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1、2.1 晶体三极管,重点,难点,1、三极管的基本结构,2、三极管的电流放大原理及其分配规律,三极管的电流放大原理及其分配规律,内部特点,外部条件,放大作用,二极管,1.外形：,3. 单向导电性：,2.图形符号、文字符号：,正偏：V正极 V负极，导通 R小0,反偏：V正极 V负极，截止 R大,有利于扩散运动,有利于漂移运动,温故知新：,一、分 类 与 结 构,1.结构：有NPN型和PNP型2.材料：有硅三极管和锗三极管3.工作频率：有高频三极管和低频三极管4.功率大小：有大功率三极管和小功率三极管,NPN 型,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,集电极 c,基极 b,发射极 e,集电区,集电结
2、,基区,发射结,发射区,集电极 c,发射极 e,基极 b,PNP 型,三极管：三个极、三个区、两个PN结,电极C与E的位置能对换吗？,想一想：,？,？,以 NPN 型三极管为例讨论,三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。,不具备放大作用,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,集电区：面积大,二、晶 体 管 电 流 放 大 作 用,1、晶体管实现放大的内部特点,晶体管芯结构剖面图,e发射极,集电区N,基区P,发射区N,b基极,c集电极,(1)发射区掺杂浓度最高：发射区掺杂浓度远大于基区，利于向基区扩散。,(2)基区做得很薄且掺杂浓度低：保证绝大部分载流子扩散
3、到集电结。,(3)集电区面积较大：以便收集更多的载流子。,可见，三极管不是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。,2、晶体管实现放大的外部条件,- +,- +,+ -,+ -,想一想：三个电极的电位大小关系如何？,发射结,集电结,发射结,集电结,【举例分析】测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位V1、V2、V3分别为： （1）V1=3.5V、V2=2.8V、V3=12V （2）V1=3V、V2=2.8V、V3=12V （3）V1=6V、V2=11.3V、V3=12V （4）V1=6V、V2=11.8V
4、、V3=12V判断它是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定E、B、C。,（1）1 b、2 e、3 c NPN 硅 （2）1 b、2 e、3 c NPN 锗 （3）1 c、2 b、3 e PNP 硅 （4）1 c、2 b、3 e PNP 锗,原则：先确定B，再求|UBE|，若等于0.60.8V，为硅管；若等于 0.10.3V，为锗管，从而E、C确定。 根据发射结正偏，集电结反偏。 NPN管：VC VB VE PNP管：VC VB VE,解：,小试牛刀：,EB,RB,IB,IC,EC,RC,N,P,IE,N,发射区向基区扩散电子,扩散运动形成发射极电流IE,电子在基区的扩散与复合,集电区收
5、集电子,漂移运动形成集电极电流IC,复合运动形成IB,电流分配关系：,动态过程,IEIBIC,电流分配：IEIBICIE扩散运动形成的电流IB复合运动形成的电流IC漂移运动形成的电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,输入回路,输出回路,共射电路,三极管是一个电流控制元件，IC由IB控制。共射电路：IC=IB,【举例分析】某放大电路中三极管三个电极的电流如图所示。 IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚。,解：电流判断法。电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC,A,B,C,IA,IB,IC,C为发射极B为基极A为集电极,巩固战果：,胸有成竹：,发射区掺杂浓度大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区面积大且掺杂少,一、内部结构,三个极、三个区、两个结,二、外部条件,NPN管：VC VB VE PNP管：VC VB VE,【1】工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的放大倍数约为（ ）。A. 83 B. 91 C. 100【2】某晶体管的发射极电流等于 1mA , 基极电流等于20, 则它的集电极电流等于( )mA。A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2【3】分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。,大展宏图：,a,b,
