三位一体内引外延读领风骚

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6、七夕,古今诗人惯咏星月与悲情。吾生虽晚,世态炎凉却已看透矣。情也成空,且作挥手袖底风罢。是夜,窗外风雨如晦,吾独坐陋室,听一曲尘缘,合成诗韵一首,觉放诸古今,亦独有风韵也。乃书于纸上。毕而卧。凄然入梦。乙酉年七月初七。啸之记。 集成电路制造。

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10、1,第4章 外延工艺,2,2,第4章 外延工艺,本章3学时目标:,1了解相图和固溶度的概念,2了解外延技术的特点和应用,3掌握外延的分类,4掌握气相外延的原理步骤,5了解分子束外延的实现方式和优点,3,3,第4章 外延工艺,一相图和固溶度的。

11、第五章 硅外延生长,5.1外延生长的概述,定义:外延 epitaxy:是在单晶衬底上,按衬底晶向生长一层单晶层的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长,并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。,分类,根据结构 同质外延:外延层材料与衬底材料。

12、第二章 概念,概念与感觉知觉表象有着质的区别。感觉知觉表象是反映对象的具体形象的。在具体形象中,对象的本质属性和非本质属性是混合在一起没有分开的。概念不是反映对象的具体形象,而是抽象地反映对象的本质属性,舍弃了对象的非本质属性。所以,概念具。

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14、第六章 外延生长Epitaxial Growth,外延生长Epitaxial Growth工艺, 概述 气相外延生长的热动力学 外延层的掺杂与缺陷 硅气相外延工艺 小结,参考资料:微电子制造科学原理与工程技术第14章电子讲稿中出现的图号是该。

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