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器件物理MOSFETPPTTag内容描述：
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14、HEMT,High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管,小组成员,制作PPT,收集资料,1,t课件,介绍内容,2,t课件,一.HEMT简介,HEMT，高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管，又称。
15、微电子学概论,第二章半导体物理与器件,半导体物理学刘恩科等著国防工业出版社半导体物理学叶良修高等教育出版社半导体物理与器件,第版,美,著,赵毅强等译半导体器件物理与工艺,美,施敏,著,王阳元等译,导论半导体及其基本特性半导体中的载流子半导体。
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17、第二章 PN结,半导体器件物理,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属半导体接触器件外，所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。。
18、第二章MOS器件物理基础,1了解无源元件的基本原理,2了解有源元件的基本原理,3了解基本MOS器件模型,主要内容,了解MOS器件物理基础概念掌握MOS的IV特性掌握二级效应基本概念了解MOS器件模型,什么是无源器件和有源器件,无源器件pas。
19、第三章双极结型晶体管,第三章双极结型晶体管,发展历史: 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生Bell Lab.BardeenShockleyBrattain1949年提出PN结和双极结型晶体管理论Bell Lab.Shockley1。
