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1、-ANSYS电场分析指南关键字: ANSYS电场分析CAE教程静电场分析h方法14.1 什么是静电场分析静电场分析用以确定由电荷分布或外加电势所产生的电场和电场标量位电压分布。该分析能加二种形式的载荷：电压和电荷密度。静电场分析是假定为线性的，电场正比于所加电压。静电场分析可以使用两种方法：h方法和p方法。本章讨论传统的h方法。下一章讨论p方法。14.2h方法静电场分析中所用单元h方法静电分析使用如下ANSYS单元：表1. 二维实体单元单元维数形状或特征自由度PLANE1212-D四边形，8节点每个节点上的电压表2. 三维实体单元单元维数形状或特征自由度SOLID1223-D砖形六面体，20节
2、点每个节点上的电压SOLID1233-D砖形六面体，20节点每个节点上的电压表3. 特殊单元单元维数形状或特征自由度MATRI*50无(超单元)取决于构本钱单元的单元取决于构本钱单元的单元类型INFIN1102-D4或8节点每个节点1个；磁矢量位，温度，或电位INFIN1113-D六面体，8或20节点A*、AY、AZ磁矢势，温度，电势，或磁标量势INFIN92-D平面，无界，2节点AZ磁矢势，温度INFIN473-D四边形4节点或三角形3节点AZ磁矢势，温度14.3h方法静电场分析的步骤静电场分析过程由三个主要步骤组成：1.建模2.加载和求解3.观察结果14.3.1 建模定义工作名和标题：命令
3、：/FILNAME，/TITLEGUI：Utility MenuFileChange JobnameUtility MenuFileChange Title如果是GUI方式，设置分析参考框：GUI：Main MenuPreferencesElectromagnetics：Electric设置为Electric，以确保电场分析所需的单元能显示出来。之后就可以使用ANSYS前处理器来建立模型，其过程与其它分析类似，详见?ANSYS建模和分网指南?。对于静电分析，必须定义材料的介电常数PER*，它可能与温度有关，可能是各向同性，也可能是各向异性。对于微机电系统MEMS，最好能更方便地设置单位制，因为
4、一些部件只有几微米大小。详见下面MKS制到MKSV制电参数换算系数和MKS制到MSVfA制电参数换算系数表表4 MKS制到MKSV制电参数换算系数表电参数MKS制量纲乘数MKSV制量纲电压V(kg)(m)2/(A)(s)31V(kg)(m)2/(pA)(s)3电流AA1012pApA电荷C(A)(s)1012pC(pA)(s)导电率S/m(A)2(s)3/(kg)(m)3106pS/m(pA)2(s)3/(kg)(m)3电阻率m(kg)(m)3/(A)2(s)310-6Tm(kg)(m)3/(pA)2(s)3介电常数1F/m(A)2(s)4/(kg)(m)3106pF/m(pA)2(s)2/(
5、kg)(m)3能量J(kg)(m)2/(s)21012pJ(kg)(m)2/(s)2电容F(A)2(s)4/(kg)(m)21012pF(pA)2(s)4/(kg)(m)2电场V/m(kg)(m)/(s)3(A)10-6V/m(kg)(m)/(s)3(pA)通量密度C/(m)2(A)(s)/(m)21pC/(m)2(pA)(s)/(m)2自由空间介电常数等于8.0854E-6pF/m 表5 MKS制到MSVfA制电参数换算系数表电参数MKS 制量纲乘数MSVfA制量纲电压V(kg)(m)2/(A)(s)31V(g)(m)2/(fA)(s)3电流AA1015fAfA电荷C(A)(s)1015fC
6、(fA)(s)导电率S/m(A)2(s)3/(kg)(m)3109fS/m(fA)2(s)3/(g)(m)3电阻率m(Kg)(m)3/(A)2(s)310-9-(g)(m)3/(fA)2(s)3介电常数F/m(A)2(s)4/(kg)(m)3109fF/m(fA)2(s)2/(g)(m)3能量J(kg)(m)2/(s)21015fJ(g)(m)2/(s)2电容F(A)2(s)4/(kg)(m)21015fF(fA)2(s)4/(g)(m)2电场V/m(kg)(m)/(s)3(A)10-6V/m(g)(m)/(s)3(fA)通量密度C/(m)2(A)(s)/(m)2103fC/(m)2(fA)(
7、s)/(m)2自由空间介电常数等于8.0854E-3fF/m14.3.2 加载荷和求解本步定义分析类型和选项、给模型加载、定义载荷步选项和开场求解。14.3.2.1 进入求解处理器命令：/SOLUGUI：Main MenuSolution14.3.2.2定义分析类型选择以下方式之一：GUI：选菜单路径Main MenuSolutionNew Analysis并选择静态分析命令：ANTYPE，STATIC，NEW如果你要重新开场一个以前做过的分析例如，分析附加载荷步，执行命令ANTYPE，STATIC，REST。重启动分析的前提条件是：预先完成了一个静电分析，且该预分析的Jobname. EMA
8、T，Jobname. ESAV和Jobname.DB文件都存在。14.3.2.3定义分析选项可以选择波前求解器缺省、预条件共轭梯度求解器PCG、雅可比共轭梯度求解器JCG和不完全乔列斯基共轭梯度求解器ICCG之一进展求解：命令：EQSLVGUI：Main MenuSolutionAnalysis Options如果选择JCG求解器或者PCG求解器，还可以定义一个求解器误差值，缺省为1.0-8。14.3.2.4 加载静电分析中的典型载荷类型有：14.3.2.4.1 电压VOLT该载荷是自由度约束，用以定义在模型边界上的电压：命令：DGUI：Main MenuSolutionLoads-Loads
9、-Apply-Electric-Boundary -Voltage-14.3.2.4.2电荷密度CHRG命令：FGUI：Main MenuSolutionLoads-Loads-Apply-Electric-E*citation-Charge-On Nodes14.3.2.4.3面电荷密度CHRGS命令：SFGUI：Main MenuSolutionLoads-Loads-Apply-Electric-E*citation-Surf Chrg Den-14.3.2.4.4 Ma*well 力标志M*WF这并不是真实载荷，只是表示在该外表将计算静电力分布，M*WF只是一个标志。通常，M*WF定义
10、在靠近“空气-电介质交界面的空气单元面上，ANSYS使用Ma*well应力量法计算力并存储在空气单元中，在通用后处理器中可以进展处理。命令：FMAGBCGUI：Main MenuSolution-Loads-Apply-Electric-Flag-Ma*well Surf-option14.3.2.4.5 无限面标志INF这并不是真实载荷，只是表示无限单元的存在，INF仅仅是一个标志。命令：SFGUI：Main MenuSolution-Loads-Apply-Electric-Flag-Infinite Surf-option分页14.3.2.4.6 体电荷密度CHRGD命令：BF，BFEG
11、UI：Main MenuSolution-Loads-Apply-Electric-E*citation-Charge Density-option另外，还可以用命令BFL、BFL、BFV等命令分别把体电荷密度加到实体模型的线、面和体上。14.3.2.4.7定义载荷步选项对于静电分析，可以用其它命令将载荷加到电流传导分析模型中，也能控制输出选项和载荷步选项，详细信息可参见第16章“分析选项和求解方法.8保存数据库备份使用ANSYS工具条的SAVE_DB按钮来保存一个数据库备份。在需要的时候可以恢复模型数据：命令：RESUMEGUI：Utility MenuFileResume Jobname.
12、db14.3.2.4.9 开场求解命令：SOLVEGUI：Main MenuSolutionCurrent LS14.3.2.4.10完毕求解命令：FINISHGUI：Main MenuFinish14.3.3 观察结果ANSYS和ANSYS/Emag程序把静电分析结果写到结果文件Jobname.RST中，结果中包括如下数据：主数据：节点电压VOLT导出数据：节点和单元电场EF*，EFY，EFZ，EFSUM节点电通量密度D*，DY，DZ，DSUM节点静电力FMAG：分量*，Y，Z，SUM节点感生电流段CSG*，CSGY，CSGZ通常在POST1通用后处理器中观察分析结果：命令：/POST1GU
13、I：Main MenuGeneral Postproc对于整个后处理功能的完整描述，见ANSYS根本分析过程指南。将所需结果读入数据库：命令：SET,TIMEGUI：Utility MenuListResultsLoad Step Summary如果所定义的时间值处并没有计算好的结果，ANSYS将在该时刻进展线性插值计算。对于线单元LINK68，只能用以下方式得到导出结果：命令：ETABLEGUI：Main MenuGeneral PostprocElement TableDefine Table命令：PLETABGUI：Main MenuGeneral PostprocPlot Result
14、sElem TableMain MenuGeneral PostprocElement TablePlot Elem Table命令：PRETABGUI：Main MenuGeneral PostprocList ResultsList Elem TableMain MenuGeneral PostprocElement TableElem Table Data绘制等值线图：命令：PLESOL，PLNSOLGUI：Main MenuGeneral PostprocPlot ResultsElement SolutionMain MenuGeneral PostprocPlot ResultsN
15、odal Solu绘制矢量图：命令：PLVECTGUI：Main MenuGeneral PostprocPlot ResultsPredefinedMain MenuGeneral PostprocPlot ResultsUser Defined以表格的方式显示数据：命令：PRESOL，PRNSOL，PRRSOLGUI：Main MenuGeneral PostprocList ResultsElement SolutionMain MenuGeneral PostprocList ResultsNodal SolutionMain MenuGeneral PostprocList Resu
16、ltsReaction SoluPOST1执行许多其他后处理功能，包括按路径和载荷条件的组合绘制结果图。更详细信息见ANSYS根本分析过程手册。14.4 多导体系统提取电容静电场分析求解的一个主要参数就是电容。在多导体系统中，包括求解自电容和互电容，以便在电路模拟中能定义等效集总电容。CMATRI*宏命令能求得多导体系统自电容和互电容。详见?ANSYS理论手册?5.10节。14.4.1 对地电容和集总电容有限元仿真计算，可以提取带对地电压降导体由于电荷堆积形成的“对地电容矩阵。下面表达一个三导体系统一个导体为地。方程式中Q1和Q2为电极1和2上的电荷，U1和U2分别为电压降。Q1= (Cg)1
17、1(U1)+(Cg)12(U2)Q2= (Cg)12(U1)+(Cg)22(U2)式中Cg称作为“对地电容矩阵。这些对地电容并不表示集总电容常用于电路分析，因为它们不涉及到二个导体之间的电容。使用CMATRI*宏命令能把对地电容矩阵变换成集总电容矩阵，以便用于电路仿真。图2描述了三导体系统的等效集总电容。下面二个方程描述了感应电荷与电压降之间形成的集总电容：Q1=(C1)11(U1)+(C1)12(U1U2)Q2=(C1)12(U1U2)+(C1)22(U2)式中C1称为集总电容的电容矩阵。分页14.4.2 步骤CMATRI*宏命令将进展多元模拟，可求得对地电容矩阵和集总电容矩阵值。为了便于C
18、MATRI*宏命令使用，必须把导体节点组成节点部件，而且不要加任何载荷到模型上电压、电荷、电荷密度等等。导体节点的部件名必须包括同样的前缀名，后缀为数字，数字按照到系统中所含导体数目进展编号。最高编号必须为地导体零电压。应用CMATRI*宏命令步骤如下：1.建模和分网格。导体假定为完全导电体，故导电体区域部不需要进展网格划分，只需对周围的电介质区和空气区进展网格划分，节点部件用导体外表的节点表示。2.选择每个导体面上的节点，组成节点部件。命令：CMGUI:Utility Menu Select Comp/Assembly Create Component导体节点的部件名必须包括同样的前缀名，后
19、缀为数字，数字按照到系统中所含导体数目进展编号。例如图2中，用前缀“Cond为三导体系统中的节点部件命名，分别命名为为“Condl、“Cond2和“Cond3，最后一个部件“Cond3应该为表示地的节点集。3.用以下方法之一，进入求解过程：命令：SoluGUI：Main MenuSolution4.选择方程求解器建议用JCG：命令：EQSLVGUI：Main MenuSolutionAnalysis Options5.执行CMATRI*宏：命令：CMATRI*GUI：Main Menu Solution Electromagnet Capac Matri*CMATRI*宏要求以下输入：对称系数
20、SYMFAC：如果模型不对称，对称系数为1缺省。如果你利用对称只建一局部模型，乘以对称系数得到正确电容值。节点部件前缀名Condname。定义导体节点部件名。上例中，前缀名为“Cond。宏命令要求字符串前缀名用单引号。因此，本例输入为Cond，在GUI菜单中，程序会自动处理单引号。导体系统中总共的节点部件数NUMCON，上例中，导体节点部件总数为“3。地基准选项GRNDKEY。如果模型不包含开放边界，则最高节点部件号表示“地。在这种情况下，不需特殊处理，直接将“地作为基准设置为零缺省状态值。如果模型中包含开放边界使用远场单元或Trefttz区域，而模型中无限远处又不能作为导体，则可以将“地选项
21、设置为零缺省。在*些情况下，必须把远场看作导体“地例如，在空气中单个带电荷球体，为了保持电荷平衡，要求无限远处作为“地。用INFIN111单元或Trefftz区域表示远场地时，把“地选项设置为“1输入贮存电容值矩阵的文件名Capname。宏命令贮存所计算的三维数组对地电容和集总电容矩阵值。其中“i和“j列代表导体编号，“k列表示对地k=1或集总k=2项。缺省名为CMATRI*。例如，CMATRI*i,j,1为对地项，CMATRI*i,j,2为集总项。宏命令也建立包含矩阵的文本文件，其扩展名为.T*T。注意：在使用CMATRI*命令前，不要施加非均匀加载。以下操作会造成非均匀加载：在节点或者实体
22、模型上施加非0自由度值的命令(D, DA, 等)在节点、单元或者实体模型定义非0值的命令(F, BF, BFE, BFA, 等)带非0项的CE命令CMATRI*执行一系列求解，计算二个导体之间自电容和互电容，求解结果贮存在结果文件中，可以便于后处理器中使用。执行后，给出一个信息表。如果远场单元INFIN110和INFIN111共享一个导体边界例如地平面，可以把地面和无限远边界作为一个导体只需要把地平面节点组成一个节点部件。以下图图3描述了具有合理的NUMCOND和GRNDKEY选项设置值的各种开放和闭合区域模型。后面有例题详细介绍如何利用CMATRI*做电容计算。14.5 开放边界的Treff
23、tz方法模拟开放区域的一种方法是利用远场单元(INFIN110和INFIN111)，另一种方法为混合有限元Trefftz方法称作Trefftz方法。Trefftz方法以边界元方法的创立者名字命名。 Trefftz方法使用与有限元类似的正定刚度矩阵高效处理开放区域的边界问题。它可处理大纵横比的复杂面几何体，它很易生成Trefftz完整函数系统。对于处理静电问题中的开放边界条件是一种易用而准确的方法。Trefftz方法的理论分析参见?ANSYS理论手册?。本手册有“用Trefftz方法进展静电场分析的例题。分页14.5.1概述使用Trefftz方法需要建立一个Trefftz区域，Trefftz区域
24、由以下局部组成：在有限元区域的一个Trefftz源节点部件，但与有限元模型无关；带有标记的有限元区域的外外表；由Trefftz源节点部件和带有标记的有限元外外表共同创立的子构造矩阵；由子构造定义的超单元；连同子构造产生的一组约束方程；与远场单元法相比，Trefftz方法有许多优点，也有一些缺点。Trefftz方法有如下正面特征：本方法形成对称矩阵；处理开放边界时，不存在理论上的限制；不存在奇异积分；未知数最少20100个未知量就可得到可靠结果；可用于大纵横比边界；允许灵活的生成格林Greens函数；利用Trefftz区域，可以在两个无关联的有限元区之间建立联系；Tefftz方法与远场单元比拟有
25、如下优点；通常具有更高的准确度；远场区不要求建模和划分单元；可用于大纵横比有限元区域，并且具有很好精度；远场单元区不必按一般有限元要求的那样，把有限元区扩展到超出装置模型区很多；Trefftz方法与远场单元比拟有如下缺点：只能用于全对称模型；只对三维分析有效；模型外外表单元只能是四面体单元；要求定义有限元区Trefftz源节点部件，并生成子构造和约束方程当然，这一过程是程序自动完成。Trefftz方法有如下限制：Trefftz节点最大数为1000；最高容许的节点号为1,000,000；最高容许的外外表节点数为100,000；外外表容许的最大单元面数小平面为100,000；Trefftz方法假设
26、无限远处是0电位。因此，在处理具有不同电位的多电极系统时，使用本方法要注意建立不同的节点部件。当然，对于使用CMATRI*命令宏来提取电容，程序已经完全考虑，已经把无限远处设成了0电位或者接近0电位。14.5.2 步骤在3-D静电分析中建立一个Trefftz区域，定义Trefftz区域按以下过程进展：1建立一个静电区域的有限元模型包括导体、介质和四周空气。对有限模型加上全部必需的边界条件电压、电荷、电荷密度等2对有限元区域的外外表加上标志，作一个无限面来处理。加无限面标志INF Label,使用如下方法：命令：SF，SFA，SFEGUI：Main MenuPreprocessorLoads-L
27、oads- Apply-Electric- Flag-Infinite Surf-On Nodes Main MenuPreprocessorLoads-Loads- Apply-Electric- Flag-Infinite Surf-On Areas Main MenuPreprocessorTrefftz-DomainInfinite Surf-On Areas3建立Trefftz源节点，源节点作为Trefftz 区域的未知量。这些未知量表示Trefftz方法的源电荷，用CURR自由度计算且储存Trefftz节点上的这些源电荷。如图4“定义 Trefftz的区域中步骤3所示，应在模型装置
28、与有限元区外外表之间设置Trefftz源节点。Trefftz源节点离模型装置的距离应该小于到有限元模型外外表的距离，这样Trefftz 方法计算所得的结果会更准确。Trefftz源节点离有限元模型外外表外表越远，得到的结果越准确。例如，*方向上，Trefftz节点正好包围模型装置b/c1,有限元外边界设置到较远距离处(a/b2)。对Y和Z方向应用大致一样的规则。假设Trefftz源节点不接近于装置或在有限元区域外表上，会导致一个近似奇异解而产生不正确的结果。利用定义一个简单实模型体(如六面体、球、园柱体或它们的布尔运算组合体等)，很容易地建立包围模型装置并在有限元区域的Trefftz节点。但是
29、它应该在有限元外外表的部，如图4所示。一旦定义了简单模型体，可以采用以下方法之一把简单实模型划分网格并建立Trefftz节点：命令：TZAMESHGUI：Main MenuPreprocessorTrefftz DomainMesh TZ Geometry用TZAMESH命令对体外表进展网格划分，然后删除非求解单元，只留下Trefftz节点。它把 Trefftz节点组成命名为TZ-NOD的节点部件，以备在Trefftz子构造生成中调用。Trefftz方法只要求很少的源节点。缺省时，TZAMESH命令把简单实模型体各边分成二段。对大纵横比几何体，可按规定的长度划分实体。这二种选项在TZAMESH
30、命令中都有效。它会提供很多Trefftz节点，但是并不是节点越多精度越高。精度也受外外表单元数和Trefftz 源项近似的影响。一般例题将不超过20到100Trefftz节点。利用以下方法，可删除Trefftz节点：命令：CMSEL,TZ_NOD NDELE,ALLCMDELE,TZ_NODGUI：Main MenuPreprocessorTrefftz DomainDelete TZ Nodes4建立Trefftz 子构造、超单元、和约束方程。Trefftz方法使用有限元模型的外外表和Trefftz节点建立子构造矩阵。用MATRI*50超单元将该矩阵组合到模型中。另外，需要一组约束方程来完善
31、Trefftz 区域。利用TZEGEN宏命令，可自动完成建立子构造、用超单元组合到模型、定义约束方程等过程。建立子构造并使其以超单元的方式组合到模型中，用以下方式：命令：TZEGENGUI：Main MenuPreprocessorTrefftz Domain-Superelement-Generate TZTZEGEN命令也自动定约束方程。一旦建立了Trefftz区域，就可利用标准求解步骤来解题。如果分网面上的单元发生了变动或要建立一个新的Trefftz 区域，则已定义的Trefftz区域应被删除。在求解模型只能同时存在一个 Trefftz区域。采用以下方法可删除Trefftz 超单元、相应
32、的约束方程和全部Trefftz 文件：命令：TZDELEGUI：Main MenuPreprocessorTrefftz Domain-Superelement-Delete TZTZDELE命令删除在生成超单元过程中产生的全部Trefftz文件，包括如下文件：Jobname.TZN Trefftz源节点 Jobname.TZE 在有限元边界上的Trefftz 外表Jobname. TZ* 在有限元边界上外表节点Jobname.TZM Trefftz 材料文件详见本手册例题“用Trefftz方法进展静电分析(命令方法)分页14.6 用h方法进展静电场分析的实例GUI方式14.6.1 问题描述本
33、节描述如何做一个屏蔽微带传输线的静电分析，该传输线是由基片、微带和屏蔽组成。微带电势为V1，屏蔽的电势为V0，确定传输线的电容。该算例的描述见以下图。材料和几何参数14.6.2 分析方法与建模提示通过能量和电位差的关系可以求得电容：We = 1/2C(V1-V0)2，We是静电场能量，C为电容。在后处理器中对所有单元能量求和可以获得静电场的能量。后处理器中还可以画等位线和电场矢量图等。14.6.3 目标结果目标电容, pF/m 178.1步骤 1: 开场1.进入ANSYS程序. 2.选择菜单路径Utility MenuFileChange Title. 3.输入Microstrip trans
34、mission line analysis.4.点击 OK.5.选择Main MenuPreferences. 6.点击Magnetic-Nodal和Electric.7.点击 OK.步骤 2: 定义参数1.选择Utility MenuParametersScalar Parameters.2.输入以下参数，假设发生输入错误，重新输入即可V1 = 1.5V0 = 0.53.点击 Close步骤 3: 定义单元类型1.选择Main MenuPreprocessorElement TypeAdd/Edit/Delete. 2.点击 Add.3.点击高亮度的Electrostatic和2D Quad
35、 121.4.点击 OK.5.点击 Close.步骤 4: 定义材料属性1.选择Main MenuPreprocessorMaterial PropsMaterial Models.2.在材料窗口,依次双击以下选项: Electromagnetics, Relative Permittivity, Constant3.MUR* (Relative permeability)输入 1,点击OK.在定义材料的窗口的左边区域显示的材料号为1.4.选择菜单路径 EditCopy. 点击OK。把材料1拷贝到材料2.5.在材料框中，双击2号材料和Permittivity (constant). 6在PER
36、*区域输入10, 点击OK.7选择菜单路径 MaterialE*it 8点击 SAVE_DB on the ANSYS Toolbar.步骤 5: 建立几何模型和压缩编号1.选择Main MenuPreprocessor-Modeling-Create-Areas-Rectangle By Dimensions.2.输入以下值(用TAB键，在输入区域间切换)*1 域0*2域.5Y1域0Y2域13.点击 Apply. 4.创立第2个矩形，输入以下值：*1域.5*2域5Y1域0Y2域15.点击 Apply. 6.创立第3个矩形，输入以下值：*1域0*2域.5Y1域17.点击 Apply.8.创立第
37、4个矩形，输入以下值：*1域.5*2域5Y1域1Y2域109.点击 OK.10.粘接所有面, 选择Main MenuPreprocessor-Modeling-Operate-Booleans-GlueAreas.11.点击 Pick All.12.选择Main MenuPreprocessorNumbering CtrlsCompress Numbers.13.设置 Item to be compressed 为 Areas.14.点击 OK.分页步骤 6: 为模型各个局部指定属性为网格划分作准备1.选择Utility MenuSelectEntities. 2.把顶端的选项按钮由Nodes
38、设置为Areas.3.把紧接着的选项按钮设置为 By Num/Pick.4.点击 OK. 5.通过点击，选取面1和2. (面1和2在图形窗口的底部) 被选中的面会改变颜色。6.点击 OK.7.选择Main MenuPreprocessor-Attributes-definePicked Areas. 点击 Pick All. 8.设置Material number 为2.9.点击 OK.10.选择Utility MenuSelectEntities. 11.确认两个按钮为 Areas 和 By Num/Pick.12.点击 Sele All, 点击 OK.13.点击 Pick All.14.选
39、择Utility MenuSelectEntities.15.把顶部按钮设置为 Lines.16.把底部按钮设置为 By Location.17.点击 Y Coordinates .18.在Min, Ma* 区域, 输入1.19.点击 Apply.20.点击Reselect和* Coordinates按钮21.在 Min, Ma* 区域, 输入.25.22.点击 OK.步骤7: 划分模型1.选择Main MenuPreprocessor-Meshing-Size Cntrls-Lines-All Lines. 2.在No. of element divisions 区域, 输入8.3.点击 O
40、K.4.选择Utility MenuSelectEntities. 5.确认顶部按钮设置为Lines.6.设置下面的按钮为By Num/Pick.7.点击From Full .8.点击 Sele All, 点击 OK. 9.点击 Pick All.10.选择Main MenuPreprocessorMeshTool. 11.点击 Smart Size 按钮.12.将SmartSizing滑块移动到3.13.确认Mesh 对象设置为Areas.14.点击shape：Tri按钮.15.点击MESH 按钮. 16.点击 Pick All. 17.点击 Close 步骤8: 施加边界条件和载荷1.选择
41、Utility MenuSelectEntities.2.设置顶部按钮为Nodes.3.设置下面的按钮为By Location.4.点击Y Coordinates和From Full 按钮.5.在Min, Ma*区域, 输入1.6.点击 Apply.7.点击* Coordinates和Reselect 按钮.8.在Min, Ma*区域, 输入0,.5.9.点击 OK.10.选择Main MenuPreprocessorLoads-Loads-Apply-Electric- Boundary-Voltage-On Nodes. 11.点击 Pick All.12.在Value of voltag
42、e (VOLT)区域, 输入V1.13.点击 OK.14.选择Utility MenuSelectEntities. 15.确认上面的两个按钮设置为Nodes 和By Location.16.点击 Y Coordinates 和From Full 按钮.17.在Min, Ma* 区域, 输入0.18.点击 Apply.19.点击 Also Sele 按钮.20.在 Min, Ma* 区域, 输入10.21.点击 Apply.22.点击 * Coordinates 按钮.23.在Min, Ma* 区域, 输入5.24.点击 OK.25.选择Main MenuPreprocessorLoads-L
43、oads-Apply-Electric- Boundary-Voltage-On Nodes. 26.点击 Pick All. 27.在 Value of voltage (VOLT) 区域, 输入V0.28.点击 OK.步骤9: 对面进展缩放1.选择Utility MenuSelectEntities. 2.确认顶部的按钮设置为Nodes, 下面的按钮设置为 By Num/Pick, 和 From Full。3.点击Sele All 按钮,点击OK.点击 Pick All.4.选择Main MenuPreprocessor-Modeling-OperateScaleAreas.5.点击 Pi
44、ck All. 6.在 R*, RY, RZ Scale Factors 区域, 输入以下值：R* field.01RY field.01RZ field07.在Items to be scaled 区域, 设置按钮为 Areas and mesh.8.在E*isting areas will be 区域, 设置按钮为Moved.9.点击 OK.10.选择Main MenuFinish.分页步骤 10: 求解1.选择Main MenuSolution-Solve-Current LS.2.点击 Close.3.点击 OK开场求解.求解后要弹出一个提示信息，点击 Close.4.选择Main MenuFinish.步骤 11: 存储分析结果1.选择Main MenuGeneral PostprocElement Tabledefine Table. 2.点击 Add.3
