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1、JESD22-AlOX-B是JESD22-A1OX-A的愫订版.标准内适用的文件：EIA/JESD47Stress-TestDrivenQualifkationOfIntegruiedCircuitsEIAJEP122FailureMechanismandModelsforSiliconSemiconductorDCYiCew6圭半导体摩件的失效机理和模型）试验室温度应保持在特定温度的+/5C内用大电源电压应遵守规格书内的规范：肯定显大额定电压和笆定最大额定结温,一般由制造商依据特定的设备或技术给定。I,应力持续时间由内部质价要求、ElRJESD47或适当的选购文件制定。2 .应力条件（持续供
2、应（I）环境温度除特别要求,向温应依据最小结就在125C以卜调整；除特别要求，fcua最大值为-I0C。（2）工作电压股工作电压应为器件规定的最大Jl作电压。可以运用更高的工作电压，以便从电压和温度上加速寿命试验，但肯定不能超过肯定班大额定电压.3 .偏IS配置包括静态或脉冲应力和动态应力.依据偏田鼠汽、电源电压、输入电压是接地或上升到最大侑的选择来确定应力温度，但不高与杆定呆大额定结1.潺件给出可加负载也可不加负载,以达到特定的输出电平.（1） HTFB高温正向偏置试验）,股用在功率器件、：极管和分立晶体管器件，不用在集成电跣,设定花龄春或脓冲正向偏压模式.脉冲模式用来脸让落件在最大额定电流
3、旁边承受的应力.特定的偏置条件应由器件内固体结的址大数量来确定.（2） HTI.OZlTO1.（高温工作寿命试验/低温工作寿命试验HTO1.般用在逻辑或存储器件；1.To1.般用来找寻热我流子引起的失效，或用来试缝存储潺件或亚微米尺寸的器件，潺件工作在动态工作模式.般，一雪输入参数或许被刖来网整限制内部功杆，例如电源电压、时神扬率、输入信号等，这些参数或许工作在特定值之外，但在应力下会产生可预见的和非破坏性的行为，特定的倡置条件应由器件内潜在的最大数砒的工作节点确定。（3） HTRB（诙温反向偏注试脸HTRB用来试验功率器件.器件一般工作在静态测试模式，试验在Ai大额定击穿电压和/或电流附件器件承受的应力，（4） HTGB（高温们儡置试脸）HIGB一般用在功率器件试验.器件一般工作在静态模式，试验在最大额定乳化物击穿电压附件耨件承受的应力.4.冷却在移除倒置I高温应力下的湍件应冷却到55C以下.为了移动器件到与寿命测试的试验室分别的冷却位跣上而中断偏置长达分钟的状况不应视为移除偏留，全部制定的电子测埴应在全部器件重加热钱完成。偏也是指加投到电源引脚上的电压.
