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7、第五章场效应晶体管,场效应管,管的阈值电压,体效应,的温度特性,的噪声,尺寸按比例缩小,器件的二阶效应,场效应管,管伏安特性的推导,两个结,型漏极与型衬底,型源极与型衬底,同双极型晶体管中的结一样,在结周围由于载流子的扩散,漂移达到动态平衡。
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15、第五章基本门电路,5,1数字信号的特征5,2电路的主要性能5,3双极晶体管的开关特性5,4饱和型与非饱和型双极型数字集成电路5,5晶体管,晶体管逻辑,TTL,门5,6肖特基晶体管晶体管逻辑门5,7发射极耦合逻辑,ECL,门5,8NMOS门电。
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17、晶体管,一,晶体管,晶体管,本节课主要内容,器件结构电流电压特性电流方程沟道长,短沟道效应,衬底偏压效应,晶体管,晶体管的动作,晶体管实质上是一种使电流时而流过,时而切断的开关,型硅基板,栅极,金属,绝缘层,半导体基板,漏极,源极,沟晶体管。
18、第3章场效应管及其应用,3,1场效应管及其应用3,2场效应及其放大电路,3,1场效应管,场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类,3,1,1结型场效应管1,结型场效应管的结构及工作原理1,基本结构及符号如图3,1,a,所示,在一。
19、MOS与双极型晶体管的比较,本讲内容,MOS晶体管模型双极型晶体管模型MOS与双极型晶体管的比较,从双极型到MOS晶体管的过度,SIA预测的集成电路工艺发展,Moore定律,ISSCC2005论文的分布情况,不同工艺条件下采用MPW方式加工。
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