第2章半导体材料

1、第一章半导体材料,一,信息功能材料,第一章半导体材料,半导体的基本特性,结构与类型半导体的导电机构半导体材料中的杂质和缺陷典型半导体材料的应用和器件,内容,重点,半导体的电子结构和能带典型半导体的应用,引言,一些常见的半导体材料与器件,半导。

2、半导体材料,李斌斌南京航空航天大学,半导体材料教材,教材： 半导体材料，邓志杰等编，化学工业出版社参考书目： 1. 半导体材料杨树人 等编，科学出版社 2. 半导体物理学刘思科等编，国防工业出版社,讲课内容,第一章 绪论第二章 半导体材料的。

3、第五章 固溶体半导体材料,李斌斌,5.1 固溶体的概念5.2 SiGe固溶体5.3 应用,5.1 固溶体,凡在固体条件下，一种组分溶剂内溶解了其它组分溶质而形成的单一均匀的晶态固体称为固溶体。固溶体半导体材料是某些元素半导体或者化合物半导体。

4、第一章半导体材料,一,信息功能材料,第一章半导体材料,半导体的基本特性,结构与类型半导体的导电机构半导体材料中的杂质和缺陷典型半导体材料的应用和器件,内容,重点,半导体的电子结构和能带典型半导体的应用,引言,一些常见的半导体材料与器件,半导。

5、,SiC半导体材料,目录,1.SiC材料的简介2.SiC衬底的制备3.SiC外延制备方法4.SiC光电器件的简介5.SiC紫外探测器的制备6.SiC光电器件的前景,1.SiC材料的简介,随着第一代和第二代半导体材料发展的成熟，其器件应用也趋。

6、低维半导体材料,20221216,2,电子器件是20世纪的重大发明之一电子器件的发展已经经历了两个时期信息时代的到来，要求微电子器件的特征尺寸越来越小，芯片集成度越来越高,真空电子管,固体晶体管,尺寸不断减小,微米,微电子器件,202212。

7、半导体材料,材料的性质和太阳电池,的基本性质,太阳电池,单晶体材料,布里奇曼法制备单晶,液封直拉法制备单晶,薄膜单晶材料,液相外延制备薄膜单晶,金属,有机化学气相沉积外延,衬底上外延制备薄膜材料,材料的性质和太阳电池,材料的性质材料是一种典。

8、第十一章半导体材料制备,生长技术,体单晶生长技术单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料,半导体硅的单晶生长可以获得电子级,99,999999,的单晶硅外延生长技术外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术,新生单晶层的晶向取决于衬底。

9、第四章化合物半导体材料,李斌斌,化合物半导体材料,IIIV族化合物半导体材料IIVI族化合物半导体材料,4,1常见的III,V化合物半导体,III,V族化合物半导体性质,1,带隙较大带隙大于1,1eV,2,直接跃迁能带结构光电转换效率高,3。

10、半导体材料,2,期末复习,3,考试题型,填空30分，每空一分判断题10分，每题一分名词解释20分，每题4分问答题40分，6个题目AB卷,4,考试内容,前10章，重点前7章课上补充内容作业,5,半导体材料概述,从电学性质上讲主要指电阻率绝缘体。

11、第四章半导体材料,半导体材料的分类半导体材料的基础物性半导体的压阻效应半导体敏感元件,什么是半导体按不同的标准,有不同的分类方式,按固体的导电能力区分,可以区分为导体,半导体和绝缘体表1,1导体,半导体和绝缘体的电阻率范围,温度升高使半导体。

12、宽禁带半导体材料,金刚石,族氧化物,族硫化物,族硒化物,第三族氮化物,第三族氮化物,禁带,热导,介电,电子漂移速度,适合制作高频,高功率,高温,抗辐射,高密度集成电路,禁带宽度,发光,探光器,蓝光,绿光,紫外,的晶体结构与能带,作业,自我复。

13、1,一,晶体结构二,晶面与晶向三,晶体中的缺陷和杂质四,单晶硅的制备五,晶圆加工,第2章半导体材料,2,晶体结构晶体可分为单晶和多晶,若在整块材料中,原子都是规则的,周期性的重复排列的,一种结构贯穿整体,这样的晶体称为单晶,如石英单晶,硅单。

14、第三章 元素半导体,李斌斌,元素半导体材料,3.1 硅3.2 锗3.3 硼磷硒和碲等,周期表中与半导体相关元素,3.1 硅,硅石硅的氧化物水晶早为古代人所认识，古埃及就已经用石英砂为原料制造玻璃。由于硅石化学性质稳定，除了氢氟酸外，什么酸也。

15、半导体材料,安徽师范大学化学与材料科学学院College of Chemistry and Materials Science,主讲： 材料化学教研室 刘守华, 18755351608,课件制作：刘守华,什么是半导体,顾名思义：导电性介于导。

16、半导体材料,半导体材料的发展简史半导体材料的发展趋势半导体材料的分类,什么是半导体,按照不同的标准,有不同的分类方式,按固体的导电能力区分,可以区分为导体,半导体和绝缘体,导体,半导体和绝缘体的电阻率范围,空穴导电,是P型半导体,电子导电。

17、第四章化合物半导体材料,李斌斌,化合物半导体材料,IIIV族化合物半导体材料IIVI族化合物半导体材料,4,1常见的III,V化合物半导体,III,V族化合物半导体性质,1,带隙较大带隙大于1,1eV,2,直接跃迁能带结构光电转换效率高,3。

18、元素半导体材料,目前发现的元素半导体材料,金刚石,灰锡,磷,碲,硅年,别尔泽留斯,非晶,在地壳中的丰度为,仅次于氧,的化学性质三种同位素,原子半径,半径,自然界没有游离的元素,均以氧化物,或硅酸盐等化合物状态存在,在常温下不溶于单一的强酸。

19、第五章 固溶体半导体材料,李斌斌,5.1 固溶体的概念5.2 SiGe固溶体5.3 应用,5.1 固溶体,凡在固体条件下，一种组分溶剂内溶解了其它组分溶质而形成的单一均匀的晶态固体称为固溶体。固溶体半导体材料是某些元素半导体或者化合物半导体。

20、第三章 元素半导体,李斌斌,元素半导体材料,3.1 硅3.2 锗3.3 硼磷硒和碲等,周期表中与半导体相关元素,3.1 硅,硅石硅的氧化物水晶早为古代人所认识，古埃及就已经用石英砂为原料制造玻璃。由于硅石化学性质稳定，除了氢氟酸外，什么酸也。