硅的冶炼和高纯多晶硅的制备

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17、第十章多晶硅薄膜,多晶硅薄膜材料,指在玻璃,陶瓷,廉价硅等低成本衬底上,通过化学气相沉积等技术,制备成一定厚度的多晶硅薄膜,根据多晶硅晶粒的大小,部分多晶硅薄膜又可称为微晶硅薄膜,uc,Si,其晶粒大小在10,30nm左右,或纳米硅,nc。

18、第 十章 多晶硅薄膜,多晶硅薄膜材料：指在玻璃陶瓷廉价硅等低成本衬底上，通过化学气相沉积等技术，制备成一定厚度的多晶硅薄膜。根据多晶硅晶粒的大小，部分多晶硅薄膜又可称为微晶硅薄膜ucSi，其晶粒大小在1030nm左右或纳米硅ncSi,其晶粒。

19、t课件PPT课件,1,第 十章 多晶硅薄膜,多晶硅薄膜材料：指在玻璃陶瓷廉价硅等低成本衬底上，通过化学气相沉积等技术，制备成一定厚度的多晶硅薄膜。根据多晶硅晶粒的大小，部分多晶硅薄膜又可称为微晶硅薄膜ucSi，其晶粒大小在1030nm左右或。

20、第4章 单晶硅材料,在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加这是半导体最显著最突出的特性。,半导体特性,当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就。