底膜到软烘

1、第五章光刻,5,1引言,光刻,将掩膜版上的电路图形精确转移到硅片表面光刻胶膜上的复制过程,光刻是集成电路制造的关键工艺,掩膜版,Reticle或Mask,材质玻璃石英,亚微米及以下技术石英版,石英版优点,透光性好,热膨胀系数低,金属铬膜版上。

2、,微电子制造技术第 13 章 光刻:气相成底膜到软烘,学 习 目 标,1.了解光刻的基本概念，包括工艺概述关键尺寸划分光谱分辨率工艺宽容度等；2.讨论正性胶和负性胶的区别；3.了解光刻的8个基本步骤；4.讨论光刻胶的物理特性；5.解释软烘的。

3、,微电子制造技术第 13 章 光刻:气相成底膜到软烘,学 习 目 标,1.了解光刻的基本概念，包括工艺概述关键尺寸划分光谱分辨率工艺宽容度等；2.讨论正性胶和负性胶的区别；3.了解光刻的8个基本步骤；4.讨论光刻胶的物理特性；5.解释软烘的。

4、第五章光刻,5,1引言,光刻,将掩膜版上的电路图形精确转移到硅片表面光刻胶膜上的复制过程,光刻是集成电路制造的关键工艺,掩膜版,Reticle或Mask,材质玻璃石英,亚微米及以下技术石英版,石英版优点,透光性好,热膨胀系数低,金属铬膜版上。

5、微电子制造技术第13章光刻,气相成底膜到软烘,学习目标,1,了解光刻的基本概念,包括工艺概述,关键尺寸划分,光谱,分辨率,工艺宽容度等,2,讨论正性胶和负性胶的区别,3,了解光刻的8个基本步骤,4,讨论光刻胶的物理特性,5,解释软烘的目的。

6、授课教师,张建国讲师办公室,211楼1101房间电话,02883203830,E,mail,电子科技大学课程中心关于更新课程中心登录密码的通知,各位老师,同学,课程中心已于上学期期末进行了系统升级,并与信息门户网站实现了密码统一,自即日起。

7、SemiconductorManufacturingTechnologyMichaelQuirkJulianSerdaOctober2001byPrenticeHallChapter13Photolithography,SurfacePre。