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1、第二章 电磁辐射与材料的相互作用,第二章 电磁辐射与材料的相互作用,第一节 概述 第二节 各类特征谱基础 第三节 X射线的产生及其与物质的相互作用,第一节 概述,电磁辐射 XUVIMR,反射,折射,散射,干涉,衍射,偏振,发射,电子,离子,。
2、第三章光电子发射探测器,光电子技术,3,1光电子发射效应,外光电效应光电子发射效应photoemission,PE,金属或半导体受光照时,如果入射的光子能量hn足够大,它和物质中的电子相互作用,使电子从材料表面逸出的现象,也称为外光电效应。
3、第四章光源与光电探测器,4,1光电信息技术中常用的光源,4,2光电探测器的性能参数与噪声,4,3光子探测器,4,4热探测器,光源在科学研究和工程技术中有着广泛的应用,在物质的成分分析,材料的结构研究,光电检测,照明工程中,都离不开一定形式的。
4、光电信号检测,第二章光电探测器概述,21发展简况与分类,一,发展简述最早用来探测可见光辐射和红外辐射的光辐射探测器是热探测器,其中,热电偶早在1826年就已发明出来,从上世纪五十年代开始人们对热释电探测器进行了一系列研究工作,发现它具有许多。
5、光电子技术,光电子发光与显示技术,场致发射显示,光电子技术精品课程,什么是场致发射显示,光电子技术精品课程,定义,场发射显示器,即场致发射阵列平板显示或称为真空微尖平板显示器,是一种新型的自发光平板显示器件,光电子技术精品课程,的结构,组成。
6、光电信号处理,华中科技大学光学与电子信息学院,第一章绪论,光电系统的构成,光电系统,以光波作为信息或能量载体,实现传感,传输,显示,控制等功能的系统,按辐射源来分,主动光电系统和被动光电系统,一般地,一个光电系统,被动,的构成如下,一个典型。
7、第五章直视型电真空成像物理,5,1像管成像的物理过程5,2像管结构类型与性能参数5,3辐射图像的光电转换5,4电子图像的成像理论5,5电子图像的发光显示5,6光学图像的传像与电子图像的倍增,5,1像管成像的物理过程,像管通过三个环节完成图像。
8、第三章 光电子发射探测器,表1:探测器件分类,表2 光子效应分类,光电效应,定义:物质在光的作用下,不经升温而直接引起物质中电子运动状态发生变化;因此,把由光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应。,1. 原因:是辐射,而不是升温;2. 。
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10、第三章光电探测器,3,1光电探测器的物理基础3,2光电子发射探测器3,3光电导探测器3,4光伏探测器3,5热电探测器3,6光电成值器件3,7各类光电探测器的性能及应用比较,第三章光电探测器,3,1光电探测器的物理基础3,2光电子发射探测器3。
11、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,第章光电子发射探测器,简称探测器,也称为真空光电器件,光电发射器件是基于外光电效应的器件,它包括真空光电二极管,光电倍增管,变像管。
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14、,光子探测器,M光电增益,输出光电流,光电导探测器:M可以大于1,光电三极管: M102,雪崩光电二极管:M103, M106,第5章 光电子发射探测器,第5章 光电子发射探测器,Photoemissive detector,简称PE探测器。
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16、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,简称探测器,光电管,光电倍增管,被半导体光电器件取代,极高灵敏度快速响应,应用,微弱光信号,快速脉冲弱光信号,也称为真空光电器件,第。
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18、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,简称探测器,光电管,光电倍增管,被半导体光电器件取代,极高灵敏度快速响应,应用,微弱光信号,快速脉冲弱光信号,也称为真空光电器件,第。
19、1,第三章光电探测器,3.1 光电探测器的物理基础3.2 光电子发射探测器3.3 光电导探测器3.4 光伏探测器3.5 热电探测器3.6 光电成像器件3.7 各类光电探测器的性能及应用比较,2,3.2光电子发射探测器,真空光电器件是基于外光。
20、1,第三章光电探测器,3,1光电探测器的物理基础3,2光电子发射探测器3,3光电导探测器3,4光伏探测器3,5热电探测器3,6光电成像器件3,7各类光电探测器的性能及应用比较,2,3,2光电子发射探测器,真空光电器件是基于外光电效应的光电探。