半导体物理之量子力学初步

1、第二章 光电检测器件工作原理及特性,第二章 光电检测器件工作原理及特性,半导体物理基础 光电检测器件的物理基础 光电检测器件的特性参数,一半导体的特性,半导体的导电能力在不同的条件下有显著的差异。,21 半导体物理基础,物质按导电能力可分为。

2、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

3、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

4、9.5 欧姆接触,金属半导体接触,整流接触肖特基势垒,非整流接触欧姆接触,肖特基接触的特点是接触区的电流电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半。

5、半导体物理学,主讲人：代国章 物理楼110室，13786187882Email:gzdai2019csu.edu,课程代码：14010022课程性质：专业课程选修课 学分：3.0时间：周二7, 8单周周三1, 2教室：D座103课程特点：内。

6、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

7、物理与光电工程学院,第章半导体中载流子的统计分布,物理与光电工程学院,本章要点,理解费米分布和玻尔兹曼分布的前提条件,及费米函数的性质,熟悉导带电子和价带空穴浓度的分析推导过程,掌握杂质半导体费米能级随杂质浓度和温度的变化关系,掌握本征,杂。

8、,第一章 太阳能电池的工作原理和基本特性 之半导体物理基础,1半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。容易导电的称为导体，如金银铜铝铅锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃橡胶塑料石英。

9、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下，半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象，主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量，可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。

10、第六章 pn结,本章主要内容,6.1 pn结及其能带图； 6.2 pn结电流电压特性； 6.3 pn结电容； 6.4 pn结击穿特性； 6.5 pn隧道特性；,Pn相关器件认识,二极管,整流桥,主要面向计算机主板硬盘驱动器手机充电器紧急照明。

11、半导体物理与器件Semiconductor Physics andDevices,陕西科技大学物理教研室管志花201020112,课程简介课本：Neamen 美，赵毅强译,半导体物理与器件参考书:1.Charles Kittel,固体物理导。

12、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。

13、第六章 pn结,6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性6.3 pn结电容6.4 pn结击穿6.5 pn结隧道效应,6.1 pn结及其能带图,冶金结P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结均匀分布，交界处突变,6.1 p。

14、光电检测技术,教材,雷玉堂编,光电检测技术,中国计量出版社参考教材,光电检测技术与应用郭培源北京航空航天大学出版社光电信号检测吴杰哈尔滨工业出版社光电检测技术高稚允国防工业出版社,人类通过自身的感觉器官从外界获取信息,再次认识人眼,高灵敏度。

15、第一章太阳能电池的工作原理和基本特性之半导体物理基础,1,半导体的性质,世界上的物体如果以导电的性能来区分,有的容易导电,有的不容易导电,容易导电的称为导体,如金,银,铜,铝,铅,锡等各种金属,不容易导电的物体称为绝缘体,常见的有玻璃,橡胶。

16、迁移率与杂质浓度和温度的关系,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,本节采用简单的模型来讨论电导率迁移率和散射几率的关系，进而讨论它们与杂质浓度和温度的。

17、第二章量子力学初步为了更深入理解器件的电流电压特性,有必要了解不同势函数条件下,晶体中电子状态的一些相关知识,电子的运动服从量子力学规律,量子力学的波动理论是半导体物理学理论的基础本章对量子力学进行简要的介绍,了解并适应量子力学的分析方法。

18、第三章量子力学初步,思维世界的发展,从某种意义上说,就是对,惊奇,的不断摆脱,爱因斯坦,3,1物质的二象性3,2测不准关系3,3波函数及其物理意义3,4薛定谔波动方程3,5量子力学的几个简例3,6量子力学对氢原子的描述,2,1波粒二象性,一。

19、常用半导体的能带结构,庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材半导体物理学编写,半导体物理 Semiconductor Physics,硅和锗的导带结构,硅导带极小值在k空间方向，能谷通常把导带极小值附近的能带形象地称为能谷中心。

20、量子力学基本原理,1,1量子力学基本原理,三个基本原理能量量子化波粒二相性不确定原理,即测不准原理,1,1,1能量量子化,a,光电效应b,光电子最大动能随入射频率变化的函数,经典力学,只要光的能量足够大,那么在一定条件下就会有光电子从表面发。