.1.7 薄膜陶瓷基板生产厂房内、安全出口、疏散标志等消防设计应符合现行国家标准电子工业洁净厂房设计规范GB50472的有关规定。7.1.8 薄膜陶瓷
29、基板生产厂房采用多层建筑形式时，生产厂房外墙宜预留设备搬入的吊装口。7.1.9 净化区外窗设计应采用断桥的双层固定窗，并应具有良好的气密性。7.1.10薄膜陶瓷基板生产厂房室内装修材料的选择应符合现行国家标准电子工业洁净厂房设计规范GB50472和建筑内部装修设计防火规范GB50222的有关规定。7.2结构1. 2.1薄膜陶瓷基板生产厂房结构形式根据建筑设计形式可采用钢结构、钢筋混凝土结构或钢结构与钢筋混凝土结构等组合结构，不应采用砌体结构，建筑体型宜简洁、规则。2. 2.2薄膜陶瓷基板生产厂以及各子项建筑抗震设防类别及抗震设防标准应符合现行国家标准建筑与市政工程抗震通用规范GB55002、建
30、筑工程抗震设防分类标准GB50223、建筑抗震设计规范GB50011的有关规定。7. 2.3生产厂房采用多层建筑形式时，楼面荷我应根据生产、维护、安装工艺、设备重量及结构布置，以及实际情况进行确定。楼面均布活荷载标准值不应小于6kNm28. 2.4生产广房钢筋混凝土梁不宜采用预应力结构。9. 2.5一生产厂房洁净区不宜设置变形缝。10. .6单独的设备基础设计应符合设备技术说明书的要求。8公用设施8.1 空气调节和净化系统8.1.1洁净室的空气洁净度等级应根据生产工艺对生产环境的要求确定。8.1.2洁净室的气流组织应根据洁净度等级、生产工艺要求以及技术经济比较后确定。8.1.3当出现下列情况之
31、一时，空气净化调节系统应分开设置：1工作班制或生产时间段不同；2生产工艺存在交叉污染的工序：3温度、湿度和洁净度等要求差别大的洁净室；4净化空调系统和普通空调系统；5洁净室内卫艺设备发热量和散湿量相差悬殊的洁净室。8.1.4净化空气调节系统的新风宜进行集中处理，新风处理机组的设置应符合下列规定：送风机应采取自动调速措施；2空气宜选用粗效、中效、高效过滤器三级处理：3机组应有良好的气密性，漏风率不得大于IK8.1.5光刻间净化空气调节系统的循环风宜采用干冷却盘管冷却处理。8.1.6洁净室的送风量应符合现行国家标准洁净厂房设计规范GB50073的有关规定。8.1.7净化空气调节系统的新风吸入口的布
32、置应远离排放有毒有害物或可燃物的排气口。8.1.8洁净室的噪声控制设计的噪声级（空态）应符合现行国家标准电子工业洁净厂房设计规范GB50472的有关规定，当洁净室采用风机过滤器机组处理循环空气时，单向流和混合流洁净室的噪声级(空态)不应大于70(IB（八）,非单向流洁净室的噪声级(空态)不应大于65dB（八）8.1.9有毒有害排风系统宜设置备用风机。8.1.10排风系统应按照热排风、有机溶剂排风和酸、减排风分开收集，分别处理，并应符合下列规定：1酸、碱、有机溶剂等有毒有害排风应处理达标后再向大气排放；2有机溶剂排风应采取防火、防爆措施；3酸、碱、有机溶剂排风系统的废气处理设备应设在排风机的负压
33、端；4排风管上应设置防倒灌措施；5有排放环保要求的排气管上宜设置排气监测措施。8.2给水排水1. 2.1薄膜陶瓷基板工厂的给水排水设计应符合现行国家标准建筑给水排水与节水通用规范GB/55020和建筑给水排水设计标准GB50015的有关规定。8. 2.2生产废水、生活污水系统应分别设置，不同类别的生产废水排放系统宜分别设置。9. 2.3纯水系统的设计应符合现行国家标准电子工业纯水系统设计规范GB50685的有关规定，并应符合下列规定：1纯水系统的水质应根据薄膜陶瓷基板生产工艺的要求确定；2纯水系统供水管网的循环水量不宜小于设计供水量的20%;3纯水系统的回收率应根据薄膜陶瓷基板实际情况合理确定
34、。10. 2.4工艺循环冷却水系统设计应符合下列规定：1工艺设备循环冷却水的水质、水温、水压应根据生产设备要求确定；2工艺设备循环冷却水系统供水水温不应高于25C,使用点压力不应小于O.3MPa;3工艺设备循环冷却水系统应设置应急备用电源。8.2.5工艺设备循环冷却水系统的水温和所在环境温度不同时，管道布置应采取保温措施。8.2.6消防给水系统的设置应符合现行国家标准消防设施通用规范GB55036和建筑设计防火规范GB50016的有关规定，并应符合下列规定：1 室外消火栓宜采用地上式消火栓；2厂房内应设置室内消火栓、自动喷水灭火系统、灭火器系统：3洁净生产区宜设置自动喷水灭火系统。8.2.7室
35、内外消火栓应采用各自独立的加压供水方式，室内应设置消火栓箱，消火栓箱内应设置启动消防泵按钮，室内消火栓应保证采用两支水枪的IOm充实水柱到达室内任何部位，并应布置在位置明显、易于操作的位置。室内外消火栓应符合现行国家标准消防设施通用规范GB55036和消防给水及消火栓系统技术规范GB50974的有关规定。8.3气体动力1. 3.1薄膜陶瓷基板工厂人工冷热源宜采用集中设置的冷（热）水机组和供热、换热设备。机型和设备选择应根据工厂所在地区的气候、能源构成、能源政策及环保要求综合比较确定。2. 3.2薄膜陶瓷基板工厂设计同时需要供冷和供热时，冷水机组宜根据负荷要求选用热回收机组，并宜采用自动控制的方
36、式调节机组的供热量。8. 3.3过渡季节或冬季需用一定量的供冷负荷时，可利用冷却塔作为冷源设备。9. 3.4压缩空气系统应符合下列规定：1 压缩空气系统的供气规模应按生产工艺所需实际用气量及系统损耗量综合确定；2供气品质应根据生产工艺对压缩空气含水量、含油量、微粒粒径的控制要求确定；3供气设备宜集中布置在综合动力站内；4供气主管道的管径应按照全系统实际用气量进行设计，支管道的管径应按照设备最大用气量进行设计。8.3.5工艺真空系统的设计应符合下列规定：1工艺真空管路应按树枝状方式布置；2工艺真空主管道的管径应按照全系统实际用气量进行设计，支管道的管径应按照设备最大用气量进行设计；3工艺真空系统的管道采用软管连接时
