场效应晶体管JFET与MESFET器件基础

1、4章半导体二极管和晶体管2010,02,4,5场效应半导体晶体管,4,5,2绝缘栅场效应晶体管,4,5,1结型场效应晶体管,4,5,3场效应晶体管的参数和型号,4章半导体二极管和晶体管2010,02,双极型晶体管是由两种载流子参与导电的半导。

2、1,下篇 场效应晶体管,场效应晶体管是区别于结型晶体管的另一大类晶体管。它通过改变垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力，从而调制通过沟道的电流。由于场效应晶体管的工作电流仅由多数载流子输运，故又称之为单极型场效应晶体管,2,根据其结。

3、杨淑英合肥工业大学电气与自动化工程学院,安徽省高等学校精品课程,电力电子技术,PowerElectronicTechnology,上次课主要内容回顾,上次课主要内容回顾,上次课主要内容回顾,晶闸管工作特性,承受反向电压时,不论门极是否有触发。

4、电力电子技术,第章电力电子器件及应用,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,电力电子器件基础,电力电子器件的特点与分类,功率二极管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,其它新型电力电子器件,电力电子器件的发展趋势,电力电子器件应用共性问题,总。

5、智能手机检测与维修,项目一 手机基本原理与拆装,掌握移动通信原理手机的基本工作原理，了解和掌握手机与基站间是如何进行通信的，手机是如何拨通的，手机的通话内容是如何进行加密的等基础性内容。,一移动台的构成,1.移动台结构框图2. SIM卡,1。

6、与器件基础,都是目前集成电路中广泛使用的半导体器件,可以与,双极晶体管,兼容,可用作恒流源及差分放大器等单元电路,而是目前微波集成电路广泛采用的器件结构,是靠静电感应电荷控制沟道电荷量,与依靠势垒的空间电荷区扩展来控制沟道的变化,依靠结空间。

7、1,下篇场效应晶体管,场效应晶体管是区别于结型晶体管的另一大类晶体管,它通过改变垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力,从而调制通过沟道的电流,由于场效应晶体管的工作电流仅由多数载流子输运,故又称之为,单极型,场效应,晶体管,2,根据。

8、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

9、第3章场效应晶体管及其应用,共6学时,学习目标,1了解各种场效应晶体管的结构,掌握它们的转移特性,输出特性以及主要参数,2掌握场效应晶体管的静态偏置电路与静态分析方法,3掌握场效应晶体管共源极放大器,共漏极放大器,源极跟随器,的微变等效电路。

10、第六章场效应晶体管,场效应,半导体的电导被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应单极型晶体管,只有一种载流子参与导电过程的半导体器件,场效应晶体管可分为,1,结型场效应晶体管,JFET,2,金属一半导体场效应晶体管,MESFET,3,金。

11、书名,模拟电子技术ISBN,7,111,19596,5作者,刘振庭出版社,机械工业出版社本书配有电子课件,本章首先简要介绍了半导体的基础知识以及半导体器件的核心部分,PN结,然后重点介绍了半导体二极管,晶体管和场效应晶体管的物理结构,工作原。

12、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

13、浓仇辜卉腑椎侮滋圆挽惯艳足掀蛇潘刹痔烘歇米左那裔轴撕堡框股倚孽滓实验14MOS场效应晶体管Kp,F的测试,ppt实验14MOS场效应晶体管Kp,F的测试,ppt,怯茸杏副枯驾索蹲荧六止镭歇割咏蓉侨近谢疑滦悠体房换膳楼抢耽镶计花实验14MOS。

14、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。

15、4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质,MOS结构指金属氧化物半导体结构。为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。,MOS 二极管结构 a 透视图 b。

16、0,高等半导体物理与器件第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,1,主要内容,双端MOS结构电容电压特性MOSFET基本工作原理频率限制特性小结,第十章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础,2,10。

17、第2章 射频元器件及电路模型,教学重点,能力要求,本章目录,第一节 无源集总元件第二节 射频二极管第三节 双极型晶体管第四节 场效应晶体管第五节 双极型器件和场效应器件的比较,知识结构,射频元器件及电路模型,双极型器件和场效应器件的比较,双。

18、第2章 射频元器件及电路模型,教学重点,能力要求,本章目录,第一节 无源集总元件第二节 射频二极管第三节 双极型晶体管第四节 场效应晶体管第五节 双极型器件和场效应器件的比较,知识结构,射频元器件及电路模型,双极型器件和场效应器件的比较,双。

19、第六章场效应晶体管,场效应,半导体的电导被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应单极型晶体管,只有一种载流子参与导电过程的半导体器件,场效应晶体管可分为,1,结型场效应晶体管,JFET,2,金属一半导体场效应晶体管,MESFET,3,金。