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1、国内SiC碳化硅功率模块30强碳化硅功率模块是使用碳化硅半导体作为开关的功率模块。碳化硅功率模块用于转换电能，转换效率高一功率是指电流和电压的乘积。碳化硅半导体带隙宽，用于MOSFET中时，开关损耗极低，因此相较于普通的硅器件，可允许更高的开关频率。同时，与传统的硅半导体相比，碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。1、比亚迪半导体股份有限公司国内领先的功率半导体IDM企业，晶网片年产能将达百万级别。功率半导体产品中心作为第六事业部的核心产业之一,产品包括IGBT、SiCMOSFET,二极管和电源IC等产品，已形成包含芯片设计、总圆制造、模块封装与测试、系统级应用测试的完整产业链。比亚
2、迪SiC功率器件包含单管和功率模组两种封装形式。单管产品应用于新能源汽车DC-DC转换模组及AC-DC双向逆变模组；模块产品应用于新能源汽车使电机驱动控制器体积大幅缩小，整车性能在现有基础上大幅提升。规格:750V71200V亮点：车用模块设计，低寄生电感设计，高可靠性，损耗低，SiC芯片应用（汉车型）双面银烧结SiC模块规格：1200V,875A亮点:采用SiCMOSFET芯片，双而烧结与全塑封设计，具备高功率密度低高生电感和低内阻，最高工作结温175C比亚迪已在碳化硅方面取得重大技术突破，比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上已大批使用碳化硅模块。BYDe-P1.atform3.0采用碳化硅模块，车
3、型包括海豹的长续航以及四驱版车型2、株洲中车时代电气股份有限公司株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司一一中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。在功率半导体器件领域，时代电气建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术，全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高乐输电核心器件由国外企业垄断的局面。2022年4月控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建设工期24个月。项目建成达产后,将现有平面棚SiCMOSFET芯片技术能力提升到满足
4、沟槽栅SiCMOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。采用中车第二代SiC芯片，具有正温度系数，高浪涌能力等特点。3、嘉兴斯达半导体股份有限公司（603290）勒兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。斯达半导体主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、W）SFET、IPMxFRDsSiC等等。2022年，公司车规级产品在海外市场取得进一步突破，公司车规级SiC模块开始在海外市场
5、小批量供货。公司应用于乘用车主控制器的车规级SiCMOSFET模块开始大批量装车应用，同时公司新增多个使用车规级SiCvOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点,将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。4、广东芯聚能半导体有限公司广东芯聚能半导体有限公司成立于2018年，主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试和销售。芯聚能半导体未来重点发展市场竞争优势显著的车规级SiCMoSFET功率模块和定制化模块及分立器件,并进一步开发用于光伏、风能、储能、IDC等符合国家“碳达峰”“碳中和”目标和“新基建”方向的工
6、业级SiC功率器件及模块。ACeoPaCkDriVC(APD)系列专为新能源电动车主驱逆变器应用开发的三相桥结构(6-inT),车规级模块产品。模块采用了业界领先的宽禁带半导体：碳化硅(SiC)VOSFET芯片和先进的银烧结(Ag-Sintering)封装工艺，充分满足新能源电动车主驱应用对高功率密度、高可靠性的需求。AccoPackDrive(APD)系列2022年，芯聚能APD系列1200V2mQ三相全桥SiC-VOSFET模块产品，已搭载主驱逆变器上车超过100oO台，实现了规模化量产，交付给极颊威睿电动技术有限公司，搭载到吉利与梅赛德斯奔驰联合品牌一一smart精利#1纯电动SUV和极
7、氮009纯电动MPV的主驱逆变器o2023年2月20-21日，极氟新能源“优秀质量奖”。5、南京银茂微电子制造有限公司南京银茂微电子制造有限公司（以下简称“南京银茂微电子”）于2007年11月在中国江苏省南京市正式注册成立。南京银茂微电子专注于IGBT模块、MoSFET模块、SiC和GaN器件的研发和制造。产品广泛应用于工业变频、电源、新能源（太阳能、电动汽车）等领域。南京银茂微电子可以进行先进的功率芯片设计，并向客户提供一系列具有价格优势的功率模块和分立器件。产品电压等级范围涵盖600V至3.3KVo6、无锡利普思半导体有限公司无锡利普思半导体有限公司成立于2019年，从事晶圆工艺及器件设计
8、、模块封装设计、产品应用、市场推广和产品运营等方面。主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块,应用于新能源汽车、智能电网、可再生能源、工业电机驱动、医疗器械、电源等场景和领域。利普思2023年年3月获得Pre-B轮逾亿元融资，本轮资金将主要用于公司在无锡和日本工厂产能的提升，扩大研发团队，以及现金流储备，利普思计划在国内建立一个百万级IGBT和SiC模块的生产基地，产能预计将实现十倍增长，预计于明年年底投产。值得一提的是，利普思H推出的所有SiC模块，均完成了可靠性测试并可量产，高品质、高可靠性的优势也是吸引欧美客户的重要原因。回顾过去一年的快速发展，利普思陆续收获了国内外
9、大客户订单,数款车规级SiC模块和IGBT模块也实现了量产，目前无锡和口本两地的模块封装测试产线总年产能超过90万只。利普思SiC模块产品覆盖650V至1700V,25A至100oA,最大可达400kw的应用需求,包含11种封装类型和儿十个规格型号的产品。针对车用领域，利普思推出了输出功率可达100kwSiCHPD模块及90OAIGBT模块，功率密度水平达到了国内先进、业内一流水准。针对光伏、储能等新能源领域，利普思推出了全SiC方案及混合SiC方案，针对2电平、3电平及多电平的应用，均有可供选择的产品予以满足。针对大功率充电桩市场，利普思也推出了高功率密度SiC模块解决方案，目前已经有实际应
10、用案例。HPD系列功率模块，专为800电机驱动系统开发，满足车规级要求。特性：1.Tjmax=175,C;2.Arcbongding技术：3.Si3N4AMB；4.环氧树脂灌封：5.银烧结。应用领域：电动汽车-80OV电驱。7、赛晶科技集团有限公司赛晶科技集团有限公司是业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集成商。2010年10月在香港主板上市，股票代码0580.HKo赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”），是泰晶科技集团有限公司旗下子公司，专注于IGBT、FRD,以及碳化硅等芯片及模块等高端功率半导体产品研发、制造的高科技企业：研发中心，位于瑞士兰兹伯格。技术研
11、发团队，由来自欧洲及国内顶级IGBT设计和制造各个环节的技术专家，在功率半导体领域拥有优秀业绩和几十年实践经验的行业领导者组成。制造中心，位于中国浙江省嘉善县。制造中心的一期项目占地2.2万平米，二期项目占地5万平米，规划建设多条具有国际一流水平的全H动智能IGBT生产线，以及国内技术中心。赛晶半导体拥有国内稀缺、国际领先的自主芯片技术。芯片产品采用赛晶精细沟槽技术、微沟槽技术以及碳化硅（SiC）技术，涵盖中压750、1200V、170OV三大电压平台。2023年8月赛晶科技发布公告称，公司控股子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”）完成A轮融资。本次融资估值为投后27.
12、2亿元，由安创空间，河床资本，亚禾资本投资。本次融资后，赛晶科技持股比例为70.53%。赛晶半导体表示,本次融资所得资金将重点用于公司最新的IGBT模块和SiC模块生产线建设。其中，厂房内部建设和设备采购已经开始。此外，资金还将用于人才团队的扩充，以及微沟槽IGBT芯片和SiC芯片等的研发。2023年8月30口，赛晶半导体正式发布车规级HEEV封装SiC模块。为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mQ(25C),可用于高达25Okw电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。冷却直接水冷，并采用先进陶瓷材料降低热阻；0型圈密封。可嵬性压注模
13、封装,提高对环境友好性，如湿度；更好的功率循环寿命；无大面积焊接底板；芯片银烧结；铜线邦定。易安装简单压板安装；紧凑封装设计赛晶半导体第二款SiC模块-EVD封装SiC模块。该款产品，采用乘用车领域普遍采用的全桥封装。通过内部优化设计，具有出色的性能表现。与业界头部企业相同规格封装模块对比，赛品EVD封装SiC模块的导通电阻低10%至30%,连接阻抗低33乐开关损耗相近或者更低(相同开关速度)。用于信号端了的创新工艺和设计先进的内部SiC芯片并联排布,以及极低的连接阻抗。8、基本半导体深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。总部位于深圳，在北京、
14、上海、无锡、香港以及日本名占屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等。2022年深圳基本半导体有限公司宣布完成C3轮融资，由粤科金融和初芯基金联合投资。基本半导体汽车级碳化硅功率模块产品PCOrCN6、pcorew2等产品采用全
15、银烧结、DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)等前沿封装技术，在栅极输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到国际先进水平，可有力支持车企实现电机控制器从硅到碳化硅的替代，显著提升整车效率，降低制造和使用成本。深切I：功率器件驱动及功率模组产线通过IS09001与IATF16949体系认证年产能达200万只。深圳:光明晶圆厂6-inch车规级碳化硅晶圆产线,2023Q4量产计划无锡：汽车级碳化硅功率模块封装产线通过ISO9001与IATF16949体系认证,2021年Q4通线,2022年量产基本半导体封装开发以功率模块输出功率密度为指向，进行相应结构，材料，
16、工艺创新。技术概览：银，铜烧结可实现零空洞，低温烧结高温服役，焊接层厚度减少60-70%,适合高温器件互连，电性能、热性能、可靠性均优于锡焊料。激光焊接采用高集中度高能量的激光进行铜对铜的焊接，克服超声焊接对设计的间隙要求，做更小功率密度更高的模块。铜箔烧结以及铜线焊接技术采用超声焊接技术在常温条件下将粗铜线与AMB基板、铜线与芯片表面覆铜片键合，相较铝线键合，大幅提升模块寿命、电流及导热能力。C1.ipBond铜排宜接连接技术代替引线键合连接，提高电流过载能力可竟性,降低产品封装杂感能力塑封双面散热取消了引线键合而使用金属缓冲层来承担电流流动，有效降低功率模块的结-壳热阻，减小了模块的寄生电
17、感与体积，提高功率密度。9、上海林众电子科技有限公司上海林众电子科技有限公司创立于2009年，总部位于上海市松江区，致力于功率半导体模块的研发与制造。核心团队从业于世界一流功率半导体公司，有着二十年以上的工作、管理经验，研发设计、运营团队来F1.于头部功率半导体公司和应用行业的骨干，具有专业的技术能力和以客户为中心的服务理念。公司聚焦于工业H动化、电梯、电动汽车、光伏新能源等行业,以成熟的功率半导体研发设计和制造管理经验，为客户快速提供标准产品及个性化定制服务，已在以上行业中服务了十多家头部客户。同时具有3000平米的净化车间，关键工序采用业界先进设备，为功率模块封装产能提供强有力的保障。并且
18、公司在2018年通过TATF16949汽车行业质量体系标准认证，为来自世界各地的客户提供汽车级、高品质、高性价比的功率模块产品。10、深圳爱仕特科技有限公司自2017年成立以来，爱仕特致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。公司建立的车规级SiCMOS模块专用工厂，已实现全SiCMoS功率模块的批量生产。2023年1月11日，据爱仕特官微透露，爱仕特完成超3亿元战略融资。这是继武岳峰资本李峰总投后，武岳峰资本武平总领投爱仕特A+轮融资，国家开发银行、中信建投、瑞芯资本、珠海华金集团、香港郑氏集团、南通市政府、善金资本、产业资木上汽恒旭等相关或关联机构跟投，共计融资超过3亿元人民币。本轮融资将用于加
19、速车规级SiC功率MOS芯片研发与技术创新。通过IATFI6949:2016体系2020年开始出IJ给欧洲客户，通过欧洲航空级测试1700V800A模块交付国内重卡客户SiC模块产能:一期10万/年（2023年）、二期30万/年（2024年）三期60万/年（2025年）HPD模块特点：1.AIN+A1.SiC散热,最高工作结温175C；2.第三代模块寄生电感低于IOnH,比现有模块小50%以上，降低开关损耗。DCS12模块特点：1.采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175C；2.功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗：3.集成NTC温度传感器，易于系统集成。爱仕特推出应用于新能源汽车的新一
20、代碳化硅功率模块DCS12爱仕特DCS12模块水冷散热模拟图DCS12模块优化水道结构设计,在提升散热效率降低热阻的同时，提升系统可靠性。通过分区散热和对水流的精准控制，避免了整体温差梯度过大的问题，实现直接水冷以降低系统热阻。另外，这种并联的水道设计使得芯片均匀冷却无温差，利于并联的芯片中电流均匀分布，可嵬性进一步提升。IK浙江翠展微电子有限公司军展微电子成立于2018年5月，总部位于上海，在嘉善、苏州、天津、济南、合肥、市.庆、深圳等设有分公司/办事处，现有员工230余人，软件方案事业部20余人。目前已经具备4条功率器件封测线，汽车模块年产能接近70万只（全部建设完成将达到300万/年的产
21、能），工业模块年产能突破100万只（全部建设完成将达到300万/年的产能）。翠展微电子作为一家中国本土的功率器件公司，已经可以提供IGBT单管，IGBT模块，SiC单管，SiC模块等一系列功率器件产品，应用市场覆盖汽车、光伏及工业等领域。2022-10-10日翠展微电子宣布获得头部客户整车电驱系统SIC模块项目定点。本次定点的S1.C项目，采用三相全桥G7封装，功率为1200V600o另外，翠展微的HPD封装的SIC模块，也已经和客户紧密配合，预计10月底将获得新的整车项目定点。浙江翠展微电子推出的TPAK封装的产品有标称340A/750V的IGBT模块，预计今年年底会推出具有更高电流能力的4
22、00A/750V的升级产品，同期也将推出5.5mQ/1200V的SiC模块，届时，此封装系列的产品可广泛应用与新能源电驱系统及高压大功率充电系统领域。12、致It科技（上海）有限公司致瞻科技是一家聚焦于碳化硅半导体器件和先进电驱系统的高科技公司。公司研发运营总部位于上海市闵行区，拥有500Onr高端碳化硅实验室。依托io余年的碳化硅功率模块和驱动系统研发经验，致肾科技推出了SiCTeXN系列碳化硅先进电驱系统和ZiPACKnJ高性能碳化硅功率模块，已批量应用于新能源汽车、氢燃料电池系统、车载电动空调压缩机驱动、工业驱动以及航空/船舶电力推进、特种电气化动力系统、光伏、充电、储能等领域。公司已获
23、得包括多家头部车厂及新能源客户等业界领先企业的批量订单，并积极与浙江大学、清华大学等高校开展科研合作。目前，致瞻科技已获得包括华域三电、比亚迪汽车、广汽、长城汽车、华为、国家电投、上汽捷氢、重那科技等业界领先企业的批量订单。同时，致瞻科技积极开拓海外市场，与加拿大氢燃料电池堆龙头企业巴拉德、德国PANK1.,瑞士盖瑞特、F1.Sa犯R、韩国INTECHFA、1.G.现代等海外客户达成深度合作。2023年9月致膜科技完成数亿元B轮融资，本轮融资由国资央企基金-国新基金、国资地方基金-临港数科联合领投，国资地方基金-张江浩玲、知名国有券商投资基金-国泰君安创新投资、华泰紫金跟投，乘资本等老股东持续
24、看好，继续加注。致潞科技于2022年在嘉兴建立了2500011碳化硅电驱系统黑灯工厂，生产线的F1.动化率达到了100%,达产年产能100万台。军规级高可靠性碳化硅功率模块ZiPack全SiC功率模块采用先进的芯片技术、模块设计和封装工艺，可为工业和汽车应用实现更高的电气和热性能、更高的可靠性和更小的尺寸。13、上海浦薪科技有限公司上海瀚薪科技有限公司是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司。公司通过十多年的积累，已拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，已经取得
25、和正在申请的国内外发明专利近50项，突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断，成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业。上海楠薪科技的产品在大量国内外知名公司规模使用，涉及的行业包括新能源车的OBC/DC-DC/充电桩、光伏逆变器、通信电源、高端服务器电源、储能、工业电源、高铁、肮天工业等。瀚薪最新推出650V和1200V低内阻产品，170OV系列新品和H4S系列第四代Diode,T2PAK等产品。作为一种高压表贴封装，T2PAK可以取代一部分T0247/T0263封装，安装简单、可生产性更好。并且T2PAK采用顶部散热，使得散热设计大大筒化。目前顶部数热的表贴封装越来越成为功率器件的主流封装之一
26、，得益于顶部冷却设计，客户可展高功率密度或延长系统使用寿命。同时T2PK的顶部散热和另一种标贴封装T0263-7（底部散热）比较起来散热效果也更好。可以应用于通信电源、工业与医疗电源、储能、光伏以及电机驱动。14、苏州悉智科技有限公司苏州悉智科技有限公司于2017年10月注册成立，是一家第三代半导体高科技公司，致力于成为世界一流的车规级功率与电源模块零件商。悉智科技是涵盖产品开发、制造、商务能力的先进材料+电力电子应用技术公司，当前产品聚焦在智能电车和清洁能源的功率与电源盥封模块创新领域。设立苏州和上海两个分部，在职员工近200人,硕士及以上学历近50人,拥有先进的车规级塑封产线和性能测或（包
27、括系统级）&可靠性测试&失效分析实验室。2023年8月14口悉智科技宣布完成第三轮近亿元战略轮融资。资金主要用于加速产品研发，采购设备，支撵产品迅速上量满足客户需求。苏州分部规划9条车规级溺封产线，2022年9月首条数字化、车规级塑封产线将实现通线量产，年产能200万颗，年产值2亿元,完成了从模块产品设计、封装设计与开发和封装制造正向全链条产品线的搭建，率先在智能电动汽车领域践行“简化电能变换”的使命。15、江苏宏微科技股份有限公司江苏宏微科技股份有限公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产，具有多种专项技术的科技人员组建的国家重点高新技术企业。是国家高技术产业化示范工程基地，国家I
28、GBT和FRED标准起草单位等。IiI设立以来一宜从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案。产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种，IGBT.FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种。同花顺金融研究中心2023年10月17口讯，公司IGBT模块产品已完成赛力斯（601127）汽车问界新款车型主驱产品定点验证测试，后续将根据客户需求逐步批量交付。16、阿基米诧半导体（合肥）有限公司阿基米德半导体总部位于合肥市，主营新能源汽车及光伏储能充电用分立器件及模块，致力于成为双碳时代
29、功率半导体领跑者。公司核心技术团队由中国科学院院士领衔，团队成员来H英飞凌、安森美、华为、Vincotech,三菱等国内外大厂。公司完成超4亿元融资，上市公司赛微电子(300456.SZ)、圣邦股份(300661.SZ)实际控制人张世龙、中裕能源(03633.HK)、长江创新及合肥省、市、区三级政府投资平台联投。截至目前，公司自建三条SiC/IGBT制造产线已完成通线量产。目前已具备年产60万只车规级模块、80万只光储模块、1200万只分立器件的生产制造能力，并在建年产50万只SiC那封模块(包括DCM、TPAK.DSO产线。17、安徽长飞先进半导体有限公司安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化
30、硅(SiC)功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。可年产6万片6英寸SiCMOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。我们致力于提供高品质的服务，目前可提供650V到330OVSiCSBDSiCMOSFET相关产品。长飞光纤(601869)2023年6月26日晚间公告，子公司安徽长飞先进半导体拟投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。同时，长飞先进半导体开展A轮融资，不再纳入上市公司并表范围。2023年7月安徽长飞先进半导体有限公司宣布完成超38亿元A轮股
31、权融资，一举创下国内第三代半导体融资规模历史之最，而投资方阵容废撼一一光谷金控、浙江国改基金、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金（中金上汽、中金瑞为、中金知行、中金启合）、海通并购基金、国元金控集团旅下基金（国元股权、国元基金、国元创新）、鲁信创投、东风资产、建信信托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝槌启承、云岫资本等29家投资机构，蔚为壮观。2023年10月20口，安徽长飞先进半导体有限公司（简称“长飞先进”）与奇瑞汽车股份有限公司（箍称“奇瑞汽车”）成功举办了“汽车芯片联合实验室”战略合作签约仪式。未来，双方将充分发挥各自领域的技术和资源优势，在军规级芯片及其汽车应用技术、市
32、场开发等领域展开广泛合作，助力国产车规级芯片产业发展。18、浙江晶能微电子有限公司品能微电子成立于2022年6月20口，是吉利解化的功率半导体公司，聚焦于SiIGBT&SiCMOS的研制与创新,发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。2022年12月宣布完成Pre-A轮融资。本轮融资由华登国际领投，高榕资本、嘉御资本、沃丰实业等机构跟投。该轮融资主要用于功率半导体模块的研发投入、产线建设以及技术团队搭建等方面。2023-09-08晶能宣布首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。晶能Si
33、C半桥模块该模块电气设计优异，寄生FtI感5nH：采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模皇封工艺，持续工作结温达175C,在800V电池系统中输出电流有效值高达700Armso此次SiC半桥模块是为应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可拳性等需求研发的重要产品。涵盖750V/1200V耐压等级，至多并联10颗SiC芯片，可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。19、智新半导体有限公司据东风公司消息，东风碳化硅功率模块项目于2021年1月在智新立项，目前课题已经顺利完成，东风碳化硅功率模块将于2023年实现量产，这意味着，东风自主新能源乘用车届时将装上更低损耗、更高效率、更耐高温
34、和高电压的第三代半导体。东风碳化硅功率模块，是智新IGBT模块的升级产品、第三代半导体。据介绍，该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电8O,并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。东风碳化硅功率模块项目于2021年1月在智新立项，目前课题已经顺利完成，将于2023年搭载到东风H主新能源乘用车,实现量产。科新半导体二期产线建设项目，将新建一条车规级IGBT模块生产线，实现新增年产30万件汽车模块生产能力。同时，购置相关工艺设备，具备SiC模块研发及生产能力，满足新能源汽车、新能源装备、工业变频等高端应用领域对IGBT产品的需求。20、中科意创（广州）科技有
35、限公司中科意创（广州）科技有限公司由大湾区集成电路研究院孵化成立，聚焦于功率半导体及控制器系统开发，是中国科学院体系投资孵化的重点项目，获得广东省市区政府重点扶持。公司聚焦于功率半导体及控制器系统开发，依托国家科技重大专项总师的指导和支持，为客户提供功率模块封装设计、试制、驱动系统开发、生产制造等服务，助力客户实现行业领先，打造国产汽车半导体生态。公司核心成员源于BOSCH、ST、中车、GE、华为等世界500强,具有丰富的功率模块设计/制造、汽车电子软硬件开发、功能安全等跨领域Know-How,与全球头部的车规半导体和基础软件跨国企业共建“汽车电子联合实验室”，开展全面战略合作。公司建有国际先
36、进的车规功率模块封装产线，具备芯片贴片、丝网印刷、有压银烧结、式空焊接、铜线键合、真空灌胶、转模塑封、无损检测等先进的工艺技术能力，同时投资了动静态测试、功率循环、无功老化等关键测试设备,具备housing结构和transfermo1.ding结构的封装测试能力，可实现全工艺流程封装制造。搭建了国内首条SiCTPAK功率模组大面积银烧结产线，将国际先进的封装技术引入国内，并顺利实现产业化。在上述基础上，推出车规功率模块/模组系列产品。2023年2月中科意创宣布完成数千万元A+轮融资，由创新工场独家投资，用于功率半导体先进封装产线建设。中科意创以功率半导体为市场切入点，采用“系统牵引芯片，芯片支
37、撑系统”的独特模式，重点布局第三代半导体SiC功率模块以及系统应用，已基于STPAK封装的SiC模块搭建了国内第一条模块模组银烧结产线，并且获得超亿元订单。STPAK模组STPAK方案采用大面积银烧结，能够大大增强散热，最大限度发挥SiC耐高温的性能，中科意创通过深入研究银烧结的工艺原理、烧结设备、烧结银材料、工艺规划、可竟性测试等内容，完成STPAK封装的SiC模块与散热器的器件级烧结。21、苏州斯科半导体有限公司2022年5月，由理想汽车与国内半导体龙头企业三安光电股份有限公司（以下简称“三安光电”）共同出资组建苏州斯科半导体有限公司，主要专注于第三代半导体碳化硅车规芯片模组的研发及生产。
38、该项目2022年，6月中旬在苏州高新区启动厂房建设，年内竣工后进入设备装调，预计2023年5月启动样品试制，2024正式投产后逐步形成年产240万只半桥生产能力。22、苏州华太电子技术股份有限公司苏州华太电子技术股份有限公司成立于2010年，是集半导体器件与工艺开发、芯片设汁、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业。华太功率芯片产品线掌握功率器件和模块的核心设计、工艺及封装技术，自主创新的SUPer1.GBT技术，在提高开关速度的同时保持低通态压降，多项技术指标国际领先。可提供650720OVIGBT模块及650-170OVSiCSBD及MOSFET,应用于车载及光伏行业。650V,12
39、00V,1700V15mohm-1.ohm采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装；采用6晶圆，成本更优：适合于新能源汽车，充电桩，储能DC/DC等应用。2022年12月1911,证监会披露了华泰联合证券关于苏州华太电子技术股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案报告。车规模块650V750VIGBT1200VSICvOS针对新能源汽车客户的需求灵活订制不同的车规产品；单管、半桥和三相桥拓扑；电流300-900o23、合肥中恒微半导体有限公司合肥中恒微半导体有限公司成立于2018年，位于合肥市高新技术产业开发区，是一家专业从事国产功率半导体（IGBT,SiO模块研发、设计、制造与系统应用的高新技
40、术企业。产品包括汽车级功率模块、工业级功率模块、SiC系列功率模块以及IPV系列。2023年9月20日，中恒微半导体参加“智造世界创造美好”为主题的世界制造业大会，展出光伏储能功率模块、工业功率模块和SiC系列功率模块。与传统的功率模块相比，具有高可靠性、低能耗、快速开关、高功率密度等优点，广泛应用于光伏、储能、UPS、风电、电驱、工控等领域。今年3月中恒微半导体完成新一轮融资，由毅达资本、合肥创新投、合肥高投参与投资。6H002E120T1P是中恒微半导体新一代的SiC车规级1200VM0SEET功率模块，模块设计采用了锡片焊接铜箔超声波焊接、铜线超声波键合等先进的封装工艺，模块设计采用了具
41、有高可匏性、高热导率的Si3N4AMB覆铜陶瓷基板,采用了直接液冷的Pin-Fin散热器。具有出色的开关损模块的导通电阻RDSON耗和导通电阻，额定电流1D800A,杂散W2m2,电感小于8nH,可连续工作温度为150Co基于6H002E120T1PSiCMoSFET功率模块,可用于开发800V平台下的SiCMOSFET逆变器，能够实现峰值电流550A.24、北一半导体科技（广东）有限公司北一半导体科技有导体科技有限公司是一家致力于新型功率半导体模块研发、生产、销售及服务的高新技术企业。公司自成立以来，便以推动高端IGBT及SiC模块国产化进程为己任，将技术创新视为企业发展第一动力，专注提供可
42、靠、安全、高效的功率模块产品，已批量应用于行业头部客户。2023年5月12口北一半导体科技（广东）有限公司宣布完成超1.5亿元B轮融资，本轮融资由基石资本领投同时参与资本方包括联通中金、青岛玉颉。2023年10月基于国内最领先的12寸工艺平台及1.6微米PitCh工艺能力，公司1200V等级第七代IGBT芯片实现量产。应用于新能源汽车电机控制器，提供950V及1200V电压等级的IGBT和全SiC模块,已通过AQG324考核,适用于批量装车。25、安徽瑞迪微电子有限公司安徽瑞迪微电子有限公司成立于2019年，专注于IGBT/FRD以及碳化硅MOS/SBD芯片设计、功率模块封装测试及系统应用解决
43、方案。重点布局电动汽车、风电、光伏、储能、充电桩等新能源市场,同时兼顾电能质量及工业控制需求。项目总投资8亿元人民币：一期投资3亿元人民币，建设高度F1.动化、智能化的IGBT模块封测生产线，年配套60万台新能源车；二期扩建后年产能可配套200万台新能源车。2022年10月28日，瑞迪微电子获得B轮融资，投资方为武岳峰资本。26、飞锂半导体(上海)有限公司飞锂半导体(A1.phaPowerSo1.utions,简称APS)是中国领先的第三代半导体供应商，专业从事碳化硅器件的研发、生产及销售。公司总部位于中国上海，在深圳、香港、北京均设有分、子公司。K锂半导体已与多个外延片供应商及晶圆代工厂建立
44、了长期合作关系，其核心团队拥有丰富的晶圆大规模生产及制造经验，具备打通从设计到制造的能力及拥有丰富的产业资源。2019年，飞锂已大规模量产650V和120OV碳化硅二极管；2021年第四季度，E程开始批量出货碳化硅MOSF1.rTS。其产品广泛应用于EV快充、光伏、储能、OBC及EV电驱等。K程半导体是国内首家在硅晶圆代工厂成功生产6时碳化硅器件、首家主力生产并成功大量出货120OV碳化硅器件、首家在碳化硅二极管生产上采用ThinningTechno1.ogy工艺以及首家拥有自主专利的JBS架构的企业。27、成都巨子半导体有限公司成都巨子半导体有限公司，总部位于成都，是一家深耕中国先进功率半导
45、体碳化硅（SiC）器件的应用型高新科技企业，致力为大功率电驱及充电系统制造商提供系统化解决方案，秉持创造“节能减排、降本增效”的核心价值，全力服务国家“双碳”战略，着力打造绿色产业加速器。公司拥有成熟的碳化硅（SiC）器件的研发及应用技术，目前主营业务为碳化硅（SiC）芯片器件的研发、设计与销售，同时开展绿色能源全产业链的定制化应用服务工作。28、格罗烯科（上海）半导体有限公司格罗烯科（上海）半导体有限公司（以下简称“格罗烯科”）于2020年3月成立，本部设立于上海，产品涵盖碳化硅二极管，碳化硅三极管，碳化硅MOSFET,碳化硅功率模块和基于碳化硅的整体方案设计，是一家集设计，研发，生产和测试
46、于一体的科技型企业。格罗烯科致力于1200V以上高功率、大电流的应用市场。其团队拥有多年碳化硅功率器件领域的丰富经验。公司的主要产品包括:全国产化的采用VPS制成工艺的SiC单管、SiCMOS模块。29、江苏长电科技股份有限公司长电科技在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC.GaN等热门产品的封装和
47、测试。其中，在汽车高密度电源封测领域，长电科技依托差异化的功率模块技术实现了行业领先的电源/主驱方案。30、重庆平伟实业股份有限公司重庆平伟实业股份有限公司成立于2007年，是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体H）M产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础，面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域，提供高可匏性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案，专业生产各类半导体器件（整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MoSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等）。拥有
48、45条封装生产线和6条中试生产线，计划2024年销售规模达100亿/年，实现上市。31、重庆平创半导体研究院有限责任公司重庆平创半导体研究院有限责任公司（以下简称“平创”）成立于2019年11月，总部位于重庆璧山国家级高新技术产业开发区。碳化硅升压模块SiCModu1.e平创致力于发展新的功率半导体技术（尤其是以碳化硅SiC、氮化钱GaN为代表的第三代半导体技术）、先进智能感知技术和高效能量转换与控制技术，为数字能源、新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G通信、光伏等领域提供优质的功率半导体核心元器件和系统解决方案。32、北京国联万众半导体科技有限公司北京国联万众半导体科技有限公司设计、研发了拥行自主知识产权的以碳化硅为衬底的氮化钱射频芯片、碳化硅电力电子芯片及模块,目前应用于5G基站、新能源汽车、轨道交通、智能电网、数据中心等领域，与天科合达、比亚迪等知名企业达成长期合作，去年底成为国家第三代半导体技术创新中心（北京）的责任主体单位。33、武汉骐鸿科技有
