分立发光中心

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2、1,光致发光,电致发光谱,2,什么是发光,光辐射有平衡辐射和非平衡辐射两大类,即热辐射和发光,任何物体只要具有一定的温度,则该物体必定具有与此温度下处于热平衡状态的辐射,红光,红外辐射,非平衡辐射是指在某种外界作用的激发下,体系偏离原来的平。

3、第四章LED用荧光粉材料,在制作白光LED的方法中,有两种方法都与荧光粉有关,因此在制作白光LED时,必须对荧光粉进行仔细研究,荧光粉是一个非常关键的材料,它的性能直接影响白光LED的亮度,色坐标,色温及显色性等,因而开发具有良好发光特性的。

4、光电显示材料,2,1发光机理与发光特性2,2光电显示材料和器件的基本特性2,3发光显示材料2,4受光显示材料2,5光电显示材料的发展前景,一,光辐射,2,1发光机理与发光特性,定义,以电磁波形式或能量量子,光子,形式传播的能量以及这种能量的。

5、1,第6章分立发光中心,1某些半导体只有通过掺杂才能获得高效发光,ZnS,Cu,2半导体带间跃只能产生一种发光颜色,掺杂可获得多种颜色,ZnS,Re,发光中心是指半导体中杂质或杂质与缺陷形成的复合体,其中进行辐射复合,产生特征发光,发光中心。

6、第五章材料的光学性能,5,1光传播的基本理论,一,光的波粒二象性,根据电磁场的麦克斯韦方程组,可得出电磁波在介质中的速度,C为电磁波在真空中的传播速度,r为介质相对介电常数,r为介质的相对磁导率,且,0,0为真空介电常数,磁导率,光在真空中。

7、第七章光电显示,光电显示技术基础,阴极射线显示,液晶显示,等离子体显示,场致发光显示,光电显示技术基础,显示技术与显示器件年德国的布劳恩,发明了阴极射线管,雏形年美国的发现液晶双折射的电光效应可以用于制作显示装置,即现在的液晶显示器,世纪年。

8、稀土材料及其应用,重要的稀土材料,一,1951年发现LaB6的强大热离子发射1961年发现重稀土具有奇妙复杂的磁性结构1962年稀土催化剂在石油裂解中得以应用1962年钇,铕荧光粉用于制造彩色电视机的红色荧光粉1963年制得最后一个金属态的。

9、第七章新型功能材料,Advancedfunctionalmaterials,序,能源,信息和材料是现代文明的三大支柱,而材料又是一切技术发展的物质基础,功能材料就是在这一前提下发展起来的,而新型功能材料是指新近发展起来和正在发展中的具有优异。

10、2023125,1,第七章信息显示材料与器件,2023125,2,发光机理和发光特性显示器件的主要参量发光显示材料受光显示材料光电显示材料前景,2023125,3,一,发光机理及发光特性,1,发光机理,根据发光机理的不同,发光过程可以分为两。

11、新型功能材料,Advancedfunctionalmaterials,序,能源,信息和材料是现代文明的三大支柱,而材料又是一切技术发展的物质基础,功能材料就是在这一前提下发展起来的,而新型功能材料是指新近发展起来和正在发展中的具有优异性能和。

12、白光LED用荧光材料,在制作白光LED的方法中,基本都与荧光粉有关,因此在制作白光LED时,必须对荧光粉进行仔细研究,荧光粉是一个非常关键的材料,它的性能直接影响白光LED的亮度,色坐标,色温及显色性等,因而开发具有良好发光特性的荧光粉是得。

13、同步辐射真空紫外和红外光谱基础,固体的光学性质固体中的光跃迁真空紫外光谱简介晶格振动的基本概念固体中的红外光谱概述,引言,在经典光学时期,麦克斯韦电磁理论的建立,为光是电磁波这一经典理论奠定了基础,并用光的经典理论成功地解释了光在介质中的吸。

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15、固体光致发光原理,Optoelectronics Display Technology,晶体材料的研究目的,固体发光的能级能级间的跃迁是非常根本的概念,它是量子论的结果,也是发光学中贯穿一切的主线。固体发光现象非常丰富,在不同激发方式或不同。

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17、电 致 发 光 显 示,1低场电致发光 1960年人们发现GaAs的pn结二极管在正向偏压下,发生少数载流子注入,并在pn结附近,两种载流子发生复合发光。2高场电致发光 发光材料是半导体化合物,掺杂适当的杂质引进发光中心或形成某种介电状态。。

18、白光LED用荧光材料,在制作白光LED的方法中,基本都与荧光粉有关,因此在制作白光LED时,必须对荧光粉进行仔细研究,荧光粉是一个非常关键的材料,它的性能直接影响白光LED的亮度,色坐标,色温及显色性等,因而开发具有良好发光特性的荧光粉是得。

19、第二章 光学功能材料,第二章 光学功能材料,2.1 激光材料 自第一台激光器诞生后,激光技术便成为一门新兴科学发展起来,并且激光的出现又大大促进了光学材料的发展。,2.1.1 激光的产生及特点,1. 激光的产生过程当激光工作物质的粒子原子或。

20、第6章 分立发光中心,1,t课件,1 某些半导体只有通过掺杂才能获得高效发光 ZnS:Cu2 半导体带间跃只能产生一种发光颜色,掺杂可获得多种颜色ZnS: Re发光中心是指半导体中杂质或杂质与缺陷形成的复合体,其中进行辐射复合,产生特征发光。

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