LED发光二极管原理(图文).docx

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1、1.ED发光二极管原理(图文)半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称1.ED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(筒称矩阵管)等,事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管.一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一1.ED发光原理发光二极管是由In-IV族化合物,如GaAS碑化锦、GaP(磷化镣)、GaAsP(磷卿化铉)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向豉止、击穿特性。此外.在肯定条件下,它还具有发光特性.在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区.诳入对方区域的少数我漉子(少子)一部分与多数我

2、通手(多子)复合而发光,如图I所示。假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴干脆发合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光,除了这种发光史合外.还有些电子被非发光中心(这个中心介于导帝、介带中间旁边)捕获,而后再与空穴或合,每次择放的能限不大,不能形成可见光。发光的或合t相对于非发光强介吊的比例越大,光收子效率越高,由于双台是在少子扩散M内发光的,所以光仪在城近PX结面数Um以内产牛.理论和实践证明光的峥值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关.即l240Eg(ra)式中Eg的单位为电子伏特QV).若能产生可见光(波长在38OnB紫光78Onm红光),半导体材料的Eg应

3、在3.26-1.63eV之间,比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中薇光二极管成本、价格很高,运用不普遍.(一)1.ED的特性1 .极限多数的意义1允许功耗Pm:允许加于1.ED两端正向宜流电压与流过它的电流之枳的最大值.依过此值,1.ED发热、损坏.(2)最大正向直流电流IF:允许加的最大的正向直流电流.超过此值可损坏二极管.(3)般大反向电压VR-:所允许加的最大反向电压.超过此f发光二极管可能被击穿损坏。(4)工作环境Iopm:发光二极管可正常工作的环境温强范困。低于或高于此温度范明,发光二极管将不旎正常工作,效率大大降低.2 .电参数的意义(1)光谐

4、分布和埠伯波长:某一个发光:极省所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示.出图可见,该发光管所发之光中某一波长AO的光强最大,该波长为峰值波长。(2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对回柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度.若在该方向上辎射强度为AQ的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比),明显,法线方向上的相对发光强度为1.禺开法线方向的角度越大,相对发光强世越小.由此图可以得到半值角或视角03(5)正向工作电流If:它是指发光:极管正常发光时的正向电流伯。在实际运用中应依据筑要选择IF在0.6IFm以下。(6)正向工作电压VF:参数衣中给出的工作电压是在给

5、定的正向电流下得到的.一股是在lF-2011v时测得的.发光二极管正向工作电压VF在1.4一3V,在外界温度上升时,VF将下降.(7)V-I特性:发光二极管的电压与电流的关系可用图4去示,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流微小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流圈电压快速增加,发光。illv-i曲线可以得动身光管的正向电H,反向电流及反向电压等参数.正向的发光管反向漏电瓶IR1.印的分类1,按发光管发光颜色分按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色(又细分黄绿标准绿和纯球)、薇光等.另外.有的发光二极管中也含二种或三种颜色的芯片.依据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述

6、各种颜色的发光二:极管还可分成有色透亮、无色透光、有色散射和无色放射四种类型。散射型发光.极管和达于做指示灯用。2 .按发光管出光面特征分按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、他向管、表面安装用微型管等.网形灯按直径分为*l211m,4.Imn,511m.48mm.IOnm20mn等.国外通常把3m的发光二极管记作T-I:把45mm的记作T-I(3/4):把44.4wn的记作T-I(1/4),由半侦角大小可以估计阴形发光强度角分布状况。从发光强度角分布图来分有三类(1)高指向性.一改为尖头环制封装,或是带金属反射腔封装且不加IK射剂.半(ft角为5。20或更小,具布很高的指向性,可作

7、局部照明光源用,或与光检出器联用以组成自动检测系统。(2)标准型。通常作指示灯用,其半值角为20“-45*(3)放射型.这是视角较大的指示灯,半值用为45.9(或更大,敢射剂的量较大。3 .按发光二极管的结构分按发光二极管的结构分有全环氧包封、金胧底座环钝封装、陶克底座环乳封装及坡璃封装等结构.4.按发光强度和工作电流分按发光强度和工作电流分有一般亮度的1.ED(发光强度10OmCd):把发光强度在Io-100mCd间的叫高亮度发光二极管.一般1.ED的工作电流在十几m至几十mA.而低电流1.ED的工作电流在2A以下(亮度与一般发光管相同),除上述分类方法外,还行按芯片材料分类及按功能分类的方

8、法。(四)1.ED的应用由于发光二极管的颜色、尺寸、形态、发光残度及透亮状况等不同,所以运用发光二极管时应依据实际须要进行恰当选择.小干发光二极管具有最大正向电流IF-.最大反向电压VRm的限制,运刖时,血保证不超过此(ft.为平安起见,实际电漉IF应在0.61Fm以下:应让可能出现的反向电压VR.(C)分别为出流电源、整流电源及沟通电源指示电路。图GO中的电阻=(E-VF)/IF:(b)中的RN1.4Vi-VP)/IF;图(C)中的RYiIF式中,Vi沟通电压有效(ft.(3)单1.印电平指示电路.在放大器、振荡器或脉冲数字电路的输出端,可用1.ED表示输出信号是否正常,如图7所示R为限流电

9、阻。只有当输出电压大于1.ED的示值电压时,1.ED才可能发光(4)单1.小可充作低压稳压管用.由于IH)正向导通后,电流l电压改变特别快,具有一慑稳压管植压特性,发光:极管的稳定电压在1.43V(f,应依据须要进行选择VF,如图8所示(5)电平表。目前,在音响设备中大量运用1.ED电平表,它是利用多只发Jt管指示输出信号电平的,即发光的1.ED数目不同.则表示输出电平的改变。图9是由5只发光二极管构成的电平表.当愉入信号电平很低时.全不发光.输入信号电平增大时.首先1.EDl亮.再增大1.ED2亮.(五)发光二极管的检测1.-僦发光:极管的检测(1)用万用表检测,利用具有XlokQ挡的指针式

10、万用表可以大致推断发光二极管的好坏。正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kC,反向电阻的值为8.假如正向电阻值为0或为8,反向电阻值很小或为0,则易损坏.这种检测方法,不能实地看到发光管的发光状况.因为XIokQ挡不能向1.ED供应较大正向电流.板如有两块指计万用去(爆好同型9)可以较好地检杳发光二极管的发光状况。用一根杼线将其中一块万用表的”+”接线柱与另一块表的“”接线柱连接.余下的“”笔接被测发光管的正极(P区,余下的笔接收刈发光管的负极.两块万用表均徨XIoa档.正常状况下,接通后就能正常发光.若亮度很低,共至不发光,可将两块万用衣均拨至XIa若,若仍很暗,徒至不发光,则说明该发光

11、二极管性能不良或损坏。应刷意,不能一起先测量就将两块万用衣置于XlQ,以免电流过大,损坏发光二板管.(2)外接电源测Ift.用3V稳乐源或两节串联的干电池及万刖衣(指针式或数字式皆可)可以较精确刈质发光二极管的光、电特性,为此可按图10所示连接电跖即可.假如测得VF在1.43Y之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。假如流得YF=O或VF三三3V,且不发光,说明发光管已坏。2.红外发光二极管的检测由于红外发光二极管,它放射13Um的红外光,人眼看不到.通常单只红外发光二极管放射功率只有数mW.不同型号的红外1上。发光强度角分布也不相同。红外1.ED的正向压降-般为1.32.5V,正是由于其放射的红外无人眼看不见,所以利用上述可见光1.ED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常,而无法判定其发光状况正常否.为此,最好打算一只光敏零件(如2CR、2DR型硅光电池)作接收

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